一种显示基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，显示基板包括：衬底；形成于衬底上的半导体制冷单元阵列；形成于半导体制冷单元阵列上的驱动器件层；半导体制冷单元阵列包括阵列分布的多个制冷单元，制冷单元包括：第一导电单元，包括间隔设置的第一导电块和第二导电块；半导体单元，包括一个N型半导体和一个P型半导体，N型半导体与第一导电块在衬底上的正投影至少部分重合，P型半导体与第二导电块在衬底上的正投影至少部分重合；第三导电块，N型半导体和P型半导体与第三导电块在衬底上的正投影至少部分重叠，第三导电块连接N型半导体和P型半导体。本发明专利技术显示基板及其制造方法、显示装置，提高显示基板自身散热能力，提高显示基板寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
对于显示产品，尤其是OLED(OrganicLight-EmittingDiode，又称为有机电激光显示、有机发光半导体)显示产品，在工作当中，由于自身发光产生大量的热量，会延迟OLED响应时间，长时间处于高温的工作状态，会加速有机电致发光材料(EL材料)的老化，缩短寿命。在相关技术中，在OLED显示产品的基底背面贴附散热膜，但是散热效果有限。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够提高显示基板自身散热能力，提高显示基板的寿命。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案如下：一方面，本专利技术提供了一种显示基板，包括：衬底；形成于所述衬底之上的半导体制冷单元阵列；及，形成于所述半导体制冷单元阵列的远离所述衬底的一侧的驱动器件层；其中，所述半导体制冷单元阵列包括阵列分布的多个制冷单元，所述制冷单元包括：形成于所述衬底之上的第一导电单元，所述第一导电单元包括间隔设置的第一导电块和第二导电块；形成于所述第一导电单元的远离所述衬底的一侧的半导体单元，所述半导体单元包括一个N型半导体和一个P型半导体，所述N型半导体在所述衬底上的正投影与所述第一导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述P型半导体在所述衬底上的正投影与所述第二导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合；以及，形成于所述半导体单元的远离所述衬底的一侧的第二导电单元，所述第二导电单元包括第三导电块，所述N型半导体和所述P型半导体在所述衬底上的正投影均与所述第三导电块在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述第三导电块连接所述N型半导体和所述P型半导体。示例性的，所述半导体制冷单元阵列中，同一列所述制冷单元的所述第一导电块之间通过第一信号线串联；同一列所述制冷单元的所述第二导电块之间通过第二信号线串联；所述第一信号线连接正电极或负电极中的一个，所述第二信号线连接正电极或负电极中的另一个。示例性的，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域，所述周边区域包括设置有驱动电路的走线密集区；所述第一信号线和所述第二信号线与所述驱动电路电连接。示例性的，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域，所述周边区域包括设置有驱动电路的走线密集区；所述半导体制冷单元阵列包括位于所述走线密集区的第一区域和位于所述显示区域的第二区域，所述第一区域中所述制冷单元排布的阵列密度，大于所述第二区域中所述制冷单元排布的阵列密度。示例性的，不同所述制冷单元的所述第三导电块之间相互绝缘设置。示例性的，所述第一导电单元的材质选用金属材料，所述金属材料选用锌、钼、铜、银、铝、铁、锡、钨、镍中至少一种；所述第二导电单元的材质选用金属材料，所述金属材料选用锌、钼、铜、银、铝、铁、锡、钨、镍中至少一种。示例性的，在所述衬底的背离所述半导体制冷单元阵列的一侧还设有散热膜层。另一方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的显示基板。另一方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制造方法，用于制造本公开实施例提供的显示基板，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体制冷单元阵列，所述半导体制冷单元阵列包括阵列分布的多个制冷单元，每一所述制冷单元包括：所述制冷单元包括：形成于所述衬底之上的第一导电单元，所述第一导电单元包括间隔设置的第一导电块和第二导电块；形成于所述第一导电单元的远离所述衬底的一侧的半导体单元，所述半导体单元包括一个N型半导体和一个P型半导体，所述N型半导体在所述衬底上的正投影与所述第一导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述P型半导体在所述衬底上的正投影与所述第二导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合；以及，形成于所述半导体单元的远离所述衬底的一侧的第二导电单元，所述第二导电单元包括第三导电块，所述N型半导体和所述P型半导体在所述衬底上的正投影均与所述第三导电块在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述第三导电块连接所述N型半导体和所述P型半导体；在所述半导体制冷单元阵列的远离所述衬底的一侧形成驱动器件层。示例性的，所述在所述衬底上形成半导体制冷单元阵列，具体包括：在所述衬底上形成第一导电层；对所述第一导电层进行图案化处理，以形成所述第一导电块和所述第二导电块；在所述第一导电块和所述第二导电块上形成第一半导体衬底；对所述第一导电层进行图案化处理，以形成所述第一导电块和所述第二导电块；在所述第一导电块和所述第二导电块上形成第一半导体衬底；对所述第一半导体衬底进行图案化处理，形成阵列分布的多个第一半导体；采用掩模板，遮挡住一部分所述第一半导体，进行离子掺杂，使所述第一半导体中未被所述掩模板遮挡的所述第一半导体离子掺杂后形成第二半导体，其中所述第一半导体为所述N型半导体和所述P型半导体中的其中一种，所述第二半导体为所述N型半导体和所述P型半导体中的另一种；在所述第一半导体和所述第二半导体上形成第二导电层；对所述第二导电层进行图案化处理，以形成多个所述第三导电块。示例性的，所述在所述衬底上形成半导体制冷单元阵列，具体包括：在所述衬底上形成第一导电层；对所述第一导电层进行图案化处理，以形成所述第一导电块和所述第二导电块；在所述第一导电块和所述第二导电块上形成第一半导体衬底；对所述半导体衬底进行图案化处理，以形成阵列分布的多个第一半导体，所述第一半导体为N型半导体和P型半导体中的其中一种；在所述第一导电层上形成第二半导体衬底；对所述半导体衬底进行图案化处理，以形成阵列分布的多个第二半导体，所述第二半导体为N型半导体和P型半导体中的另一种；在所述第一半导体和第二半导体上形成第二导电层；对所述第二导电层进行图案化处理，以形成多个所述第三导电块。本公开实施例所带来的有益效果如下：上述方案中，在显示基板的所述衬底与所述驱动器件层之间设置半导体制冷单元阵列，每一所述制冷单元中所述第一导电块连接所述N型半导体，所述第二导电块连接所述P型半导体，而所述第三导电块与所述P型半导体和所述N型半导体均连接，所述第一导电块和所述第二导电块上分别接入电源正、负极，这样，每个所述制冷单元中，电流从第一导电单元的第一导电块流入，经过P型半导体、所述第三导电块、所述N型半导体、所述第二导电块而形成回路，通过珀尔帖效应，在所述第三导电块处形成冷端，对该第三导电块上的膜层进行降温，例如，当该显示基板应用于OLED显示基板时，所述第三导电块处形成的冷端可对所述驱动器件层及有机发光材料进行降温。由此可见，本公开所提供的显示基板及其制造方法、显示装置，通过在所述衬底与所述驱动器件层之间设置集传热与制冷效果于一体的所述半导体制冷单元阵列，增加显示产品自身散热能力，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底之上的半导体制冷单元阵列；及，形成于所述半导体制冷单元阵列的远离所述衬底的一侧的驱动器件层；其中，所述半导体制冷单元阵列包括阵列分布的多个制冷单元，所述制冷单元包括：/n形成于所述衬底之上的第一导电单元，所述第一导电单元包括间隔设置的第一导电块和第二导电块；/n形成于所述第一导电单元的远离所述衬底的一侧的半导体单元，所述半导体单元包括一个N型半导体和一个P型半导体，所述N型半导体在所述衬底上的正投影与所述第一导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述P型半导体在所述衬底上的正投影与所述第二导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合；/n以及，形成于所述半导体单元的远离所述衬底的一侧的第二导电单元，所述第二导电单元包括第三导电块，所述N型半导体和所述P型半导体在所述衬底上的正投影均与所述第三导电块在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述第三导电块连接所述N型半导体和所述P型半导体。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底之上的半导体制冷单元阵列；及，形成于所述半导体制冷单元阵列的远离所述衬底的一侧的驱动器件层；其中，所述半导体制冷单元阵列包括阵列分布的多个制冷单元，所述制冷单元包括：
形成于所述衬底之上的第一导电单元，所述第一导电单元包括间隔设置的第一导电块和第二导电块；
形成于所述第一导电单元的远离所述衬底的一侧的半导体单元，所述半导体单元包括一个N型半导体和一个P型半导体，所述N型半导体在所述衬底上的正投影与所述第一导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述P型半导体在所述衬底上的正投影与所述第二导电块在所述衬底上的正投影至少部分重合；
以及，形成于所述半导体单元的远离所述衬底的一侧的第二导电单元，所述第二导电单元包括第三导电块，所述N型半导体和所述P型半导体在所述衬底上的正投影均与所述第三导电块在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述第三导电块连接所述N型半导体和所述P型半导体。


