一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路。包括接收销毁信号、具有多路开关量输出的MCU控制电路，还包括以低压源作为输入、输出高压的高压产生电路；多个固态硬盘的擦写端脚各自通过销毁开关同时连接至高压产生电路的输出端，MCU控制电路的各路开关量输出端脚分别连接至各销毁开关的控制端脚，MCU控制电路的充电开关信号输出端脚连接至高压产生电路的充电开关输入端；MCU控制电路包括MCU芯片；高压产生电路包括充电控制芯片U1、变压器芯片FL1、开关芯片U2和反向截止二极管D1。本实用新型专利技术的物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路具有分时分路销毁功能、销毁电压高、销毁时间短。

【技术实现步骤摘要】
一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路
本技术属于安全电路系统
，尤其涉及一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路。
技术介绍
固态硬盘SSD是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，SSD由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)等组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等诸多领域。对于军事应用来说，数据安全关系到军事机密甚至战争成败，尤其是现代化战争中，各国一方面竭尽全力发展更先进、更高级、更安全的电子系统，另一方面也穷其所能破解对方的电子系统，而作为数据载体的固态硬盘，在通过各种加密手段防止破解的同时，各种应急环境下数据的快速删除或者销毁也成了应用重点之一。目前，销毁方式主要分为两种，逻辑销毁和物理销毁。逻辑销毁，是在不损坏物理芯片的基础上，通过发送命令对存储介质上的原始数据进行擦除，这种销毁方式的优点是可以继续使用原芯片，缺点是擦除时间与存储容量正相关，当容量较大时，持续时间会比较久，通常在秒级甚至分钟级。物理销毁则是直接损坏物理芯片，从根本上确保无法恢复原始数据。通常物理销毁采用电气形式、化学形式和机械形式三种。化学形式销毁会带来设备安全性的隐患；机械形式由于板卡通常安装在加固机箱里，所以不易实施；因此大多数情况都是以电气形式销毁为主，也就是为固态硬盘销毁电路也是多种多样。针对军工、国防领域，物理销毁比逻辑销毁更具安全性和可靠性。但是，现有的销毁电路其销毁时间通常不够短，很少达到毫秒量级，或者存在销毁异常的隐患(比如现有销毁电路所谓的高压都不够高，在销毁的过程中存在电压拉低的情况，从而导致销毁异常)。因此，如何实现快速、可靠的销毁固态硬盘是一个值得深入研究的问题。
技术实现思路
本技术为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种具有分时分路销毁功能、销毁电压高、销毁时间短的物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路。本技术为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是：一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路包括接收销毁信号、具有多路开关量输出的MCU控制电路，还包括以低压源作为输入、输出高压的高压产生电路；多个固态硬盘的擦写端脚各自通过销毁开关同时连接至高压产生电路的输出端，MCU控制电路的各路开关量输出端脚分别连接至各销毁开关的控制端脚，MCU控制电路的充电开关信号输出端脚连接至高压产生电路的充电开关输入端；MCU控制电路包括MCU芯片，其第4和第18管脚同时连接至电源，第5、第21和第33管脚同时接地，第19管脚接收销毁信号，第22管脚输出充电开关信号，第3管脚接收充电完成信号，其它管脚输出多路开关量信号；高压产生电路包括充电控制芯片U1、变压器芯片FL1、开关芯片U2和反向截止二极管D1；充电控制芯片U1的第1和第4管脚同时连接至低压源，充电控制芯片U1的第2管脚连接至MCU芯片的第3管脚同时通过电阻R3连接至低压源，充电控制芯片U1的第3管脚连接至MCU芯片的第22管脚，充电控制芯片U1的第5管脚接地，充电控制芯片U1的第7管脚连接至开关芯片U2的第4管脚，充电控制芯片U1的第6管脚连接至开关芯片U2的第1、第2和第3管脚同时通过电阻R5接地，充电控制芯片U1的第10管脚通过并联的电阻R4和电容C2接地，开关芯片U2的第5、第6、第7和第8管脚连接至变压器芯片FL1的第6和第7管脚同时通过电阻R1连接至充电控制芯片U1的第9管脚且通过电阻R2连接至充电控制芯片U1的第8管脚，变压器芯片FL1的第4和第5管脚同时连接至低压源，变压器芯片FL1的第10管脚接地，变压器芯片FL1的第2、第3、第8和第9管脚空置，变压器芯片FL1的第1管脚连接至反向截止二极管D1，反向截止二极管D1输出高压，反向截止二极管D1的输出端通过电容C1接地。本技术的优点和积极效果是：本技术提供了一种结构设计合理的物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路，与现有的销毁电路相比，本技术可通过调整输入的销毁信号达到调整销毁时间的技术效果，因此应用场景更加丰富。通过采用MCU控制电路对销毁过程进行控制，实现了对多路固态硬盘上数据的分时分路销毁。通过设置高压产生电路由充电控制芯片U1、变压器芯片FL1等构成，实现了对低压电压源向高压电压源的转化，在整个数据销毁的过程中不会出现电压拉低的情况，因此能够保证数据销毁的高可靠性。本技术的销毁电路具备毫秒级的数据销毁功能，因此保证了固态硬盘上数据销毁的快速性，避免由于销毁过程持续时间太长导致的数据安全问题。优选地：MCU芯片的型号为ATTINY88-MUR，充电控制芯片U1的型号为LT3750，变压器芯片FL1的型号为750032052，开关芯片U2的型号为IRF7493TRPBF，反向截止二极管D1的型号为MURS140-13-F。优选地：高压产生电路的低压源输入为3V～24V，高压侧输出为300V。附图说明图1是本技术的电路框图；图2是图1中MCU控制电路原理图；图3是图1中高压产生电路的电路图。具体实施方式为能进一步了解本技术的
