本发明专利技术涉及真空镀膜设备领域，具体涉及一种用于等离子体传送的传输通道装置，包括通道本体，通道本体内形成供等离子体通过的A通道，A通道的两端分别构成A入口和A出口，通道本体上或其旁侧设置有对通道本体进行冷却的冷却单元，和/或，通道本体的内壁上设置有用于吸附等离子体中杂质组分的吸附单元。本发明专利技术通过在通道本体上或其旁侧设置冷却单元，对通道本体进行冷却，从而能够实现对通道本体进行散热降温的目的；通过在通道本体的内壁上设置吸附单元，实现对等离子体中杂质组分的吸附，从而提高效果。本发明专利技术还提供了应用上述的传输通道装置的镀膜设备，能够保证传输通道装置持续发挥稳定的过滤效果和提高镀膜质量。
【技术实现步骤摘要】
用于等离子体传送的传输通道装置及镀膜设备
本专利技术涉及真空镀膜设备领域，具体涉及一种用于等离子体传送的传输通道装置及镀膜设备。
技术介绍
真空镀膜是将靶材产生的等离子体沉积到被处理产品上。等离子体中通常包含10%～15%左右的带电离子、电子，剩余的是中性粒子、微观颗粒等；带电离子能量较强，可以通过磁场控制，提高离子能力或者改变方向，对于提高膜层结合力、均匀性、减少膜层颗粒、改善表面性能、提高产品寿命有较大帮助；而中性粒子无法被控制，无法提高能量或者改变方向，对于改善表面性能、提高产品寿命帮助较小。等离子体中的所有粒子、离子、颗粒、杂质都将沉积到被处理产品的表面上，造成膜层颗粒较多、颗粒较大、结合力不高、有缺陷、均匀性不好控制等问题。通过设置离子传输通道能过滤掉中性粒子和微观颗粒，只允许带电离子和电子通过，从而提高膜层性能。但传统离子通道装置还存在诸多缺陷，如，传输通道在对中性粒子和微观颗粒过滤的过程中，会引起传输通道的升温，进而影响镀膜效果；另外，沉积到传输通道内的中性粒子和微观颗粒不便于清理，随着沉积的中性粒子和微观颗粒的增多，会使得传输通道变小，影响带电离子的传输畅通性。因此，有必要进一步对其进行改善。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于等离子体传送的传输通道装置及镀膜设备，其能够对通道本体进行冷却和/或吸附等离子体中的杂质组分。本专利技术采取的技术方案具体如下。一种用于等离子体传送的传输通道装置，包括通道本体，通道本体内形成供等离子体通过的A通道，A通道的两端分别构成A入口和A出口，通道本体上或其旁侧设置有对通道本体进行冷却的冷却单元，和/或，通道本体的内壁上设置有用于吸附等离子体中杂质组分的吸附单元。优选地，冷却单元为通道本体外侧设置的风冷装置构成。优选地，冷却单元为通道本体上设置的冷却腔道构成，冷却腔道内容纳有冷却流体。优选地，冷却腔道设置在通道本体的外侧壁上。优选地，冷却腔道为通道本体上设置的夹层构成，冷却腔道上设置冷却流体入口和冷却流体出口。优选地，冷却腔道为通道本体上设置的螺旋管构成，螺旋管的一端为冷却流体入口，螺旋管的另一端为冷却流体出口。优选地，吸附单元沿着通道本体的长度范围设置。优选地，吸附单元包括通道本体内壁上设置的板件或板块构成构成。优选地，吸附单元为通道本体内壁上设置的环形板件构成，环形板件的中心线和通道本体的中心线相一致，环形板件沿着通道本体的长度方向间隔设置。优选地，环形板件呈锥罩状，环形板件的内环边部与A入口的间距小于外环边部与A入口之间的间距。优选地，通道本体的两端设置有法兰连接件。优选地，通道本体的旁侧设置有磁场装置，磁场装置施加的磁场强度0.01T～0.98T。优选地，吸附单元和通道本体可拆卸式连接。优选地，通道本体为不锈钢、无氧铜、铜合金、铝合金。优选地，螺旋管的截面为圆形、矩形、半圆形中一者。优选地，通道本体为弯管或折管构成。优选地，A通道为变径腔道。优选地，A入口和A出口的流向夹角为30°、90°、180°、270°中的一者。优选地，通道本体包括位于两端的直管状的A通道本体段和B通道本体段，A、B通道本体段之间通过弧状的C通道本体段相连接。优选地，A、B通道本体段的截面尺寸相同，C通道本体段的截面尺寸与A通道本体段的截面尺寸相异。优选地，A、B通道本体段的长度相异。优选地，形成冷却腔道的夹层之间的间距为1mm～10mm。一种镀膜设备，包括上述的用于等离子体传送的传输通道装置，所述的镀膜设备为磁控溅射、真空电弧、化学气相沉积和纯离子真空镀膜设备中一者或任意组合。本专利技术取得的技术效果为：本专利技术提供的用于等离子体传送的传输通道装置，在通道本体内形成A通道，通过A通道一端的A入口输入等离子体，并由另一端的A出口输出等离子体，在此过程中，通过在通道本体上或其旁侧设置冷却单元，对通道本体进行冷却，从而能够实现对通道本体进行散热降温的目的；通过在通道本体的内壁上设置吸附单元，实现对等离子体中杂质组分的吸附，从而提高效果。另，本专利技术提供的镀膜设备，通过应用上述的用于等离子体传送的传输通道装置，不仅能够提高过滤等离子体中的杂质的效果，还能在工作过程中对通道本体进行冷却控温，以保证传输通道装置持续发挥稳定的过滤效果，从而有利于提高镀膜质量。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照附图，对本专利技术作进一步详细的说明。