一种新型AMOLED显示结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子技术领域，特别涉及一种新型AMOLED显示结构及其制备方法，包括电容区域结构，电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层；通过在电容区域结构的画素定义层上设置一个第一过孔，在第一过孔中填充阴极金属层，在画素定义层设置第一过孔，能够实现阴极方块与阴极走线搭接，使得在一帧时间内，部分时间阴极走线赋值给电源负极(即VSS)电位，实现画面显示，部门时间阴极走线赋值给触控探测信号，实现自容触控感应，进而实现内嵌式触控AMOLED显示技术。

【技术实现步骤摘要】
一种新型AMOLED显示结构及其制备方法
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种新型AMOLED显示结构及其制备方法。
技术介绍
现如今，屏幕不再单纯只为用户传递图片、视频等咨询，科技研发人员不断赋予显示屏新的附加功能，例如内嵌式触控显示技术。在现有液晶显示器的显示技术上，集成触控功能已被广泛应用于中小尺寸面板，而在有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixOrganicLightEmittingDiode，缩写为AMOLED)显示技术上内嵌触控识别功能技术还处于研发阶段。现有AMOLED显示屏一般搭配外挂式触控显示屏，将触控单元设置在AMOLED的显示外部，这样不利于AMOLED显示屏的轻薄化。因此，有必要提供一种新型AMOLED显示结构及其制备方法，能够实现内嵌式触控AMOLED显示技术，进而实现AMOLED显示屏的轻薄化。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种新型AMOLED显示结构及其制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的第一种技术方案为：一种新型AMOLED显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型AMOLED显示结构，其特征在于，包括电容区域结构；/n所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面，所述画素定义层上设有一个第一过孔，所述第一过孔中填充有所述阴极金属层，所述第一过孔中的阴极金属层与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型AMOLED显示结构，其特征在于，包括电容区域结构；
所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面，所述画素定义层上设有一个第一过孔，所述第一过孔中填充有所述阴极金属层，所述第一过孔中的阴极金属层与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触。


2.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，还包括TFT1区域结构，所述TFT1区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT1区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述TFT1区域结构的玻璃层表面，所述TFT1区域结构的第二绝缘层上设有两个第二过孔，所述TFT1区域结构的第二金属层分别填充于两个所述第二过孔中，所述TFT1区域结构的第二金属层与所述TFT1区域结构的半导体层远离所述TFT1区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述TFT1区域结构的画素定义层上设有第三过孔，所述第三过孔中填充有有机发光材料。


3.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，还包括TFT2区域结构，所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT2区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述TFT2区域结构的玻璃层表面；
所述TFT2区域结构的第二绝缘层上设有两个第四过孔，所述TFT2区域结构的第一绝缘层和第二绝缘层分别对应所述TFT2区域结构的第一金属层的位置设有一个子节点过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，苏智昱，黄志杰，阮桑桑，宋爽，陈宇怀，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35