技术实现思路
、特点及功效，兹举以下实施例详细说明。请参见图1，本技术的物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路系统包括接收销毁信号、具有多路开关量输出的MCU控制电路，还包括以低压源作为输入、输出高压的高压产生电路。其中MCU控制电路用于对整个数据销毁的过程进行控制，高压产生电路产生销毁固态硬盘上数据所需的高压源。多个固态硬盘的擦写端脚各自通过销毁开关同时连接至高压产生电路的输出端，MCU控制电路的各路开关量输出端脚分别连接至各销毁开关的控制端脚。在MCU控制电路的控制作用下，各销毁开关被控制打开，高压产生电路产生的高压源与相应固态硬盘的擦写端脚导通，产生数据的擦写销毁作用。MCU控制电路的充电开关信号输出端脚连接至高压产生电路的充电开关输入端，因此高压产生电路的充电过程由MCU控制电路进行控制。请参见图2，可以看出：MCU控制电路包括MCU芯片，MCU芯片的型号为ATTINY88-MUR。MCU芯片的第4和第18管脚同时连接至电源，第5、第21和第33管脚同时接地，第19管脚接收销毁信号，第22管脚输出充电开关信号，第3管脚接收充电完成信号，其它管脚输出多路开关量信号。请参见图3，可以看出：高压产生电路包括充电控制芯片U1、变压器芯片FL1、开关芯片U2和反向截止二极管D1，其中变压器芯片FL1的型号为750032052，开关芯片U2的型号为IRF7493TRPBF，反向截止二极管D1的型号为MURS140-13-F。充电控制芯片U1的第1和第4管脚同时连接至低压源，充电控制芯片U1的第2管脚连接至MCU芯片的第3管脚同时通过电阻R3连接至低压源，充电控制芯片U1的第3管脚连接至MCU芯片的第22管脚，充电控制芯片U1的第5管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路，其特征是：包括接收销毁信号、具有多路开关量输出的MCU控制电路，还包括以低压源作为输入、输出高压的高压产生电路；多个固态硬盘的擦写端脚各自通过销毁开关同时连接至高压产生电路的输出端，MCU控制电路的各路开关量输出端脚分别连接至各销毁开关的控制端脚，MCU控制电路的充电开关信号输出端脚连接至高压产生电路的充电开关输入端；/nMCU控制电路包括MCU芯片，其第4和第18管脚同时连接至电源，第5、第21和第33管脚同时接地，第19管脚接收销毁信号，第22管脚输出充电开关信号，第3管脚接收充电完成信号，其它管脚输出多路开关量信号；/n高压产生电路包括充电控制芯片U1、变压器芯片FL1、开关芯片U2和反向截止二极管D1；充电控制芯片U1的第1和第4管脚同时连接至低压源，充电控制芯片U1的第2管脚连接至MCU芯片的第3管脚同时通过电阻R3连接至低压源，充电控制芯片U1的第3管脚连接至MCU芯片的第22管脚，充电控制芯片U1的第5管脚接地，充电控制芯片U1的第7管脚连接至开关芯片U2的第4管脚，充电控制芯片U1的第6管脚连接至开关芯片U2的第1、第2和第3管脚同时通过电阻R5接地，充电控制芯片U1的第10管脚通过并联的电阻R4和电容C2接地，开关芯片U2的第5、第6、第7和第8管脚连接至变压器芯片FL1的第6和第7管脚同时通过电阻R1连接至充电控制芯片U1的第9管脚且通过电阻R2连接至充电控制芯片U1的第8管脚，变压器芯片FL1的第4和第5管脚同时连接至低压源，变压器芯片FL1的第10管脚接地，变压器芯片FL1的第2、第3、第8和第9管脚空置，变压器芯片FL1的第1管脚连接至反向截止二极管D1，反向截止二极管D1输出高压，反向截止二极管D1的输出端通过电容C1接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种物理式销毁固态硬盘数据的销毁电路，其特征是：包括接收销毁信号、具有多路开关量输出的MCU控制电路，还包括以低压源作为输入、输出高压的高压产生电路；多个固态硬盘的擦写端脚各自通过销毁开关同时连接至高压产生电路的输出端，MCU控制电路的各路开关量输出端脚分别连接至各销毁开关的控制端脚，MCU控制电路的充电开关信号输出端脚连接至高压产生电路的充电开关输入端；
MCU控制电路包括MCU芯片，其第4和第18管脚同时连接至电源，第5、第21和第33管脚同时接地，第19管脚接收销毁信号，第22管脚输出充电开关信号，第3管脚接收充电完成信号，其它管脚输出多路开关量信号；
高压产生电路包括充电控制芯片U1、变压器芯片FL1、开关芯片U2和反向截止二极管D1；充电控制芯片U1的第1和第4管脚同时连接至低压源，充电控制芯片U1的第2管脚连接至MCU芯片的第3管脚同时通过电阻R3连接至低压源，充电控制芯片U1的第3管脚连接至MCU芯片的第22管脚，充电控制芯片U1的第5管脚接地，充电控制芯片U1的第7管脚连接至开关芯片U2的第4管脚，充电控制芯片U1的第6管脚连接至开关芯片U2的第1、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兆健，林智煌，孙宁霄，吴琼之，
申请(专利权)人：北京耐数电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11