一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，包括：电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块，所述电源模块与极性判断电路模块连接，所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接将电子两线式磁性开关的有极性与无极性进行了有效的结合，通过内部的识别电路可以有效的实现对外部电源进行识别判断后，进行有极性与无极性模式的切换，从而进行适应不同的工作环境，实现同一电子两线式磁性开关两种环境的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路
本技术涉及电路控制领域，尤其是涉及一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路。
技术介绍
目前的电子两线式磁性开关中，大多分为有极性与无极性两种，虽然两种形式所产生的效果都是大致相同的，但是两种需要的环境需求都是不一样的，这样就造成了在极性电源的环境下无法使用无极性电子两线式磁性开关，而在无极性电源的环境下无法使用有极性电子两线式磁性开关，否则就会造成电子两线式磁性开关的损坏甚至发生爆炸等危险。
技术实现思路
本技术为克服上述情况不足，旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，包括：电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块，所述电源模块与极性判断电路模块连接，所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接。作为本技术进一步的方案：所述电源模块包括：MOS管MN9，所述MOS管MN9的漏极与稳定电压VDD连接，所述MOS管MN9的漏极分别与电阻R7与电阻R8的一端连接，所述电阻R7的另一端与MOS管MN9的栅极连接，所述MOS管MN9的栅极还与二极管Z5的负极脚连接，所述二极管Z5的正极脚接地，所述电阻R8的另一端与二极管Z6的负极脚连接，所述二极管Z6的正极脚接地，所述二极管Z6的正极脚还与比较器CP1源极的负极输入端连接，所述比较器CP1源极的正极输入端还与MOS管MN9的源极连接，所述比较器CP1源极的输出端输出复位信号POR,所述MOS管MN9的源极与参考电压VREG连接。作为本技术进一步的方案：所述极性判断电路模块包括：MOS管MN5，所述MOS管MN5的栅极与电源模块中的MOS管MN9的源极连接，所述MOS管MN5的栅极还与电容C源极连接，所电容C源极与电阻R5的一端、MOS管MN7的源极分别进行连接，所述电阻R5的另一端与MOS管MN7的栅极连接，所述电阻R5上并联有二极管Z3，二极管Z3的负极脚与MOS管MN7的栅极连接，所述MOS管MN7的栅极与MOS管MN5的源极连接，所述MOS管MN5的漏极与电压VIN2连接，所述MOS管MN5的漏极还与电容C2一端连接，所述电容C2的另一端与MOS管MN6的漏极连接，所述MOS管MN6的漏极还与电压VIN1连接，所述MOS管MN6的栅极与MOS管MN5的源极连接，所述MOS管MN6的源极与MOS管MN7的漏极连接，所述MOS管MN6的源极还与电阻R6一端连接，电阻R6的另一端还与MOS管MN8的源极连接，所述电阻R6上还并联有二极管Z4，所述二极管Z4的负极与MOS管MN8的栅极连接，所述MOS管MN8的源极与MOS管MN7的源极相互连接，所述MOS管MN5的源极还与MOS管MN8的漏极连接，所述MOS管MN8的源极接地；所述MOS管MN6的源极还与逻辑缓冲器B1的输入端连接。作为本技术进一步的方案：所述极性识别桥驱动电源模块包括：二输入与门Y1、二输入与门Y2、非门N1，所述非门N1的输入端与逻辑缓冲器B1的输出端连接，所述非门N1的输出端与二输入与门Y2的其中一个输入端连接，所述二输入与门Y2的另一个输入端接入复位信号POR，所述二输入与门Y2的输出端输出GN1输出信号且二输入与门Y2的输出端与MOS管MN5的栅极连接，所述MOS管MN5的漏极与功率管MP2的栅极连接，所述功率管MP2的源极连接电压VIN2，所述功率管MP2的漏极连接电压VDD，所述功率管MP2的漏极与栅极之间还设置有并联设置的电阻R2与二极管Z2，二极管Z2的负极脚与功率管MP2的漏极连接，所述MOS管MN4的源极与电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与电阻R3的一端连接，所述电阻R4的另一端还接地，所述电阻R3的另一端与MOS管MN3的源极连接；所述二输入与门Y1其中一个输入端与逻辑缓冲器B1的输出端连接，二输入与门Y1的另一个输入端逻辑缓冲器B1的输出端连接，所述二输入与门Y1的输出端输出GN2输出信号且二输入与门Y1的输出端与MOS管MN3的栅极连接，所述MOS管MN3的栅极还与功率管MN2的栅极连接，所述功率管MN2的源极连接电压VIN2，所述功率管MN2的漏极接地，所述MOS管MN3的源极与功率管MP1的栅极连接，功率管MP1的源极与电压VIN1连接，所述功率管MP1漏极与栅极之间还设置有并联设置的电阻R1与二极管Z1，二极管Z1的负极脚与功率管MP1的漏极连接；所述二输入与门Y2的输出端还与功率管MN1的栅极，所述功率管MN1的源极接地，所述功率管MN1的漏极连接电压VIN1。