2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述半导体制冷单元阵列中，同一列所述制冷单元的所述第一导电块之间通过第一信号线串联；同一列所述制冷单元的所述第二导电块之间通过第二信号线串联；所述第一信号线连接正电极或负电极中的一个，所述第二信号线连接正电极或负电极中的另一个。


3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域，所述周边区域包括设置有驱动电路的走线密集区；所述第一信号线和所述第二信号线与所述驱动电路电连接。


4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域，所述周边区域包括设置有驱动电路的走线密集区；所述半导体制冷单元阵列包括位于所述走线密集区的第一区域和位于所述显示区域的第二区域，所述第一区域中所述制冷单元排布的阵列密度，大于所述第二区域中所述制冷单元排布的阵列密度。


5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
不同所述制冷单元的所述第三导电块之间相互绝缘设置。


6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述第一导电单元的材质选用金属材料，所述金属材料选用锌、钼、铜、银、铝、铁、锡、钨、镍中至少一种；
所述第二导电单元的材质选用金属材料，所述金属材料选用锌、钼、铜、银、铝、铁、锡、钨、镍中至少一种。


7.根据权利要求1至6任一项所述的显示基板，其特征在于，
在所述衬底的背离所述半导体制冷单元阵列的一侧还设有散热膜层。


8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的显示基板。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李岢恒，王伟，杨鸣，党扬，王森，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11