背面研磨带制造技术

提供具有优异的耐化学药品性及密合性、并且可防止在晶圆上的残胶的背面研磨带。本发明专利技术的背面研磨带具备：基材、和在该基材的一面形成的粘合剂层。该粘合剂层由包含基础聚合物及增粘剂的活性能量射线固化型粘合剂组合物形成。上述增粘剂的重均分子量为300以上、并且羟值为50mgKOH/g～500mgKOH/g，该粘合剂组合物中的该增粘剂的含量相对于基础聚合物100重量份为5重量份以上。本发明专利技术的背面研磨带的该粘合剂层的活性能量射线照射前的粘合力为15N/20mm以上。

【技术实现步骤摘要】
背面研磨带
本专利技术涉及背面研磨带。
技术介绍
对于半导体晶圆，以大直径的状态来制造，在表面形成图案后，对背面进行磨削(背面研磨)，通常将晶圆的厚度减薄至40μm～600μm左右。接着，为了导体晶圆面的调整等而进行湿蚀刻工序并经磨削的半导体晶圆被切断分离(切割)为元件小片后，进而转移至安装工序，得到期望的半导体元件。背面研磨工序中，为了将半导体晶圆固定、另外保护与磨削面为相反侧的面，使用了粘合带(背面研磨带)(例如，专利文献1)。对该粘合带要求具有充分的密合性以使在湿蚀刻工序中蚀刻液不会侵入到不供于蚀刻处理的面(即，贴合粘合带的面)、并且具有对酸性或碱性的蚀刻液的耐性(耐化学药品性)。但是，使用具有密合性高的粘合剂层的背面研磨带的情况下，有产生由残胶导致的晶圆的污染的问题。另外，近年来，正在进行使用各层的大小不同的层叠体的半导体晶圆的加工。使用这样的层叠体的情况下，粘合剂在各层的高度差部分产生残胶，会产生晶圆的端部上的胶污染的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-151163号公报...

【技术保护点】
1.一种背面研磨带，其具备：基材、和在该基材的一面形成的粘合剂层，/n该粘合剂层由包含基础聚合物及增粘剂的活性能量射线固化型粘合剂组合物形成，/n该增粘剂的重均分子量为300以上、并且羟值为50mgKOH/g～500mgK OH/g，/n该粘合剂组合物中的该增粘剂的含量相对于基础聚合物100重量份为5重量份以上，/n该粘合剂层的活性能量射线照射前的粘合力为15N/20mm以上。/n

【技术特征摘要】
20190329 JP 2019-0656471.一种背面研磨带，其具备：基材、和在该基材的一面形成的粘合剂层，
该粘合剂层由包含基础聚合物及增粘剂的活性能量射线固化型粘合剂组合物形成，
该增粘剂的重均分子量为300以上、并且羟值为50mgKOH/g～500mgKOH/g，
该粘合剂组合物中的该增粘剂的含量相对于基础聚合物100重量份为5重量份以上，
该粘合剂层的活性能量射线照射前...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野广希，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP