一种保护电路、连接器及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种保护电路、连接器及电子设备，保护电路在小型板对板连接器的紧邻高压引脚和低耐压引脚之间串联场效应管，场效应管的源极和栅极之间设有上拉电阻。基于本实用新型专利技术提供的保护电路，在组装、测试、调试等场景下扣合板对板连接器尤其是小型板对板连接器时，即使出现异常触碰导致板对板连接器相邻引脚的高低电位短接情况，也可以有效阻止高电位传递到低耐压器件，保护低耐压器件不受高压破坏，因此能够在手机、平板、笔电等小型化、紧密化的高低电压引脚紧邻布局的场景中广泛使用，提高产品的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种保护电路、连接器及电子设备
本技术涉及电路领域，尤其涉及一种保护电路、连接器及电子设备。
技术介绍
当前，随着表面贴片技术的推广普及，表面贴装连接器的应用也越来越广泛，各种类型的印制电路板(简称为PCB)都随之有相应的表面贴装连接器出现。从穿孔式焊接工艺到表面贴片焊接工艺，使得连接器的端子排列间距可以从1.27mm减小到1.0mm，并逐渐减小到0.8mm和0.5mm，而且应用表面贴片工艺允许在PCB的双面都焊接电子元器件，大大增加了PCB上的元器件密度。同时使用连接器的各类消费类电子产品都已经集小型化、薄型化和高性能化于一身，这便促使了相应的连接器向短小化和连接部件向窄片化发展，因此各大公司都开始批量生产用于连接器两块PCB、使之实现机械上和电气上连接的板对板(BoardtoBoard，简称为BTB)连接器产品，这种BTB连接器一般具有间距小，薄壁等特性。BTB连接器的小型化、紧密化有利于空间布局，从而提高PCB的集成度。然而受到一些因素制约，在BTB引脚布局中不可避免的会出现将高电位信号引脚和低电位信号引脚紧邻布局，导致在组装等操作过程中BTB相邻脚位的意外触碰短路，而当其中相邻两引脚电位差相差较大，就会导致高电位将电信号直接传递到低电位引脚连接的器件中，引起低电位器件短路、损坏、功能丢失等风险。鉴于此，实有必要提供一种保护电路以克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种保护电路、连接器及电子设备，保护与BTB连接器相连的低耐压应用器件的使用安全。为了实现上述目的，本技术提供一种保护电路，在板对板连接器的紧邻高压引脚和低耐压引脚之间串联场效应管，所述场效应管的源极和栅极之间设有上拉电阻。在一个优选实施方式中，所述场效应管为N沟道场效应管，所述N沟道场效应管的栅极连接电压控制信号，所述N沟道场效应管的源极连接板对板连接器的低耐压引脚，所述N沟道场效应管的漏极连接板对板连接器的紧邻高压引脚。在一个优选实施方式中所述N沟道场效应管的源极和漏极之间连接体二极管，所述体二极管正极连接N沟道场效应管的源极，所述体二极管负极连接N沟道场效应管的漏极。在一个优选实施方式中，所述N沟道场效应管的源极和低耐压引脚之间设置测试电阻。在一个优选实施方式中，所述紧邻高压引脚用于连接高电压信号，所述高电压信号包括电池电压信号和背光电压信号。在一个优选实施方式中，当所述高电压信号为脉冲宽度调制信号(简称为PWM信号)时，所述场效应管为高速开关场效应管。本技术的第二方面提供了一种连接器，所述连接器包括以上所述的保护电路。本技术的第三方面提供了一种电子设备，所述电子设备包括以上所述的连接器。基于本技术提供的保护电路，在组装、测试、调试等场景下扣合BTB时候，即使出现异常触碰导致BTB相邻引脚的高低电位短接情况，也可以有效阻止高电位传递到低耐压器件，保护低耐压器件不受高压破坏，在手机、平板、笔电等小型化、紧密化的BTB高低电压引脚紧邻布局的场景中广泛使用，提高产品的竞争力。为使技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本技术较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例提供的保护电路的连接示意图；图2为本技术另一实施例提供的连接器的结构示意图；图3为本技术另一实施例提供的电子设备的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本技术进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本技术，并不是为了限定本技术。