硅光子晶圆的打点标记方法及装置制造方法及图纸

本公开是关于一种硅光子晶圆的打点标记方法及装置。该方法包括：确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。通过本公开实施例利用探针标记方法针对失效芯片的失效模式，对失效芯片进行打点标记，在失效芯片上形成标记失效模式的针痕标记，从而实现通过针痕标记的不同区分出失效芯片不同的失效模式，探针标记操作简单、使用方便，可快速高效的标记出失效芯片的失效模式。

【技术实现步骤摘要】
硅光子晶圆的打点标记方法及装置
本公开涉及半导体制造
，尤其涉及一种硅光子晶圆的打点标记方法及装置。
技术介绍
在硅光子器件形成过程中，一般需要通过晶圆测试对硅光子芯片进行筛选，然后对合格的裸芯片进行封装形成器件或模块。由于制作条件限制，晶圆上的芯片会存在失效芯片的可能。由于芯片失效的原因多种多样，部分失效芯片还可以进行二次利用。因此，为了减少芯片制作的成本，合理利用失效芯片，需要对失效芯片进行分类标记。
技术实现思路
一方面，本公开提供一种硅光子晶圆的打点标记方法。本公开实施例提供的硅光子晶圆的打点标记方法包括：确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。在一些实施例中，所述根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记，包括：根据所述失效芯片的失效模式及对应所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式及所述失效程度的针痕标记。在一些实施例中，所述根据所述失效芯片的失效模式及对应所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式及所述失效程度的针痕标记，包括：根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的第一标记；根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效程度的第二标记。在一些实施例中，不同所述失效模式对应的所述第一标记的针痕数量相同且针痕排列不同；或者，不同所述失效模式对应的所述第一标记的针痕数量相同且针痕的打点位置不同。在一些实施例中，不同所述失效程度对应的所述第二标记的针痕数量不同。在一些实施例中，所述硅光子晶圆的所有芯片上均设置有打点电极阵列，所述针痕标记位于所述打点电极阵列的一个或多个电极上。在一些实施例中，所述打点电极阵列包括：第一电极阵列以及与所述第一电极阵列并列分布的第二电极阵列；其中：所述第一电极阵列和所述第二电极阵列具有相同的电极阵列分布；根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的第一标记，包括：根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述第一电极阵列上的电极进行打点形成所述第一标记；根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效程度的第二标记，包括：根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述第二电极阵列上的电极进行打点形成所述第二标记。在一些实施例中，不同的所述探针的探针长度不同；所述根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述第二电极阵列上的电极进行打点形成所述第二标记包括：根据所述第二标记的打点数量，调整所述探针与所述第二电极阵列之间的打点角度，通过等于所述打点数量的所述探针打点形成所述第二标记。在一些实施例中，一个所述失效模式具有多个失效等级，不同所述失效等级对应了不同所述失效程度，以及不同所述失效模式具有的失效等级的个数相同。在一些实施例中，所述根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记，包括：根据所述硅光子晶圆中失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针孔阵列。另一方面，本公开提供一种硅光子晶圆的打点标记装置。本公开实施例提供的硅光子晶圆的打点标记装置包括：自动定位器，所述自动定位器包括固定机构和定位机构，所述自动定位器通过所述固定机构固定在固定台上，所述定位机构上设置有探针夹具；探针，所述探针固定在所述探针夹具上；控制器，用于根据所述失效芯片的失效模式，生成控制信号；以及驱动器，所述驱动器固定在所述固定台上，并与所述控制器及所述自动定位器的定位机构连接，用于根据所述控制信号驱动所述定位机构移动带动所述探针夹具及所述探针至对失效芯片进行打点的定位点处；在移动到所述定位点处之后，驱动所述探针向下移动在所述失效芯片上形成与所述失效模式对应的针痕标记。在一些实施例中，还包括：晶圆台，所述晶圆台与所述固定台对应设置，所述晶圆台用于放置硅光子晶圆；所述控制器，具体用于确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片，若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式生成所述控制信号。在一些实施例中，所述探针为多个，排列形成探针排固定在所述探针夹具上。在一些实施例中，所述探针排内的多个探针的长度不同；所述自动定位器在多个相互垂直方向上移动，用于调整所述探针的打点角度；其中，打点角度不同，对所述失效芯片进行打点的探针不同。在一些实施例中，所述自动定位器为六轴自动定位器。本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：本公开实施例利用探针标记方法针对失效芯片的失效模式，对失效芯片进行打点标记，在失效芯片上形成标记失效模式的针痕标记，从而可根据针痕标记识别出失效芯片的失效模式，为进一步利用或处理失效芯片提供方便。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据一示例性实施例示出的硅光子晶圆的打点标记方法的流程图。图2是根据一示例性实施例示出的硅光子晶圆结构示意图。图3是根据一示例性实施例示出的芯片上的电极设置示意图。图4是根据一示例性实施例示出的硅光子晶圆上的芯片结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。本公开提供了一种硅光子晶圆的打点标记方法。图1是根据一示例性实施例示出的硅光子晶圆的打点标记方法的流程图。如图1所示，该打点标记方法包括：步骤10、确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；步骤11、若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。图2是根据一示例性实施例示出的硅光子晶圆结构示意图。如图2所示，在本示例性实施例中，硅光子晶圆21上设置有大量的芯片。在失效识别过程中，可通过对硅光子晶圆进行芯片检测来确定失效芯片22以及失效芯片22的失效模式。通过探针23对失效芯片22进行打点形成标记失效模式的针痕标记，不同的失效模式对应不同的针痕标记，从而实现通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，包括：/n确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；/n若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，包括：
确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；
若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。


2.根据权利要求1所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记，包括：
根据所述失效芯片的失效模式及对应所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式及所述失效程度的针痕标记。


3.根据权利要求2所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述根据所述失效芯片的失效模式及对应所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式及所述失效程度的针痕标记，包括：
根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的第一标记；
根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效程度的第二标记。


4.根据权利要求3所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，不同所述失效模式对应的所述第一标记的针痕数量相同且针痕排列不同；
或者，
不同所述失效模式对应的所述第一标记的针痕数量相同且针痕的打点位置不同。


5.根据权利要求4所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，不同所述失效程度对应的所述第二标记的针痕数量不同。


6.根据权利要求3-5中任一项所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述硅光子晶圆的所有芯片上均设置有打点电极阵列，所述针痕标记位于所述打点电极阵列的一个或多个电极上。


7.根据权利要求6所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述打点电极阵列包括：第一电极阵列以及与所述第一电极阵列并列分布的第二电极阵列；其中：
所述第一电极阵列和所述第二电极阵列具有相同的电极阵列分布；
根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的第一标记，包括：
根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述第一电极阵列上的电极进行打点形成所述第一标记；
根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效程度的第二标记，包括：
根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述第二电极阵列上的电极进行打点形成所述第二标记。


8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯朋，肖希，刘敏，吴定益，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42