一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法技术

本发明专利技术提供了一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法，依次通过人工授粉、果荚预处理、种子无菌播种、种子萌发、原球茎及根状茎增殖，增殖阶段分2步走：(1)从中挑出5～10棵无根苗各自单独进行增殖继代，再经壮苗生根培养，得到分生苗；(2)剩下的继续增殖继代，增殖到一定数量时进行壮苗生根培养，得到分生苗。随后分生苗和实生苗分别进行炼苗移栽，经苗期种植最终形成开花株，通过对比筛选出优良株系形成新品种，并从实生苗开花株中筛选出分生苗开花株中没有的优良单株，再经单株克隆繁殖、种植及开花形成新品种。本发明专利技术的方法显著地提高了杂交兰育种效率，并通过快速育种方法和常规育种方法相结合，形成互补优势。

【技术实现步骤摘要】
一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法
本专利技术属于组织培养快速繁殖
，具体涉及一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法。
技术介绍
当前，大花蕙兰、凤梨等大型年宵花开始进入微利时代，就是因为大花蕙兰植株高大，不利于运输和摆放，且花朵没有香味。而通过大花蕙兰与国兰杂交选育出的杂交兰新品种，不但继承了国兰花朵幽香飘逸，株形小巧和方便运输的优点，又传承了大花蕙兰容易产业化的生产条件，观赏价值高且适合家居摆养，能较长时间地保有“有花观花，无花赏叶”的审美观点，尤其在小盆花正迎来新一轮发展机遇的时代，矮小、多花、有香味、花色丰富等具有优良性状的杂交兰博得众人的喜爱，深受消费者的欢迎。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术所解决的技术问题在于提供了一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法，依次通过人工授粉、果荚预处理、种子无菌播种、种子萌发、原球茎及根状茎增殖、壮苗生根、苗期种植、杂交群体开花和优良单株选择，再经优良单株克隆繁殖、种植及开花形成新品种，形成一套杂交兰常规育种方法。本专利技术也提供了一种杂交兰快速育种方法，即在无菌播种时的原球茎及根状茎增殖阶段，从中挑出5～10棵无根苗各自单独进行增殖继代，再经壮苗生根培养、苗期种植、分生苗群体开花，最终得到优良株系形成新品种。杂交兰常规育种方法需7.0～9.5年，选择的优良单株全面，但育种时间长；快速育种方法则需4.5～6.0年，选择的优良单株不全面，但育种时间短。因此，通过常规育种方法和快速育种方法相结合的方法，形成杂交兰育种优势互补。本专利技术通过以下技术方案来解决上述技术问题：一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法,其特征在于该方法包括以下步骤：(1)人工授粉:选择观赏性好、抗性强的大花蕙兰或杂交兰及国兰为亲本，在开花期选择母本刚开3～5d的花朵，用消毒过的镊子去除唇瓣及合蕊柱上的花粉块，同时取父本新鲜的花粉块置于母本蕊腔内，每个杂交组合授粉3～5朵，以保障成功率和种子量；授粉150～210d后，采收未开裂的成熟果荚进行无菌播种；(2)果荚预处理及种子播种：果荚经流水冲洗后，在超净工作台上用75％酒精擦洗干净，再用0.1％HgCl2溶液灭菌10～15min，无菌水冲洗5～8次，无菌滤纸吸干残余水分后切开果荚，然后将种子播种于萌发培养基上培养；(3)种子萌发：将种子播种于所述萌发培养基上培养，前期暗培养，后期光照强度1000～1500lx，光照时间12h/d，培养温度25～28℃，培养180～360d种子萌发成嫩绿色原球茎及根状茎；(4)原球茎及根状茎增殖继代：当种子萌发成嫩绿色原球茎及根状茎后，原球茎转接到原球茎增