X光检测仪陈列单元的制作方法技术

一种Ｘ光检测仪阵列单元的制作方法，用以减少使用光罩数量，第一道微影蚀刻步骤定义栅极于基底上；第二道微影蚀刻步骤定义硅岛于晶体管区的栅极绝缘层上；第三道微影蚀刻步骤定义共同线于栅极绝缘层上，并且定义源／漏极于硅岛上而构成薄膜晶体管（ＴＦＴ）结构；第四道微影蚀刻步骤定义像素电极于平坦化层上；第五道微影蚀刻步骤定义第一介层洞与第二介层洞穿透介电层与平坦化层，其中第一介层洞露出源极的表面，第二介层洞露出部分第一导体层的表面与部分共同线的表面；第六道微影蚀刻步骤定义电荷收集电极于介电层上；本发明专利技术仅需六道微影蚀刻步骤，比习知制程少一道微影蚀刻步骤，因而减少光罩的使用量而降低制造成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ｘ光检测仪阵列单元的制作方法，其特征是：包括下列步骤： 提供一基底，具有一电容区与一晶体管区； 形成横向延伸的一栅极线于该基底上，其中该栅极线包含一栅极，且位于该晶体管区内； 形成一栅极绝缘层于该栅极线、该栅极及该基底上； 形成一半导体岛于该晶体管区的该栅极绝缘层上； 形成纵向延伸的一共同线与一资料线于该栅极绝缘层上，并且形成一源极与一漏极于该半导体岛上而构成一薄膜晶体管结构，其中该漏极与该资料线为电性连接； 形成一平坦化层于该栅极绝缘层、该共同线、该薄膜晶体管结构、该资料线与该栅极线上： 形成一第一导体层于该电容区的该平坦化层上； 形成一介电层于该第一导体层及该平坦化层上； 形成一第一介层洞与一第二介层洞穿透该介电层与该平坦化层，其中该第一介层洞露出该源极的表面，该第二介层洞露出部分该第一导体层的表面与部分该共同线的表面； 形成顺应性的一第二导体层于该介电层、该第一介层洞内的周围与该第二介层洞内的周围上；以及 去除部分该第二导体层，形成一第三导体层、一第四导体层与一第一开口，其中该第三导体层与该第四导体层通过该第一开口而互相地绝缘； 其中，该第三导体层与该源极电性连接； 其中，该第一导体层通过第四导体层而与该共同线电性连接； 其中，位于该电容区的该第一导体层、该介电层与该第三导体层构成一储存电容结构。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施博盛，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]