一种超宽带径向合成器制造技术

本发明专利技术公开了一种超宽带径向合成器，包括呈漏斗形状的合成器外导体，剖设置在合成器外导体内、且呈圆锥形状的内腔体，盖合在合成器外导体的底部、且上部置于内腔体内的合成器内导体，环形均匀固定在合成器外导体上的数个输入接头，以及固定在合成器外导体的顶部、且与合成器内导体的顶部连接的输出端口接头；合成器内导体上设置有一圆锥形体；圆锥形体置于内腔体内、且与输出端口接头连接；输入接头贯穿合成器内导体设置、且顶部与合成器外导体的内壁贴近；数个输入接头环形均匀布设在圆锥形体的外边缘；合成器外导体的内壁与圆锥形体的外边缘之间形成一合成腔。本发明专利技术具体结构简单、频率范围非常宽、功率容量大、损耗低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带径向合成器
本专利技术涉及多路空间功率合成
，尤其是一种超宽带径向合成器。
技术介绍
随着军用和民用通信的发展，对宽带大功率固态放大器的需求越来越大。但是单个芯片的输出功率有限，尤其是到了毫米波频段，为了获得更高的功率，通常需要将多个芯片进行功率合成，以便获得更高的功率输出，由此可见，功率合成技术已经成为固态功率放大器的关键技术。目前，行业中最常采用的合成方式有微带合成、径向合成及波导合成等方式。其中，微带合成器尺寸小，属于平面合成器，但是合成网络通常采用二进制结构，在合成路数较多时，由于级数增加导致插入损耗非常大。另外，波导合成器也是属于平面合成器，便于芯片的安装及散热。由于合成器是基于波导结构，合成损耗会非常低，而且有很大的功率容量。但是由于采用了波导管，也导致了合成器的带宽受到限制，而且在频率较低时，波导的尺寸也是非常大，不利于功放的小型化设计。再者，径向合成器可以将信号一次分配成n路，避免了二进制合成器插入损耗大的问题。径向合成器基于同轴结构，可以实现超宽带的功率合成。径向合成器通常以空气为传输介质，所以合成损耗非常低，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带径向合成器，其特征在于，包括呈漏斗形状的合成器外导体(1)，剖设置在合成器外导体(1)内、且呈圆锥形状的内腔体(11)，盖合在合成器外导体(1)的底部、且上部置于所述内腔体(11)内的合成器内导体(3)，环形均匀固定在合成器内导体(3)上的数个输入接头(4)，以及固定在合成器外导体(1)的顶部、且与合成器内导体(3)的顶部连接的输出端口接头(5)；所述合成器内导体(3)上设置有一圆锥形体(31)；所述圆锥形体(31)置于内腔体(11)内、且与输出端口接头(5)连接；所述输入接头(4)贯穿合成器内导体(3)设置、且顶部与合成器外导体(1)的内壁贴近；数个所述输入接头(4)环形均匀布...

【技术特征摘要】
1.一种超宽带径向合成器，其特征在于，包括呈漏斗形状的合成器外导体(1)，剖设置在合成器外导体(1)内、且呈圆锥形状的内腔体(11)，盖合在合成器外导体(1)的底部、且上部置于所述内腔体(11)内的合成器内导体(3)，环形均匀固定在合成器内导体(3)上的数个输入接头(4)，以及固定在合成器外导体(1)的顶部、且与合成器内导体(3)的顶部连接的输出端口接头(5)；所述合成器内导体(3)上设置有一圆锥形体(31)；所述圆锥形体(31)置于内腔体(11)内、且与输出端口接头(5)连接；所述输入接头(4)贯穿合成器内导体(3)设置、且顶部与合成器外导体(1)的内壁贴近；数个所述输入接头(4)环形均匀布设在圆锥形体(31)的外边缘；所述合成器外导体(1)的内壁与圆锥形体(31)的外边缘之间形成一合成腔。


2.根据权利要求1所述的一种超宽带径向合成器，其特征在于，还包括套设在合成器外导体(1)上的合成器散热器(2)。


3.根据权利要求2所述的一种超宽带径向合成器，其特征在于，所述合成器散热器(2)的顶部设置有数个散热片(21)。


4.根据权利要求1所述的一种超...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰家彬，
申请(专利权)人：成都玖信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51