一种晶体垂直加工工装及制作方法技术

技术编号:25930653 阅读:37 留言:0更新日期:2020-10-17 03:22
本发明专利技术提供了一种晶体垂直加工工装及制作方法,及晶体加工技术领域。晶体垂直加工工装的制作方法包括准备基板及至少一角度垫条;将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个第一表面相互平行;将角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个角度垫条的相对的两个第二表面相互平行;将角度垫条安装在基板上,其中,第二表面与第一表面贴合。通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装,基板的第一表面和角度垫条的第二表面的平行度好,因此,本发明专利技术通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装在加工晶体时可以一次实现一个侧面同时与晶体已平行的两个面垂直,简化工序,提高效率及产品合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体垂直加工工装及制作方法
本专利技术涉及晶体加工
,尤其涉及一种晶体垂直加工工装及制作方法。
技术介绍
YAG(YttriumAluminumGarnet)是钇铝石榴石的简称,化学式是Y3Al5O12,属于立方晶系,YAG晶体是目前综合性能最为优异的激光晶体,激光波长1064纳米,广泛用于军事、工业和医疗等行业,工业用激光设备如:激光打标机、激光雕刻机、激光焊接机、激光划片机、镭雕机和激光打孔机等都是采用YAG晶体的。传统YAG晶体为立方体结构,一般只有相对的两个面是平行的,现有的一些产品中需要将YAG晶体的四个侧面加工成与两个已平行的面垂直。然而,传统控制YAG晶体的垂直加工,要对每个侧面单独进行垂直控制,即,需要对YAG晶体侧面单个进行修正,工序复杂、效率低。
技术实现思路
为克服现有技术中的不足,本专利技术提供了一种晶体垂直加工工装及制作方法,较少加工工序、提高生产效率。为达上述目的,本专利技术提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法,包括步骤:准备基板及至少一角度垫条;将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个所述第一表面相互平行;将所述角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个所述角度垫条的相对的两个所述第二表面相互平行;将所述角度垫条安装在所述基板上,其中,所述第二表面与所述第一表面贴合。可选的,所述将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理包括步骤:将所述基板置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;取出预热后的所述基板冷却至室温,再对其中一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上;将所述基板再次置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;取出再次预热后的所述基板冷却至室温,再对另一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使该第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。进一步可选的,相对的两个所述第一表面进行打磨和抛光处理步骤均还包括步骤:用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板;对研磨后的所述基板进行清洗;将清洗后的所述基板再在光学透镜磨抛机上进行抛光处理。进一步可选的,所述用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板的研磨步骤包括:用W280碳化硼研磨剂对所述基板进行一次研磨;清洗一次研磨后的所述基板,用W40碳化硼研磨剂对所述基板进行二次研磨;清洗二次研磨后的所述基板,用W20碳化硼研磨剂对所述基板进行三次研磨,取下所述基板用平面平晶观察是否达到标准,否则继续研磨。进一步可选的,所述研磨步骤中清洗所述基板的方法包括:用清洗剂对所述基板进行刷洗;再用水进行冲洗。进一步可选的,所述一次研磨、所述二次研磨及所述三次研磨的时长均为5-15min。可选的,所述角度垫条的其中一面所述第二表面打磨和抛光处理的步骤包括:准备模盘,将所述模盘及所述角度垫条置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;取出预热后的所述角度垫条和所述模盘,并将角度垫条设置在模盘上;待所述角度垫条和所述模盘冷却至室温时,对所述模盘上所述角度垫条进行研磨;将所述模盘上所述角度垫条进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第二表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。进一步可选的,所述角度垫条的另一面所述第二表面打磨和抛光处理的步骤包括:将抛光好的所述角度垫条跟所述模盘一起置于80~100℃的电炉中加热5-10min;从所述模盘上取下抛光处理后的所述角度垫条,用浸泡液浸泡10-20min;将浸泡好的所述角度垫条擦拭干净,再将所述角度垫条已打磨和抛光处理的所述第二表面贴在光胶垫板上;对所述光胶垫板上的所述角度垫条进行研磨;将所述模盘上所述角度垫条进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使该第二表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。进一步可选的,所述角度垫条两相对的所述第二表面的距离小于等于产品的高度。为达上述目的,本专利技术还提供了一种晶体垂直加工工装,所述晶体垂直加工工装按照上述提供的晶体垂直加工工装的制作方法制得。相比现有技术,本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种晶体垂直加工工装及制作方法,晶体垂直加工工装的制作方法包括准备基板及至少一角度垫条;将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个第一表面相互平行;将角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个角度垫条的相对的两个第二表面相互平行;将角度垫条安装在基板上,其中,第二表面与第一表面贴合。通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装,基板的第一表面和角度垫条的第二表面的平行度好,使用时,将立方体结构的晶体已平行的两个面中的一面贴靠在角度垫条的一侧,然后对晶体的侧面进行研磨和抛光处理,仅需要保证晶体的侧面与角度垫条的第二表面平行,由此,晶体的侧面与晶体已平行的两个面都垂直,依次加工晶体的其它侧面,因此,本专利技术通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装在加工晶体时可以一次实现一个侧面同时与晶体已平行的两个面垂直,简化工序,提高效率及产品合格率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本专利技术本实施例提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法的步骤示意图;图2示出了本专利技术本实施例提供的由晶体垂直加工工装的制作方法制得的晶体垂直加工工装;图3示出了图2中提供的由晶体垂直加工工装的左视图;图4示出了图2中提供的由晶体垂直加工工装的仰视图;图5示出了本专利技术本实施例提供晶体垂直加工工装与YAG晶体配合后的一种状态示意图。主要元件符号说明:100-基板;100a-第一表面;100b-第一侧面;200-角度垫条;200a-第二表面;200b-第二侧面;300-YAG晶体。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,包括步骤:/n准备基板及至少一角度垫条;/n将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个所述第一表面相互平行;将所述角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个所述角度垫条的相对的两个所述第二表面相互平行;/n将所述角度垫条安装在所述基板上,其中,所述第二表面与所述第一表面贴合。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,包括步骤:
准备基板及至少一角度垫条;
将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个所述第一表面相互平行;将所述角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个所述角度垫条的相对的两个所述第二表面相互平行;
将所述角度垫条安装在所述基板上,其中,所述第二表面与所述第一表面贴合。


2.根据权利要求1所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理包括步骤:
将所述基板置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出预热后的所述基板冷却至室温,再对其中一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上;
将所述基板再次置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出再次预热后的所述基板冷却至室温,再对另一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使该第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。


3.根据权利要求2所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,相对的两个所述第一表面进行打磨和抛光处理步骤均还包括步骤:
用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板;
对研磨后的所述基板进行清洗;
将清洗后的所述基板再在光学透镜磨抛机上进行抛光处理。


4.根据权利要求3所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板的研磨步骤包括:
用W280碳化硼研磨剂对所述基板进行一次研磨;
清洗一次研磨后的所述基板,用W40碳化硼研磨剂对所述基板进行二次研磨;
清洗二次研磨后的所述基板,用W20碳化硼研磨剂对所述基板进行三次研磨,取下所述基板用平面平晶观察是否达到标准,否则继续研磨。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:路伟伟李德斌赖维明
申请(专利权)人:成都东骏激光股份有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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