使用荧光分析仪的水处理控制系统技术方案

使用荧光分析仪的水处理控制系统包括具有活性炭注入部分（４ａ）的活性炭注入设备，和在活性炭注入部分（４ａ）的上游侧设置的荧光分析仪（７）和流水流量计（６）。根据荧光分析仪（７）的测定值，活性炭注入率演算装置（８）求出降低三卤甲烷生成能力需要的活性炭注入率。根据该活性炭注入率和流水流量计（６）的测定值，由活性炭注入量控制装置（９）对活性炭注入部分（４ａ）控制活性炭注入量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有荧光分析仪的同时具有氯系药物注入设备、活性炭注入设备、臭氧处理设备、凝集沉淀设备、或膜过滤装置的使用荧光分析仪的水处理控制系统。
技术介绍
水处理设备，例如在净水场，将地下水和地表水作为原水送入蓄水池，在凝集剂沉淀设备中添加凝集剂，形成絮凝物，实施沉淀处理。随后，使上澄清液通过砂滤装置除去悬浊物，最后实施氯处理消毒，供给使用者。为了更好地获得氯处理的消毒效果，在凝集剂注入前进行注入氯的前氯处理和在沉淀水中注入氯进行中间氯处理。前氯处理可有效去除原水中的氨性氮和微生物，或者去除铁和锈的锰的氧化。对于多数能生成三卤甲烷的原水，为了降低三卤甲烷，最好采用中间氯处理。代替各个氯处理的不是自动控制，而是依赖操作人员的直觉和经验，对原水水质进行监视。在原水水质已恶化不能用通常处理法处理时，在蓄水池等中投入粉末活性炭，由活性炭吸附溶解性物质，随后在凝集沉淀处理去除溶解性物质。活性炭的投放量也不是自动控制，实际情况是操作人员恁着直觉和经验确定投放量，来对原水水质进行监视。而且，水处理领域，特别是净化水处理中，如上所述，为了消毒处理和去除铁、锰等，广泛使用氯处理，在原水中混入三卤甲烷前躯物时，由于氯处理会生成三卤甲烷。由于三卤甲烷是致癌物质，所以在水处理过程中，必须抑制生成三卤甲烷。目前，对于三卤甲烷和三卤甲烷前躯物的测定需要时间和费用，因此不可能在线进行监控。作为去除三卤甲烷前躯物的有效处理方法，虽然有臭氧处理和活性炭处理，但有臭氧处理的处理场很少。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于此点而研制的，其目的是提供一种使用荧光分析仪的水处理控制系统，在线中利用荧光分析仪测定原水或处理水的相对荧光强度，利用由荧光分析仪的测定值，控制活性炭处理、氯剂注入处理、臭氧注入处理、凝集剂注入处理、或膜处理的处理方法，可降低三卤甲烷的生成能力。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是包括以下部分，即，向被处理水中注入注入剂的注入机构、测定被处理水的相对荧光强度的荧光分析仪、测定被处理水流量的流水流量计、和控制装置，该装置根据荧光分析仪的测定值，求出降低三甲烷生成能力所需要注入剂的注入率，利用该注入剂的注入率和流水流量计的流量控制注入机构。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是注入机构由向被处理水中注入活性炭的活性炭注入部分构成，控制装置包括根据荧光分析仪的测定值求出降低三卤甲烷生成能力所需要的活性炭注入率的活性炭注入率演算装置，和将活性炭注入率演算装置演算的活性炭注入率作为目标值，使用流水流量计的流量控制活性炭注入部分的活性炭注入量的活性炭注入量控制装置。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是在活性炭注入部分的上游侧和下游侧设置一对荧光分析仪，活性炭注入率演算装置根据一对荧光分析仪的测定值求出活性炭注入率。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是注入机构由向被处理水中注入氯系试剂的多个氯系试剂注入部分构成，控制装置包括根据荧光分析仪的测定值选择为控制三卤甲烷生成能力的最适宜的氯系试剂注入部分、而且求出氯系试剂注入率的氯系试剂注入设备演算装置，和将氯系试剂注入设备演算装置演算的注入率作为目标值，利用流水流量计的流量控制从氯系试剂注入部分的氯系试剂注入量的氯系试剂注入量控制装置。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系系统，其特征是荧光分析仪设在氯系试剂注入部分的上游侧。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是注入机构由具有多个直列并排并各自带有向被处理水中注入臭氧的臭氧注入部分的臭氧槽的臭氧处理设备构成，控制装置包括根据控制荧光分析仪的测定值求出为降低三甲烷生成能力所需要的向各个臭氧槽的臭氧注入率的臭氧注入率演算装置，和将臭氧注入率演算装置演算的注入率作为目标值，利用流水流量计的流量控制臭氧注入部分的臭氧注入量的臭氧注入量控制装置。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是荧光分析仪设在至少一个臭氧槽内。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是注入机构由向被处理水中注入凝集剂的凝集剂注入部分构成，控制装置包括根据荧光分析仪的测定值求出为降低三甲烷生成能力的最适宜的凝集剂注入率的凝集剂注入率演算装置，和将凝集剂注入率演算装置演算的注入率作为目标值，利用流水流量计的流量控制凝集剂注入部分的凝集剂注入量的凝集剂注入量控制装置。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是在凝集沉淀设备的上游侧和下游侧设置一对荧光分析仪，凝集注入率演算装置根据一对荧光分析仪的测定值求出凝集注入率。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是包括分离除去被处理水中混浊物成分的膜过滤装置、测定被处理水相对荧光强度的荧光分析仪、和根据荧光分析仪的测定值进行控制膜过滤装置运行的膜过滤运行控制装置。本专利技术是使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是在膜过滤装置的上游侧和下游侧设置一对荧光分析仪，膜过滤运行控制装置根据一对荧光分析仪的测定值进行控制膜过滤装置的运行。依照本专利技术，根据活性炭注入部分的上游侧或下游测任何一方的相对荧光强度，由活性炭注入率演算装置求出降低三卤甲烷生成能力所需要的活性炭注入率，将活性炭注入率演算装置演算的活性炭注入率作为目标值，由活性炭注入量控制装置控制活性炭注入量，将使用的活性炭注入量限制在所需要的最低量，并能有效地实现三卤甲烷生成能力的降低。依照本专利技术，根据氯系试剂注入部分上游侧的相对荧光强度，在氯系试剂注入设备演算装置中，选择最适宜的氯系试剂注入点，同时求出氯系试剂注入率，以便发挥氯系试剂形成的处理效果，抑制三卤甲烷的生成能力，将氯系试剂注入设备演算装置演算的注入率作为目标值，由氯系试剂注入量控制装置控制氯系试剂注入量，将使用的氯系试剂限制在需要的最低限，并能有效地实现三卤甲烷生成能力的降低。依照本专利技术，根据多个臭氧槽中的任何一个、或者整个流水的相对荧光强度，在臭氧注入率演算装置求出降低三卤甲烷生成能力所需要的向各个臭氧槽供给量，将供给的臭氧限制在需要的最低限，并能有效地实现三卤甲烷生成能力的降低。依照本专利技术，根据凝集剂注入部分的上游侧或下游侧中任一方的相对荧光强度，由凝集剂注入率演算装置求出降低三卤甲烷生成能力所需要的絮凝剂注入率，将凝集剂注入率演算装置演算的凝集剂注入率作为目标值，由凝集剂注入量控制装置控制凝集剂注入量，将使用的凝集剂注入量限制在需要的最低限，并能有效地实现三卤甲烷生成能力的降低。依照本专利技术，根据膜过滤装置的上游侧或下游侧任何一方的相对荧光强度，进行膜过滤装置的运行控制，并能抑制膜的网眼堵塞、延长药剂的净化时间。附图说明图1A和图1B是使用本专利技术的荧光分析仪的水处理控制系统第1实施例构成图。图2是相对荧光强度和三卤甲烷生成能力的关系示例图。图3是活性炭注入率和相对荧光强度残存率(FLr)的关系示例图。图4是使用本专利技术的荧光分析仪的水处理控制系统第2实施例构成图。图5是使用本专利技术的荧光分析仪的水处理控制系统第3实施例构成图。图6是使用本专利技术的荧光分析仪的水处理控制系统第4实施例构成图。图7是氯系试剂注入率和三甲烷生成能力降低率的关系示例图。具体实施例方式第1实施例以下参照附图说明本专利技术的实施例。图1～图3是使用本专利技术的荧光分析仪的水处理系统第1实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用荧光分析仪的水处理控制系统，其特征是具有分离去除被处理水中混浊物成分的膜滤装置、测定被处理水相对荧光强度的荧光分析仪、和根据荧光分析仪的测定值进行控制膜装置运行的膜滤运行控制装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：村山清一，黑川太，金子政雄，居安巨太郎，田口健二，久保贵惠，环省二郎，平本昭，林巧，海贺信好，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]