一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法技术

本发明专利技术涉及一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法，属于火法熔炼硅片切割废料再生回收硅技术领域。本发明专利技术针对硅片切割废料在火法熔炼回收硅过程中由于水分存在造成熔炼过程硅粉易氧化和熔炼过程中杂质去除效率低的问题，将微负压装置移至熔炼的炉口正上方，开启微负压装置的真空装置使硅片切割废料进行微负压熔炼，以避免超细硅粉在熔炼过程中氧化损失并除去硅中的易挥发性杂质，实现硅熔体的同步精炼。本发明专利技术在硅熔体上方营造出的微负压环境，可以避免硅熔炼过程中烟气的逸出，减少环境影响。本发明专利技术方法具有设备要求简单、操作容易、环境友好、适合规模化工业生产。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法
本专利技术涉及一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法，属于火法熔炼硅片切割废料再生回收硅

技术介绍
由于在硅片切割过程中添加剂等辅助材料的使用和切割/储存和运输等工况下的氧化，使得硅片切割废料中杂质铝、钙含量较高和超细粒硅颗粒表面氧化度高而生成二氧化硅层，使得硅片切割废料再生提纯制备高纯硅过程中既要保证杂质铝、钙的去除，又要在熔炼过程中最大限度的避免硅颗粒与氧的接触从而降低硅的氧化损失。在现有的硅片切割废料直接入炉熔炼和添加造渣剂辅助熔炼中，需要分别采用不同的步骤才能实现二氧化硅层的分离和铝、钙杂质的去除，流程冗长，工艺复杂，熔炼过程中对氧的参与难以精确控制反而加剧了超细硅粉的二次氧化，且杂质的去除率较低。
技术实现思路
为了实现硅片切割废料中硅的高效回收和高值化再生利用，同时实现降低氧的参与和提高杂质的去除，保证熔炼过程中硅的回收率和纯度，本专利技术提供一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法，即通过微负压装置设在硅熔炼主体设备的上部即熔炼过程中在高温硅熔体的气液界面处营造微负压状态，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法，其特征在于，具体步骤如下：/n将微负压装置移至熔炼的炉口正上方，开启微负压装置的真空装置使硅片切割废料进行微负压熔炼并同步精炼，以避免超细硅粉在熔炼过程中氧化损失并除去硅熔体中的易挥发性杂质。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法，其特征在于，具体步骤如下：
将微负压装置移至熔炼的炉口正上方，开启微负压装置的真空装置使硅片切割废料进行微负压熔炼并同步精炼，以避免超细硅粉在熔炼过程中氧化损失并除去硅熔体中的易挥发性杂质。


2.根据权利要求1所述硅片切割废料微负压下熔炼的方法，其特征在于：熔炼包括吹气熔炼、造渣熔炼或吹气-造渣复合熔炼。


3.根据权利要求1所述硅片切割废料微负压下熔炼的方法，其特征在于：微负压装置包括依次连接的集烟罩、烟道、真空机组和收尘装置，集烟罩设置在熔炼装置的炉口正上方且集烟罩与熔炼装置的炉口密闭连接以形成密闭腔体。


4.根据权利要求3所述硅片切割废料微负压下熔炼的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏奎先，杨时聪，马文会，万小涵，李绍元，伍继君，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南;53