图1为本技术实施例提供的保护电路的连接示意图，如图1所示，在BTB连接器的紧邻高压引脚和低耐压引脚之间串联了一个场效应管Q1，所述场效应管Q1的源极和栅极之间设有上拉电阻R1_k，上拉电阻R1_k可以起到电压箝位和限流的作用。所述紧邻高压引脚是指相邻两个引脚中用于连接高电压的引脚，该高电压可以是电池电压、背光电压等等，而低耐压引脚是指与紧邻高压引脚相邻且用于传导低电压信号至低耐压器件的引脚，比如SOC信号等等。在正常工作时候，连接BTB端的信号会有效的传递到低耐压器件端，且状态保持一致，保证正常的通信功能。而当异常触碰导致BTB相邻引脚的高低电位短接时，所串联的场效应管会有效隔离高压直接传递到低耐压器件端，从而有效保护较低耐压器件不受损坏，在手机、平板、笔电等小型化、紧密化的BTB高低电压引脚紧邻布局的场景中广泛使用，提高产品的竞争力。在一个优选实施方式中，所述场效应管为N沟道场效应管(简称为NMOS管)，如图1所示，所述N沟道场效应管Q1的栅极连接电压控制信号，源极通过测试电阻R2_0连接BTB的低耐压引脚，漏极连接BTB的紧邻高压引脚，在N沟道场效应管Q1的源极和漏极之间连接体二极管，所述体二极管正极连接N沟道场效应管Q1的源极，负极连接N沟道场效应管Q1的漏极。具体使用过程中，所述N沟道场效应管Q1的VDS要满足大于高压电平的最大值，确保NMOS管安全工作，而且N沟道场效应管Q1的VGS要满足耐压要求且能够开启NMOS导通条件，用于实现信号传递。在正常工作时候，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接，因此连接BTB端的信号会有效的传递到低耐压器件端，且状态保持一致，保证正常的通信功能；而当异常触碰导致BTB相邻引脚的高低电位短接时，此时源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，从而可以防止高压短路信号通过NMOS管的体二极管传递到低耐压器件，从而有效保护较低耐压器件不受损坏。优选实施例中，当紧邻高压信号为普通的高低判断电平信号时，可以选择开关速率一般的NMOS管，而当紧邻高压信号为PWM传输信号，比如SMBUS、I2C信号等，NMOS管需要选择高速开关NMOS管，比如开关频率在50-100K的NMOS管。以上实施例以NMOS管为例对BTB紧邻高压信号防短路电路进行了详细说明，实际应用过程中还可以将NMOS管替换为PMOS管，此时只需根据PMOS管和NMOS管的特性区别对上述防短路电路进行简单修改，上述修改本
技术人员根据常规手段即可完成，在此不进行详细说明，但是均在本技术的保护范围以内。图2为另一实施例提供的连接器的结构示意图，如图2所示，所述连接器包括以上所述的保护电路。因连接器的其他元件和连接结构在现有文件中均有记载，在此不进行详细说明。图3为本技术另一实施例提供的电子设备的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护电路，其特征在于，在板对板连接器的紧邻高压引脚和低耐压引脚之间串联场效应管，所述场效应管的源极和栅极之间设有上拉电阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，在板对板连接器的紧邻高压引脚和低耐压引脚之间串联场效应管，所述场效应管的源极和栅极之间设有上拉电阻。


2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述场效应管为N沟道场效应管，所述N沟道场效应管的栅极连接电压控制信号，所述N沟道场效应管的源极连接板对板连接器的低耐压引脚，所述N沟道场效应管的漏极连接板对板连接器的紧邻高压引脚。


3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述N沟道场效应管的源极和漏极之间连接体二极管，所述体二极管正极连接N沟道场效应管的源极，所述体二极管负极连接N沟道场效应管的漏极。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李进，
申请(专利权)人：上海闻泰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31