【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制作方法
本申请涉及太阳能电池的制备
，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
IBC（Interdigitatedbackcontact）电池，指状交叉背接触电池，也即背接触型太阳能电池，其发射极和金属接触部都位于电池的背面，从结构上打破传统晶体硅电池的结构限制，具有更高的短路电路Jsc，不仅为电池转换效率提供较大空间，而且看上去美观、更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。目前，IBC电池还未能大规模量产或影响IBC电池的推广的主要原因在于，IBC电池的生产工艺复杂，成本高昂，尤其是形成背面图案的工艺步骤较为复杂。例如，在形成N型多晶硅或P型多晶硅时需要对掺杂层进行图案化处理，过程非常复杂，使得太阳能电池的生产效率低。现有技术中的IBC电池在制作过程中，形成多晶硅图案化的方法包括：印刷掺杂源和高温处理的方式，或者离子注入、激光烧蚀、激光掺杂等。其中，印刷掺杂源和离子注入后，均需要额外的进行高温退火处理。而激光烧蚀前通常需要额外的沉积掩膜处理，并在激...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在具有第一极性的半导体衬底的第一表面形成电介质层；/n将带有图案的阴罩设置于电介质层的表面，在所述电介质层的表面沉积多晶硅层并在沉积时使用具有第二极性的掺杂元素进行原位掺杂，以形成对应所述阴罩图案的多晶硅层；/n去除所述阴罩，在所述半导体衬底的第一表面和/或第二表面形成钝化层；/n在所述半导体衬底的第一表面制作第一电极和第二电极，其中所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体衬底形成接触，所述第二电极穿过所述钝化层与所述多晶硅层形成欧姆接触。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在具有第一极性的半导体衬底的第一表面形成电介质层；
将带有图案的阴罩设置于电介质层的表面，在所述电介质层的表面沉积多晶硅层并在沉积时使用具有第二极性的掺杂元素进行原位掺杂，以形成对应所述阴罩图案的多晶硅层；
去除所述阴罩，在所述半导体衬底的第一表面和/或第二表面形成钝化层；
在所述半导体衬底的第一表面制作第一电极和第二电极，其中所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体衬底形成接触，所述第二电极穿过所述钝化层与所述多晶硅层形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述阴罩设置有至少一个开口，所述开口的宽度范围为500μm-2000μm。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述具有第一极性的半导体衬底为P型衬底，所述具有第二极性的掺杂元素为磷或砷；所述形成对应所述阴罩图案的多晶硅层包括：
将带有图案的阴罩固定放置在电介质层的表面，所述阴罩包括开口区域和非开口区域，所述阴罩的非开口区域用以遮挡形成P型区域，在所述阴罩的开口区域，采用化学气相沉积法或物理气相沉积法或原子层沉积法在所述电介质层的表面沉积多晶硅层，在沉积的同时使用磷或砷进行原位掺杂，而后进行退火处理，形成N型多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的第一表面制作第一电极和第二电极包括：
在所述P型区域印刷铝浆，在所述N型多晶硅层区域印刷银浆；
对所述银浆和所述铝浆进行烧结，在所述银浆对应区域形成第二电极，所述第二电极穿过所述钝化层与所述N型多晶硅层形成欧姆接触，在所述铝浆对应区域形成铝背面电场和第一电极，所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体衬底形成接触。
5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述具有第一极性的半导体衬底为N型衬底，所述具有第二极性的掺杂元素为硼或铟；所述形成对应所述阴罩图案的多晶硅层包括：
将带有图案的阴罩固定放置在电介质层的表面，所述阴罩包括开口区域和非开口区域，所述阴罩的非开口区域用以遮挡形成N型区域，在所述阴罩的开口区域，采用化学气相沉积法或物理气相沉积法或原子层沉积法在所述电介质层的表面沉积多晶硅层，在沉积的同时使用硼或铟进行原位掺杂，而后进行退火处理，形成P型多晶硅层。
技术研发人员：徐孟雷，杨洁，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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