一种MFF2封装的eSIM测试卡座制造技术

本实用新型专利技术公开的一种MFF2封装的eSIM测试卡座，包括电源VCC、eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端，电源VCC与eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端分别连接，eSIM芯片U2焊接在载板U3上，载板U3上引脚与SIM终端引脚焊接，本申请使用的卡座与SIM物理接口完全吻合，由于eSIM特性与载板完全形成独立一体，通过焊接能够实现直接替换，且物理抗冲击、防尘、防潮等能力优于原SIM卡座物理拔等方式，制作费用低且易于复制，能够直接推广至其他eSIM封装，降低飞线带来的不可靠性，夹具不稳定性等问题，能够在不改变产品整体结构基础上直接替换，降低由于技术过渡产生费用。

【技术实现步骤摘要】
一种MFF2封装的eSIM测试卡座
本技术涉及一种MFF2封装的eSIM测试卡座。
技术介绍
目前国内MFF2等封装esSIM还未普及，因此大部分设备仍采用SIM卡座物理插拔模式，而随着eSIM的不断普及，原有设备只能通过整机替换的形式。对于造价较高的设备，可通过该技术实现硬件直接替换，整体产品结构布局均无需更改，基于联通LPA植入完成esim布置。实现最低成本实现技术过渡。在调试侧，原有产品采用SIM卡座物理拔插模式，而随着eSIM芯片的普及，在调试侧，工程师需要对整机产品重新制板(耗时久)或采用飞线焊接(可靠性低)的方式实现eSIM芯片与设备的对接调试，靠可行性且耗时。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种MFF2封装的eSIM测试卡座。本技术通过以下技术方案得以实现。本技术提供的一种MFF2封装的eSIM测试卡座，包括电源VCC、eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端，电源VCC与eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端分别连接，eSIM芯片U2焊接在载板U3上，载板U3上引脚与SIM终端引脚焊接。所述SIM终端是包括无线通信模块U1A、电阻R1、开关电容SC，三极管Q1，无线通信模块U1A的17脚与三极管Q1基极连接，三极管Q1射极基地，三极管Q1集电极与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电源VCC连接，无线通信模块U1A的53脚、54脚分别与开关电容SC的两端连接，无线通信模块U1A的47脚、48脚短接后接地、51脚、52脚短接后接地，无线通信模块U1A的45脚与46脚短接后与电源VCC连接。所述载板U3上焊接有电容若干、电阻若干、二极管D1～D4，载板U3的VCC脚与无线通信模块U1A的38脚、二极管D4阴极分别连接，载板U3的RST脚与电阻R2一端、二极管D3阴极分别连接，电阻R2另一端与无线通信模块U1A的39脚连接，载板U3的CLK脚与电阻R3一端、二极管D2阴分别连接，电阻R3另一端与无线通信模块U1的41脚连接，载板U3的I/O脚分别与电阻R4一端、二极管D1阴极分别连接，电阻R4另一端与无线通信模块U1A的40脚连接，载板U3的Fix脚与无线通信模块U1A的42脚连接；二极管D1～D4共阳极且阳极接地；电容C1两端并联在载板U3的Fix脚与VCC脚之间，电容C2两端并联在二极管D1阳极与阴极之间，电容C3两端并联在二极管D2阳极与阴极之间，电容C4两端并联在二极管D3阳极与阴极之间，电容C5两端并联在二极管D4阳极与阴极之间，载板U3的Fix脚接地；载板NC脚、VPP脚分别连接终端空置焊盘。所述eSIM芯片U2的0脚～7脚分别与载板U3的0脚～7脚连接。所述载板U3型号是FR4-TG130双面印制板，且载板U3四角端半孔焊盘接终端空置焊盘。所述载板U3的VCC脚、GND脚、RST脚、VPP脚、CLK脚、NC脚以及四角端半孔焊盘与原终端SIM(MICRO/NANOSIM)卡座焊盘位置一致，PINtoPIN替代。所述载板U3厚度0.4mm、最小线宽6/6mil、最小过孔0.3mm；焊盘沉金，过孔盖油，铜箔厚度1/1oz，板边焊盘半孔工艺。所述无线通信模块U1A型号是BC95。所述eSIM芯片是采用MFF2封装且具备UICC解决方案的微控芯片。所述载板U3左侧及底部进行大面积覆盖，底部除焊盘位置不涂覆阻焊剂，右侧减少覆地铜。本技术的有益效果在于：本申请使用的卡座与SIM物理接口完全吻合，由于eSIM特性与载板完全形成独立一体，通过焊接能够实现直接替换，且物理抗冲击、防尘、防潮等能力优于原SIM卡座物理拔等方式，制作费用低且易于复制，能够直接推广至其他eSIM封装，降低飞线带来的不可靠性，夹具不稳定性等问题，能够在不改变产品整体结构基础上直接替换，降低由于技术过渡产生费用。附图说明图1是本技术的卡座结构示意图；图2是本技术的eSIM芯片示意图图3是本技术的电路原理图。具体实施方式下面进一步描述本技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述。一种MFF2封装的eSIM测试卡座，包括电源VCC、eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端，电源VCC与eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端分别连接，eSIM芯片U2焊接在载板U3上，载板U3上引脚与SIM终端引脚焊接，所述eSIM芯片是采用MFF2封装且具备UICC解决方案的微控芯片，本实施例中eSIM芯片选用的型号是ST33G1M2。eSIM芯片MFF2封装尺寸如下表：eSIM芯片结构如图2所示，厚度是0.50mm-0.80mm。SIM终端是包括无线通信模块U1A、电阻R1、开关电容SC，三极管Q1，无线通信模块U1A的17脚与三极管Q1基极连接，三极管Q1射极基地，三极管Q1集电极与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电源VCC连接，无线通信模块U1A的53脚、54脚分别与开关电容SC的两端连接，无线通信模块U1A的47脚、48脚短接后接地、51脚、52脚短接后接地，无线通信模块U1A的45脚与46脚短接后与电源VCC连接，无线通信模块U1A型号是BC95。载板U3上焊接有电容若干、电阻若干、二极管D1～D4，载板U3的VCC脚与无线通信模块U1A的38脚、二极管D4阴极分别连接，载板U3的RST脚与电阻R2一端、二极管D3阴极分别连接，电阻R2另一端与无线通信模块U1A的39脚连接，载板U3的CLK脚与电阻R3一端、二极管D2阴分别连接，电阻R3另一端与无线通信模块U1的41脚连接，载板U3的I/O脚分别与电阻R4一端、二极管D1阴极分别连接，电阻R4另一端与无线通信模块U1A的40脚连接，载板U3的Fix脚与无线通信模块U1A的42脚连接；二极管D1～D4共阳极且阳极接地；电容C1两端并联在载板U3的Fix脚与VCC脚之间，电容C2两端并联在二极管D1阳极与阴极之间，电容C3两端并联在二极管D2阳极与阴极之间，电容C4两端并联在二极管D3阳极与阴极之间，电容C5两端并联在二极管D4阳极与阴极之间，载板U3的Fix脚接地；载板NC脚、VPP脚分别连接终端空置焊盘。eSIM芯片U2的0脚～7脚分别与载板U3的0脚～7脚连接。载板U3型号是FR4-TG130双面印制板，且载板U3四角端半孔焊盘接终端空置焊盘。载板U3的VCC脚、GND脚、RST脚、VPP脚、CLK脚、NC脚以及四角端半孔焊盘与原终端SIM(MICRO/NANOSIM)卡座焊盘位置一致，PINtoPIN替代，因为载板U3对接接口设计为与SIM(MICRO/NANOSIM)卡座接口一致，还包含稳定插座位，所以直接进行焊接。载板U3厚度0.4mm、最小线宽6/6mi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MFF2封装的eSIM测试卡座，其特征在于：包括电源VCC、eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端，电源VCC与eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端分别连接，eSIM芯片U2焊接在载板U3上，载板U3上引脚与SIM终端引脚焊接。/n