与现有技术相比，本技术的有益效果是：将电子两线式磁性开关的有极性与无极性进行了有效的结合，通过内部的识别电路可以有效的实现对外部电源进行识别判断后，进行有极性与无极性模式的切换，从而进行适应不同的工作环境，实现同一电子两线式磁性开关两种环境的使用。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术中模块连接示意图。图2是本技术中电路结构示意图。图3是本技术工作示意图。具体实施方式下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1～3，本技术实施例中，一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，包括：电源模块1、极性判断电路模块2、极性识别桥驱动电源模块3，所述电源模块1与极性判断电路模块2连接，所述极性判断电路模块2与极性识别桥驱动电路模块3连接。所述电源模块1包括：MOS管MN9，所述MOS管MN9的漏极与稳定电压VDD连接，所述MOS管MN9的漏极分别与电阻R7与电阻R8的一端连接，所述电阻R7的另一端与MOS管MN9的栅极连接，所述MOS管MN9的栅极还与二极管Z5的负极脚连接，所述二极管Z5的正极脚接地，所述电阻R8的另一端与二极管Z6的负极脚连接，所述二极管Z6的正极脚接地，所述二极管Z6的正极脚还与比较器CP1源极的负极输入端连接，所述比较器CP1源极的正极输入端还与MOS管MN9的源极连接，所述比较器CP1源极的输出端输出复位信号POR,所述MOS管MN9的源极与参考电压VREG连接；比较器CP1防止电源缓慢上升造成误操作，上电及产生的内部低压电源，用于提供内部低压电源，VREG是电源模块的输出电容，保证内部低压电源的稳定性及瞬态特性。所述极性判断电路模块2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，其特征在于，包括：电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块，所述电源模块与极性判断电路模块连接，所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，其特征在于，包括：电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块，所述电源模块与极性判断电路模块连接，所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接。


2.根据权利要求1所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，其特征在于，所述电源模块包括：MOS管MN9，所述MOS管MN9的漏极与稳定电压VDD连接，所述MOS管MN9的漏极分别与电阻R7与电阻R8的一端连接，所述电阻R7的另一端与MOS管MN9的栅极连接，所述MOS管MN9的栅极还与二极管Z5的负极脚连接，所述二极管Z5的正极脚接地，所述电阻R8的另一端与二极管Z6的负极脚连接，所述二极管Z6的正极脚接地，所述二极管Z6的正极脚还与比较器CP1源极的负极输入端连接，所述比较器CP1源极的正极输入端还与MOS管MN9的源极连接，所述比较器CP1源极的输出端输出复位信号POR,所述MOS管MN9的源极与参考电压VREG连接。


3.根据权利要求2所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路，其特征在于，所述极性判断电路模块包括：MOS管MN5，所述MOS管MN5的栅极与电源模块中的MOS管MN9的源极连接，所述MOS管MN5的栅极还与电容C源极连接，所电容C源极与电阻R5的一端、MOS管MN7的源极分别进行连接，所述电阻R5的另一端与MOS管MN7的栅极连接，所述电阻R5上并联有二极管Z3，二极管Z3的负极脚与MOS管MN7的栅极连接，所述MOS管MN7的栅极与MOS管MN5的源极连接，所述MOS管MN5的漏极与电压VIN2连接，所述MOS管MN5的漏极还与电容C2一端连接，所述电容C2的另一端与MOS管MN6的漏极连接，所述MOS管MN6的漏极还与电压VIN1连接，所述MOS管MN6的栅极与MOS管MN5的源极连接，所述MOS管MN6的源极与MOS管MN7的漏极连接，所述MOS管MN6的源极还与电阻R6一端连接，电阻R6的另一端还与MOS管MN8的源极连接，所述电阻R6上还并联有二极管Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄超，李丽，
申请(专利权)人：东莞市艾奇诺传感器科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44