【技术实现步骤摘要】
一种应用于电机的6串锂电池保护电路
本申请属于电池
,特别涉及锂电池的保护,具体涉及一种应用于电机的6串锂电池保护电路。
技术介绍
锂电池是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。由于锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高,所以,锂电池长期没有得到应用。近年来,PDA、数字相机、手机、便携式音频设备和蓝牙设备等越来越多的产品采用锂电池作为主要电源,现在锂电池已经成为了主流。由于利电子电池能量密度高,必须考虑充电、放电时的安全性,以防止特性劣化。在锂电池的日常充电、放电过程中,容易出现过充和过放的情况。多次过充和过放会对锂电池造成永久性的损坏,缩短锂电池的使用寿命,当锂电池损坏之后仍继续使用,容易导致锂电池发生爆炸,甚至危及使用者的生命安全。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:解决现有技术中的问题,提供一种应用于电机的锂电池保护电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:本技术提供了一种应用于电机的6串锂电池保护电路,包括供电模块、主控制器U1、6节锂电池保护IC芯片U2、以及充电MOS开关电路、放电MOS开关电路;所述充电MOS开关电路串联连接在锂电池的充电回路中,所述放电MOS开关电路串联连接在锂电池的放电回路中;所述6节锂电池保护IC芯片U2的电压检测端口连接锂电池组,所述6节锂电池保护IC芯片U2的充电保护引脚CO和放电保护引脚DO连接主控制器U1的信号输入端,所述主控制器U1的控制信号输出 ...
【技术保护点】
1.一种应用于电机的6串锂电池保护电路,其特征在于:包括供电模块、主控制器U1、6节锂电池保护IC芯片U2、以及充电MOS开关电路、放电MOS开关电路;/n所述充电MOS开关电路串联连接在锂电池的充电回路中,所述放电MOS开关电路串联连接在锂电池的放电回路中;/n所述6节锂电池保护IC芯片U2的电压检测端口连接锂电池组,所述6节锂电池保护IC芯片U2的充电保护引脚CO和放电保护引脚DO连接主控制器U1的信号输入端,所述主控制器U1的控制信号输出端连接充电MOS开关电路和放电MOS开关电路的控制端;/n所述供电模块包括三端稳压器U4、带反并联二极管的P沟道MOS管Q1,第一供电触发电路以及第二供电触发电路,所述三端稳压器U4的输出端输出5V器件工作电压;所述P沟道MOS管Q1的源极接电机接入口的正极端M+,所述P沟道MOS管Q1的漏极以及外部供电电源VCC均通过正向连接的二极管D1接入三端稳压器U4的输入端;/n所述第一供电触发电路包括NPN三极管Q2,所述P沟道MOS管Q1的栅极连接NPN三极管Q2的集电极,所述NPN三极管Q2的基级连接主控制器U1的驱动控制信号输出端,所述NPN三极 ...
【技术特征摘要】
1.一种应用于电机的6串锂电池保护电路,其特征在于:包括供电模块、主控制器U1、6节锂电池保护IC芯片U2、以及充电MOS开关电路、放电MOS开关电路;
所述充电MOS开关电路串联连接在锂电池的充电回路中,所述放电MOS开关电路串联连接在锂电池的放电回路中;
所述6节锂电池保护IC芯片U2的电压检测端口连接锂电池组,所述6节锂电池保护IC芯片U2的充电保护引脚CO和放电保护引脚DO连接主控制器U1的信号输入端,所述主控制器U1的控制信号输出端连接充电MOS开关电路和放电MOS开关电路的控制端;
所述供电模块包括三端稳压器U4、带反并联二极管的P沟道MOS管Q1,第一供电触发电路以及第二供电触发电路,所述三端稳压器U4的输出端输出5V器件工作电压;所述P沟道MOS管Q1的源极接电机接入口的正极端M+,所述P沟道MOS管Q1的漏极以及外部供电电源VCC均通过正向连接的二极管D1接入三端稳压器U4的输入端;
所述第一供电触发电路包括NPN三极管Q2,所述P沟道MOS管Q1的栅极连接NPN三极管Q2的集电极,所述NPN三极管Q2的基级连接主控制器U1的驱动控制信号输出端,所述NPN三极管Q2的发射极接地;
所述第二供电触发电路包括电阻R14和二极管D2,所述电阻R14一端连接Q1的栅极,所述电阻R14的另一端通过正向连接的二极管D2与充电接入口的负极端CH-连接。
2.根据权利要求1所述的6串锂电池保护电路,其特征在于,所述充电MOS开关电路包括带反并联二极管的第一N沟道MOS管Q5、PNP三极管Q7、电阻R39,所述PNP三极管Q7的发射极通过串联电阻R39连接主控制器U1的过充控制信号输出端,所述PNP三极管Q7的基级接地,所述PNP三极管Q7的集电极与第一N沟道MOS管Q5的栅极连接,所述第一N沟道MOS管Q5的源极连接充电端口的负极端,所述第一N沟道MOS管Q5的漏极与锂电池接入口的负极端连接。
3.根据权利要求1所述的6串锂电池保护电路,其特征在于,所述放电MOS开关电路包括带反并联二极管的第二N沟道MOS管QM1,所述第二N沟道MOS管QM1的栅极连接主控制器U1的过放控制信号输出端,所述第二N沟道MOS管QM1的漏极与负载接入口的负极端连接,所述第二N沟道M...
【专利技术属性】
技术研发人员:严盼盼,李杰栋,张强根,田凯,滕跃,刘滕航,
申请(专利权)人:苏州杰跃飞电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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