【技术特征摘要】
1.一种MFF2封装的eSIM测试卡座，其特征在于：包括电源VCC、eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端，电源VCC与eSIM芯片U2、载板U3、SIM终端分别连接，eSIM芯片U2焊接在载板U3上，载板U3上引脚与SIM终端引脚焊接。


2.如权利要求1所述的一种MFF2封装的eSIM测试卡座，其特征在于：所述SIM终端是包括无线通信模块U1A、电阻R1、开关电容SC，三极管Q1，无线通信模块U1A的17脚与三极管Q1基极连接，三极管Q1射极基地，三极管Q1集电极与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电源VCC连接，无线通信模块U1A的53脚、54脚分别与开关电容SC的两端连接，无线通信模块U1A的47脚、48脚短接后接地、51脚、52脚短接后接地，无线通信模块U1A的45脚与46脚短接后与电源VCC连接。


3.如权利要求1所述的一种MFF2封装的eSIM测试卡座，其特征在于：所述载板U3上焊接有电容若干、电阻若干、二极管D1～D4，载板U3的VCC脚与无线通信模块U1A的38脚、二极管D4阴极分别连接，载板U3的RST脚与电阻R2一端、二极管D3阴极分别连接，电阻R2另一端与无线通信模块U1A的39脚连接，载板U3的CLK脚与电阻R3一端、二极管D2阴分别连接，电阻R3另一端与无线通信模块U1的41脚连接，载板U3的I/O脚分别与电阻R4一端、二极管D1阴极分别连接，电阻R4另一端与无线通信模块U1A的40脚连接，载板U3的Fix脚与无线通信模块U1A的42脚连接；
二极管D1～D4共阳极且阳极接地；
电容C1两端并联在载板U3的Fix脚与VCC脚之间，电容C2两端并联在二极管D1阳极与阴极之间，电容C3两端并...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘达，刘颖，王波，
申请(专利权)人：联通系统集成有限公司贵州省分公司，
类型：新型
国别省市：贵州;52