【技术实现步骤摘要】
基于忆阻器的2-9线三值译码器电路
本专利技术属于电路设计
，涉及一种三值数字逻辑门电路，具体涉及一种物理可实现的基于忆阻器的2-9线三值译码器电路设计与实现。
技术介绍
1971年，华裔科学家蔡少堂教授首次提出忆阻器的概念，2008年，惠普实验室研究团队成功做出纳米忆阻器件，证实了蔡少堂教授的推断，并且进一步研究发现，忆阻器的非易失型和纳米级尺寸有助于摩尔定律的延续，使得忆阻器能够同时计算和存储。忆阻器的独特特性使其在模拟电路设计、非易失性存储、神经网络、数字逻辑等中具有良好的应用前景，由于晶体管达到物理极限，忆阻器的开关行为的微小尺寸被推广为基于晶体管的存储器的替代器件。传统的数字系统是基于二进制数构建的，其中只考虑逻辑0和1。最近，多值逻辑的概念成为一个共同的研究课题，1840年，英国的ThomasFowler就以平衡三进制的设计，使用木材建造了一台早期的计算机。1958年，苏联莫斯科国立大学由NikolayBrusentsov建造第一台数字电子三进制计算机Setun，它比二进制计算机在未来发展上...
【技术保护点】
1.基于忆阻器的2-9线三值译码器电路，由两个1-3线三值译码器和九个三值与门组成，并利用忆阻器的开关特性和记忆特性实现译码，其特征在于：/n第一个1-3线三值译码器结构为：高位输入端A1与第一NMOS管N1的栅极和第二NMOS管N2的栅极相连接；第一NMOS管N1的漏极与第一忆阻M1的正极、第三NMOS管N3的栅极相连接；第一忆阻M1的负极与电源V
【技术特征摘要】
1.基于忆阻器的2-9线三值译码器电路，由两个1-3线三值译码器和九个三值与门组成，并利用忆阻器的开关特性和记忆特性实现译码，其特征在于：
第一个1-3线三值译码器结构为：高位输入端A1与第一NMOS管N1的栅极和第二NMOS管N2的栅极相连接；第一NMOS管N1的漏极与第一忆阻M1的正极、第三NMOS管N3的栅极相连接；第一忆阻M1的负极与电源VCC相连接，第一NMOS管N1的源极接地；第二NMOS管N2的漏极与第二忆阻M2的正极相连接、第四忆阻M4的正极相连接；第二忆阻M2的负极与电源VCC相连接，第二NMOS管N2的源极接地；第三NMOS管N3的漏极与第三忆阻M3的正极、第五忆阻M5的正极相连接；第三忆阻M3的负极与电源VCC相连接，第三NMOS管N3的源极接地；第四忆阻M4的负极、第五忆阻M5的负极、第四NMOS管N4的栅极、第五NMOS管N5的栅极相连接；第七忆阻M7的负极与电源VCC相连接，第七忆阻M7的正极与第四NMOS管N4的漏极相连接；第四NMOS管N4的源极与第六忆阻M6的负极、第五NMOS管N5的漏极相连接；第六忆阻M6的正极和第五NMOS管N5的源极与接地端相连接；
第二个1-3线三值译码器结构为：低位输入端A0与第六NMOS管N6的栅极和第七NMOS管N7的栅极相连接；第六NMOS管N6的漏极与第八忆阻M8的正极、第八NMOS管N8的栅极相连接；第八忆阻M8的负极与电源VCC相连接，第六NMOS管N6的源极接地；第七NMOS管N7的漏极与第九忆阻M9的正极相连接、第十一忆阻M11的正极相连接；第九忆阻M9的负极与电源VCC相连接，第七NMOS管N7的源极接地；第八NMOS管N8的漏极与第十忆阻M10的正极、第十二忆阻M12的正极相连接；第十忆阻M10的负极与电源VCC相连接，第八NMOS管N8的源极接地；第十一忆阻M11的负极、第十二忆阻M12的负极、第九NMOS管N9的栅极、第十NMOS管N10的栅极相连接；第十四忆阻M14的负极与电源VCC相连接，第十四忆阻M14的正极与第九NMOS管N9的漏极相连接；第九NMOS管N9的源极与第十三忆阻M13的负极、第十NMOS管N10的漏极相连接；第十三忆阻M13的正极和第十NMOS管N10的源极与接地端相连接；
其中，通过两个1-3三值译码器，分别可得到三个输出，即对于高位输入A1对应着输出A1_2、A1_1和A1_0,低位输入A0对应着输出A0_2、A0_1和A0_0；
A1...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓媛，吴志茹，周鹏飞，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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