一种晶圆级芯片封装方法技术

本发明专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及一种晶圆级芯片封装方法，包括：提供待封装晶圆，其第一表面形成有多个芯片焊盘，第二表面覆盖有背金层；形成至少覆盖第一表面以及芯片焊盘表面的第一保护层；形成至少覆盖背金层的背金保护层；开设用以暴露出芯片焊盘的导电通孔；形成覆盖导电通孔的内表面以及芯片焊盘暴露面的金属种子；在金属种子层上方形成焊球，焊球与芯片焊盘电连接，最后去除背金保护层。本发明专利技术通过预先在金属层上形成背金保护层，以使得在开设导电通孔，形成金属种子层，以及在金属种子层上方形成焊球的过程中，避免金属层因刻蚀等工艺而被破坏，降低封装后产品的失败率或者报废率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级芯片封装方法
本专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及一种晶圆级芯片封装方法。
技术介绍
智能电子设备的普及推动着晶圆级芯片封装技术的快速发展。目前，晶圆级芯片封装技术已广泛应用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD驱动器、射频器件、逻辑器件、电源/电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器)等智能芯片封装领域。随着芯片封装技术的发展，封装晶圆的多样化，带有背金层的晶圆的封装被越来越多的客户选择用到，用来实现一些常规晶圆难以实现的功能。但是，目前基于常规晶圆的封装技术来封装带有背金层的晶圆，会破坏掉芯片背面的金属层，导致产品失败或者报废，因此，如何实现带有背金层的晶圆的封装是目前待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是现有技术中的晶圆封装方法容易破坏芯片背面的金属层，导致产品失败或者报废的问题。为解决上述技术问题，本专利技术公开了一种晶圆级芯片封装方法，包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面形成有多个芯片焊盘，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：/n提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面形成有多个芯片焊盘，所述待封装晶圆的第二表面覆盖有背金层，所述第二表面为与所述第一表面相背的面；/n形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述第一表面以及所述芯片焊盘的表面；/n形成背金保护层，所述背金保护层至少覆盖所述背金层；/n开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘；/n形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述导电通孔的内表面以及所述芯片焊盘的暴露面；/n在所述金属种子层上方形成焊球，所述焊球与所述芯片焊盘电连接；/n去除所述背金保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：
提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面形成有多个芯片焊盘，所述待封装晶圆的第二表面覆盖有背金层，所述第二表面为与所述第一表面相背的面；
形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述第一表面以及所述芯片焊盘的表面；
形成背金保护层，所述背金保护层至少覆盖所述背金层；
开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘；
形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述导电通孔的内表面以及所述芯片焊盘的暴露面；
在所述金属种子层上方形成焊球，所述焊球与所述芯片焊盘电连接；
去除所述背金保护层。


2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，
所述第一保护层的材料为二氧化硅或者氮化硅，所述背金保护层的材料为满足第一温度的材料为UV胶带，其中第一温度大于150℃。


3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘包括：
在所述第一保护层上开设导电通孔，所述导电通孔穿过所述第一保护层，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘。


4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘包括：
在所述第一保护层上形成强化保护层，在所述强化保护层上开设导电通孔，所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：方梁洪，任超，彭祎，李春阳，刘凤，梁于壕，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33