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本申请实施例提供的用于等离子体传送的传输通道装置分别与阳极装置、真空腔室、扫描装置装配连接的装配示意图，其中A通道的A入口和A出口的流向夹角为30°；图2为本申请实施例提供的环形板件的结构示意图；图3为本申请另一实施例提供的用于等离子体传送的传输通道装置分别与阳极装置、真空腔室、扫描装置装配连接的装配示意图，其中A通道的A入口和A出口的流向夹角为90°；图4为本申请又一实施例提供的用于等离子体传送的传输通道装置分别与阳极装置、真空腔室、扫描装置装配连接的装配示意图，其中A通道的A入口和A出口的流向夹角为180°；图5为本申请又一实施例提供的用于等离子体传送的传输通道装置分别与阳极装置、真空腔室、扫描装置装配连接的装配示意图，其中A通道的A入口和A出口的流向夹角为270°；图6为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1＞L2、螺旋管截面形状为圆形的通道本体的结构示意图；图7为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1＞L2、螺旋管截面形状为矩形的通道本体的结构示意图；图8为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1＞L2、螺旋管截面形状为椭圆形的通道本体的结构示意图；图9为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1＞L2、冷却腔道为夹层结构的通道本体的结构示意图；图10为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1＞L2、冷却单元为风冷装置的通道本体的结构示意图；图11为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1=L2、螺旋管截面形状为圆形的通道本体的结构示意图；图12为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为90°、L1＜L2、螺旋管截面形状为圆形的通道本体的结构示意图；图13为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为30°、L1＞L2、螺旋管截面形状为圆形的通道本体的结构示意图；图14为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为180°、L1＞L2、螺旋管截面形状为圆形的通道本体的结构示意图；图15为本申请实施例提供的A入口和A出口的流向夹角为270°本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，包括通道本体，通道本体内形成供等离子体通过的A通道，A通道的两端分别构成A入口和A出口，通道本体上或其旁侧设置有对通道本体进行冷却的冷却单元，和/或，通道本体的内壁上设置有用于吸附等离子体中杂质组分的吸附单元。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，包括通道本体，通道本体内形成供等离子体通过的A通道，A通道的两端分别构成A入口和A出口，通道本体上或其旁侧设置有对通道本体进行冷却的冷却单元，和/或，通道本体的内壁上设置有用于吸附等离子体中杂质组分的吸附单元。
2.根据权利要求1所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，冷却单元为通道本体外侧设置的风冷装置构成。
3.根据权利要求1所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，冷却单元为通道本体上设置的冷却腔道构成，冷却腔道内容纳有冷却流体。
4.根据权利要求3所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，冷却腔道设置在通道本体的外侧壁上。
5.根据权利要求4所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，冷却腔道为通道本体上设置的夹层构成，冷却腔道上设置冷却流体入口和冷却流体出口。
6.根据权利要求4所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，冷却腔道为通道本体上设置的螺旋管构成，螺旋管的一端为冷却流体入口，螺旋管的另一端为冷却流体出口。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，吸附单元沿着通道本体的长度范围设置。
8.根据权利要求1至6任意一项所述的用于等离子体传送的传输通道装置，其特征在于，吸附单元包括通道本体内壁上设置的板件或板块构成构成。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张心凤，
申请(专利权)人：安徽纯源镀膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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