一种增益型异质结紫外光电探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种增益型异质结紫外光电探测器，包括衬底及生长于衬底之上的外延层；所述外延层自下而上依次包括成核层、非故意掺杂Al

【技术实现步骤摘要】
一种增益型异质结紫外光电探测器
本专利技术涉及Ⅲ族氮化物半导体紫外光探测器
，尤其涉及一种增益型异质结紫外光电探测器。
技术介绍
紫外探测在军事和民用领域均具有广泛的应用，如化学和生物分析(臭氧、污染物和大多数有机化合物紫外吸收谱线的探测)、火焰检测(包括火警、导弹预警或燃烧监测)、保密光学通信(波长小于280nm的卫星间光通信)、发射器校准(仪表、紫外线光刻技术)和天文研究等。目前，商用的紫外探测器主要是基于真空电子技术的光电倍增管(PMT)和基于成熟半导体材料Si的固态光电探测器。光电倍增管探测器需要工作在较高电压(一般在1000V左右)下，且体积也较大；而Si基紫外光电探测器尽管具有体积小、工作电压低的优点，但由于禁带宽度小，光响应波长覆盖了近红外至紫外区域，无法避免对紫外光之外的长波长背景光噪声的干扰。同样，光电倍增管也存在着相同的问题，都需要使用波长滤波片来实现对可见光、近紫外光具有波长拒绝比的响应(即，通常所谓的可见光盲、日盲紫外光响应)。基于Ⅲ族氮化物半导体的宽禁带三元化合物AlGaN基紫外光电探测器，因AlGaN材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增益型异质结紫外光电探测器，其特征在于:包括衬底(101)及生长于所述衬底(101)之上的成核层(102)、非故意掺杂Al

【技术特征摘要】
1.一种增益型异质结紫外光电探测器，其特征在于:包括衬底(101)及生长于所述衬底(101)之上的成核层(102)、非故意掺杂AlkGa1-kN缓冲层(103)、AlxGa1-xN组分过渡层(104)、非故意掺杂AlyGa1-yN层(105)、非故意掺杂AlzGa1-zN层(106)、非故意掺杂AlyGa1-yN层(107)、受主掺杂AlmGa1-mN(108)以及分布于非故意掺杂AlzGa1-zN层(106).上的叉指型接触电极(109),其中A1组分x的起始值≤k，终止值为y；y<z。


2.如权利要求1所述的一种增益型异质结紫外光电探测器，其特征在于:所述衬底(101)为蓝宝石、碳化硅、氮化铝、氮化镓或硅衬底。


3.如权利要求1所述的一种增益型异质结紫外光电探测器，其特征在于:所述成核层(102)为低温或者高温生长的AljGa1-jN,其中，Al组分j的取值范围为0-1,成核层(102)的厚度为10-100nm。


4.如权利要求1所述的一种增益型异质结紫外光电探测器，其特征在于所述非故意掺杂AlkGa1-kN缓冲层(103),Al组分k的取值范围为0-1，厚度为0.1-2.0μm。


5.如权利要求1所述的一种增益型异质结紫外光电探测器，其特征在于:所述AlxGa1-xN组分过渡层(104)的Al组分为线性变化或分n段台阶变化，其中，n值≤3,A1组分x的起始值≤k，终止值为y，厚度为0-...

【专利技术属性】
技术研发人员：江灏，宋志远，邱新嘉，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44