殖继代培养基上培养；根状茎转接到以下根状茎增殖继代培养基上培养；当原球茎及根状茎增殖继代到200～300株时进行壮苗生根培养；培养温度25～28℃，光照强度1500～2000lx，光照时间12h/d；同时在原球茎及根状茎增殖阶段挑出5～10棵无根苗进行各自单株增殖继代，当单株增殖继代到200～300株时进行壮苗生根培养；(5)壮苗生根培养：把原球茎及根状茎增殖继代和单株增殖继代形成的幼苗小心切下，转接到壮苗生根培养基上进行壮苗生根培养，培养温度25～28℃，光照强度1500～2000lx，光照时间12h/d；(6)小苗种植：当生根苗株高达5～8cm，叶片2～4片，根2～4条时，将瓶苗从培养室转移到具自然光散射的温室大棚进行炼苗，炼苗时间15～20d即可出瓶移栽；(7)中、大苗种植：小苗生长12个月后，换到口径15～18厘米营养袋或盆器中，采用细石、树皮、花生壳等基质混合种植。温度保持20～30℃，湿度保持60～80％，光照强度20000～30000lx。(8)成熟苗抽梗期：中大苗经12～18个月种植成熟之后，在抽花梗前的1～2个月，提高磷钾肥，促进花芽分化。温度保持20～30℃，湿度保持60～80％，光照强度20000～30000lx。(9)成熟苗开花期：成熟苗经3个月的生殖生长后始花，花期长达1～2个月。温度保持20～30℃，湿度保持60～80％，光照强度20000～30000lx。(10)新品种筛选及形成：从分生苗中筛选出观赏性状好、稳定一致的优良株系形成新品种，并从实生苗开花株中筛选出分生苗开花株中没有的优良单株，再经克隆繁殖、种植后形成新品种。优选地，所述萌发培养基为Hyponex(花宝1号)3.0g/L+6-BA(6-苄氨基腺嘌呤)2.0mg/L+NAA(萘乙酸)0.5mg/L+活性炭2.0g/L+10.0％椰子汁+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH值5.5-5.8。优选地，所述原球茎增殖继代培养基上培养为Hyponex(花宝1号)3.0g/L+6-BA(6-苄氨基腺嘌呤)2.0mg/L+Ad(腺嘌呤)2.0mg/L+活性炭2.0g/L+10.0％椰子汁+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH值5.5-5.8。优选地，所述根状茎增殖继代培养基上培养为Hyponex(花宝1号)3.0g/L+6-BA(6-苄氨基腺嘌呤)2.0mg/L+NAA(萘乙酸)1.0mg/L+活性炭2.0g/L+10.0％椰子汁+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH值5.5-5.8。优选地，所述壮苗生根培养基为Hyponex(花宝1号)3.0g/L+NAA(萘乙酸)0.5mg/L+活性炭2.0g/L+10.0％椰子汁+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH值5.5-5.8。优选地，所述步骤(6)中的移植具体为：取出小苗并清洗根部的培养基，放于0.1％高锰酸钾溶液中浸泡3-5min，捞出后用水苔种植于口径8cm的透明塑料杯盆中；温度保持20～30℃，湿度保持60～80％，光照强度8000～15000lx。相比于现有技术，本专利技术的杂交兰种子无菌播种及其育种方法的有益效果在于：本专利技术的方法依次通过人工授粉、果荚预处理、种子无菌播种、种子萌发、原球茎及根状茎增殖、壮苗生根、苗期种植、杂交群体开花和优良单株选择，再经优良单株克隆繁殖、种植及开花形成新品种，形成一套杂交兰常规育种方法。本专利技术也提供了一种杂交兰快速育种方法，即在无菌播种时的原球茎及根状茎增殖阶段，从中挑出5～10棵无根苗各自单独进行增殖继代，再经壮苗生根培养、苗期种植、分生苗群体开花，最终得到优良株系形成新品种。