功率放大电路制造技术

本发明专利技术提供一种谋求输出功率和功率附加效率的协调的功率放大电路。本发明专利技术包含：第一晶体管，发射极与基准电位电连接，在基极被输入第一偏置电流或电压，并且被输入高频输入信号，集电极与第一电源电位电连接；电容器，一端与第一晶体管的集电极电连接；以及第二晶体管，发射极与电容器的另一端电连接，并且与基准电位电连接，在基极被输入第二偏置电流或电压，集电极与第一电源电位电连接，从集电极输出将高频输入信号放大了的高频输出信号。第二偏置电路包含：第三晶体管，集电极与第二电源电位电连接，在基极被输入第三偏置电流或电压，从发射极输出第二偏置电流或电压。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路
本专利技术涉及功率放大电路。
技术介绍
在功率放大电路中，通过提高电源电压，从而能够使输出功率增大。然而，为了提高电源电压，需要升压电路。因此，最好是在不提高电源电压的情况下使输出功率增大。在下述的专利文献1记载了在不提高电源电压的情况下使输出功率增大的功率放大电路。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2018-85689号公报在功率放大器中，若输出阻抗下降，则具有输出功率上升的优点和功率附加效率下降的缺点。此外，若输出阻抗上升，则具有功率附加效率上升的优点和输出功率下降的缺点。因此，在功率放大器中，输出阻抗是重要的事项。最好是能够谋求输出功率和功率附加效率的协调的输出阻抗。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，谋求输出功率和功率附加效率的协调。用于解决课题的技术方案本专利技术的一个方面的功率放大电路包含：第一偏置电路，输出第一偏置电流或电压；第二偏置电路，输出第二偏置电流或电压；第一晶体管，发射极与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，包含：/n第一偏置电路，输出第一偏置电流或电压；/n第二偏置电路，输出第二偏置电流或电压；/n第一晶体管，发射极与基准电位电连接，在基极经由第一电阻被输入所述第一偏置电流或电压，并且经由第一电容器被输入高频输入信号，集电极经由第一电感器与第一电源电位电连接；/n电容器，一端与所述第一晶体管的集电极电连接；以及/n第二晶体管，发射极与所述电容器的另一端电连接，并且经由第二电感器与所述基准电位电连接，在基极经由第二电阻被输入所述第二偏置电流或电压，并且经由第二电容器与所述基准电位电连接，集电极经由第三电感器与所述第一电源电位电连接，从集电极输出将所述高频输入信号放大了的高频输...

【技术特征摘要】
20190325 JP 2019-0559641.一种功率放大电路，包含：
第一偏置电路，输出第一偏置电流或电压；
第二偏置电路，输出第二偏置电流或电压；
第一晶体管，发射极与基准电位电连接，在基极经由第一电阻被输入所述第一偏置电流或电压，并且经由第一电容器被输入高频输入信号，集电极经由第一电感器与第一电源电位电连接；
电容器，一端与所述第一晶体管的集电极电连接；以及
第二晶体管，发射极与所述电容器的另一端电连接，并且经由第二电感器与所述基准电位电连接，在基极经由第二电阻被输入所述第二偏置电流或电压，并且经由第二电容器与所述基准电位电连接，集电极经由第三电感器与所述第一电源电位电连接，从集电极输出将所述高频输入信号放大了的高频输出信号，
所述第二偏置电路包含：第三晶体管，集电极与第二电源电位电连接，在基极被输入第三偏置电流或电压，从发射极输出所述第二偏置电流或电压。


2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第二偏置电路还包含：
第四电感器，电连接在所述第三晶体管的发射极与所述第二晶体管的基极之间；以及
第三电容器，与所述第四电感器并联地电连接。


3.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第二偏置电路还包含：
第四电容器，电连接在所述第三晶体管的发射极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺岛敏和，田中聪，渡边一雄，伊藤真音，榎本纯，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP