电连接结构、元件基板、像素结构及其制造方法技术

一种电连接结构包括第一导电层、第一型光阻层、第二型光阻层以及第二导电层。第一型光阻层位于第一导电层上且具有第一接触洞。第二型光阻层位于第一型光阻层上且具有第二接触洞，其中第一接触洞及第二接触洞于一垂直投影方向上重叠，且第二型光阻层和第一型光阻层互为异型。第二导电层位于第二型光阻层上，其中第二导电层透过第一接触洞及第二接触洞电性连接第一导电层。

【技术实现步骤摘要】
电连接结构、元件基板、像素结构及其制造方法
本专利技术是关于一种电连接结构、元件基板、像素结构及其制造方法，特别是有关于一种具有第一型光阻层及第二型光阻层的电连接结构、元件基板、像素结构及其制造方法。
技术介绍
常见的显示器包括液晶显示器、电泳显示器、有机电激发光显示器等。有机电激发光显示器具有自发光、低功耗等优点，其各功能膜层可透过真空热蒸镀(vacuumthermalevaporation；VTE)法或是喷墨涂布(inkjetprinting,IJP)法制作于基底上，然而采用热蒸镀法可能会有材料利用率低的问题。喷墨涂布法可以提供较高的材料利用率，然而其难以控制膜层的均匀性。因此，如何提高膜层的均匀性实为目前业界亟欲解决的议题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种电连接结构，透过依序设置互为异型的第一型光阻层及第二型光阻层于绝缘层上，可使第二导电层的表面具有良好的平坦度。本专利技术亦提供一种像素结构及其制造方法，透过依序设置互为异型的第一型光阻层及第二型光阻层于绝缘层上，使发光层具有均匀的厚度。由此当驱动像素结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电连接结构，其特征在于，包含：/n一第一导电层；/n一第一型光阻层，位于该第一导电层上且具有一第一接触洞；/n一第二型光阻层，位于该第一型光阻层上且具有一第二接触洞，其中该第一接触洞及该第二接触洞于一垂直投影方向上重叠，且该第二型光阻层和该第一型光阻层互为异型；以及/n一第二导电层，位于该第二型光阻层上，其中该第二导电层通过该第一接触洞及该第二接触洞电性连接该第一导电层。/n

【技术特征摘要】
20200110 TW 1091009841.一种电连接结构，其特征在于，包含：
一第一导电层；
一第一型光阻层，位于该第一导电层上且具有一第一接触洞；
一第二型光阻层，位于该第一型光阻层上且具有一第二接触洞，其中该第一接触洞及该第二接触洞于一垂直投影方向上重叠，且该第二型光阻层和该第一型光阻层互为异型；以及
一第二导电层，位于该第二型光阻层上，其中该第二导电层通过该第一接触洞及该第二接触洞电性连接该第一导电层。


2.如权利要求1所述的电连接结构，其中该第一型光阻层的材料为负型光阻，且该第二型光阻层的材料为正型光阻。


3.如权利要求1所述的电连接结构，其中该第一接触洞的侧壁与该第一导电层构成一第一倾斜角，且该第一倾斜角为60度至80度。


4.如权利要求1所述的电连接结构，其中该第二接触洞的侧壁与该第一导电层构成一第二倾斜角，且该第二倾斜角为20度至50度。


5.一种像素结构，其特征在于，包含：
一基板；
一主动元件，位于该基板上并包含一漏极；
一第一型光阻层，位于该主动元件上且具有一第一接触洞；
一第二型光阻层，位于该第一型光阻层上且具有一第二接触洞，其中该第一接触洞及该第二接触洞于一垂直投影方向上重叠，且该第二型光阻层和该第一型光阻层互为异型；以及
一第一电极层，位于该第二型光阻层上，其中该第一电极层通过该第一接触洞及该第二接触洞电性连接该漏极。


6.如权利要求5所述的像素结构，其中该第一接触洞的底部的最大宽度为8微米至15微米。


7.如权利要求5所述的像素结构，其中该第二接触洞的底部的最大宽度为4微米至4.5微米。


8.一种元件基板，其特征在于，包含：
一基板；
一主动元件，位于该基板上并包含一漏极；
一第一型光阻层，位于该主动元件上且具有一第一接触洞；
一第二型光阻层，位于该第一型光阻层上且具有一第二接触洞，其中该第一接触洞及该第二接触洞于一垂直投影方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国瑞，翁健森，孙铭伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71