杂交兰常规育种方法需7.0～9.5年，选择的优良单株全面，但育种时间长；快速育种方法则需4.5～6.0年，选择的优良单株不全面，但育种时间短。因此，通过常规育种方法和快速育种方法相结合的方法，形成杂交兰育种优势互补。具体实施方式有鉴于此，本专利技术具体实施方式中提供的一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法，具体包括以下步骤：(1)人工授粉:选择观赏性好、抗性强的大花蕙兰或杂交兰及国兰为亲本，在开花期选择母本刚开3～5d的花朵，用消毒过的镊子去除唇瓣及合蕊柱上的花粉块，同时取父本新鲜的花粉块置于母本蕊腔内，每个杂交组合授粉3～5朵，以保障成功率和种子量；授粉150～210d后，采收未开裂的成熟果荚进行无菌播种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法,其特征在于该方法包括以下步骤：/n(1)人工授粉:选择观赏性好、抗性强的大花蕙兰或杂交兰及国兰为亲本，在开花期选择母本刚开3～5d的花朵，用消毒过的镊子去除唇瓣及合蕊柱上的花粉块，同时取父本新鲜的花粉块置于母本蕊腔内，每个杂交组合授粉3～5朵，以保障成功率和种子量；授粉150～210d后，采收未开裂的成熟果荚进行无菌播种；/n(2)果荚预处理及种子播种：果荚经流水冲洗后，在超净工作台上用75％酒精擦洗干净，再用0.1％HgCl

【技术特征摘要】
1.一种杂交兰种子无菌播种及其育种方法,其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)人工授粉:选择观赏性好、抗性强的大花蕙兰或杂交兰及国兰为亲本，在开花期选择母本刚开3～5d的花朵，用消毒过的镊子去除唇瓣及合蕊柱上的花粉块，同时取父本新鲜的花粉块置于母本蕊腔内，每个杂交组合授粉3～5朵，以保障成功率和种子量；授粉150～210d后，采收未开裂的成熟果荚进行无菌播种；
(2)果荚预处理及种子播种：果荚经流水冲洗后，在超净工作台上用75％酒精擦洗干净，再用0.1％HgCl2溶液灭菌10～15min，无菌水冲洗5～8次，无菌滤纸吸干残余水分后切开果荚，然后将种子播种于萌发培养基上培养；
(3)种子萌发：将种子播种于所述萌发培养基上培养，前期暗培养，后期光照强度1000～1500lx，光照时间12h/d，培养温度25～28℃，培养180～360d种子萌发成嫩绿色原球茎及根状茎；
(4)原球茎及根状茎增殖继代：当种子萌发成嫩绿色原球茎及根状茎后，原球茎转接到原球茎增殖继代培养基上培养；根状茎转接到以下根状茎增殖继代培养基上培养；当原球茎及根状茎增殖继代到200～300株时进行壮苗生根培养；培养温度25～28℃，光照强度1500～2000lx，光照时间12h/d；同时在原球茎及根状茎增殖阶段挑出5～10棵无根苗进行各自单株增殖继代，当单株增殖继代到200～300株时进行壮苗生根培养；
(5)壮苗生根培养：把原球茎及根状茎增殖继代和单株增殖继代形成的幼苗小心切下，转接到壮苗生根培养基上进行壮苗生根培养，培养温度25～28℃，光照强度1500～2000lx，光照时间12h/d；
(6)小苗种植：当生根苗株高达5～8cm，叶片2～4片，根2～4条时，将瓶苗从培养室转移到具自然光散射的温室大棚进行炼苗，炼苗时间15～20d即可出瓶移栽；
(7)中、大苗种植：小苗生长12个月后，换到口径15～18厘米营养袋或盆器中，采用细石、树皮、花生壳等基质混合种植。温度保持20～30℃，湿度保持60～80％，光照强度20000～30000lx。
(8)成熟苗抽梗期：中大苗经12～18个月种植成熟之后，在抽花梗前的1～2个月，提...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈和明，吕复兵，李佐，肖文芳，
申请(专利权)人：广东省农业科学院环境园艺研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44