掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。

【技术实现步骤摘要】
掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法
本专利技术涉及掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法。
技术介绍
公知有使用照射聚焦离子束或电子束等的带电粒子束装置来修正掩模的缺陷的掩模缺陷修正装置。与此相关地，公知有一种灰色调的图案膜缺陷修正方法(参照专利文献1)，该图案膜缺陷修正方法使用了图案膜修正装置，该图案膜修正装置具有：离子光学系统，其产生聚焦离子束，以便对形成有光透过率为中间量的图案膜的灰色调的掩模的缺陷进行修正；二次带电粒子检测器，其检测向掩模照射聚焦离子束而产生的二次带电粒子；图像处理装置，其取得离子光学系统和二次带电粒子检测器的信息并对掩模的图案信息进行处理；以及化合物蒸气喷射装置，其向该缺陷喷射有机化合物蒸气，使得在根据图像处理装置的信息得到的掩模的缺陷位置处形成FIB-CVD膜而进行修正，其中，在形成FIB-CVD膜之前，设置如下的前工序：对在该缺陷的一部分中图案膜不是正常的厚度但有残留的部分照射聚焦离子束而除去，从而使缺陷区域成为未形成图案膜的状态，将从前工序后的缺陷区域的边界起的尺寸依赖于聚焦离子束的半径的内侧的区域设为用于形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模缺陷修正装置，其通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束的照射量进行调整，在掩模的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，/n该掩模缺陷修正装置具有：/n带电粒子束照射部，其照射所述带电粒子束；/n载台，其使所述掩模移动；/n气体供给部，其供给通过所述带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；/n控制部，其对所述带电粒子束照射部和所述气体供给部进行控制；/n存储部，其存储示出所述沉积膜的面积与所述带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据；/n膜厚测定部，其测定所述标准沉积膜的膜厚；以及/n补正部，其根据由所述膜厚测定部测定出的所述标准沉积膜的膜厚和所述校正...

【技术特征摘要】
20190325 JP 2019-0573691.一种掩模缺陷修正装置，其通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束的照射量进行调整，在掩模的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，
该掩模缺陷修正装置具有：
带电粒子束照射部，其照射所述带电粒子束；
载台，其使所述掩模移动；
气体供给部，其供给通过所述带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；
控制部，其对所述带电粒子束照射部和所述气体供给部进行控制；
存储部，其存储示出所述沉积膜的面积与所述带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据；
膜厚测定部，其测定所述标准沉积膜的膜厚；以及
补正部，其根据由所述膜厚测定部测定出的所述标准沉积膜的膜厚和所述校正数据，对所述带电粒子束的照射量进行补正，
所述控制部使得一边向所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川良知，朝生光人，铃木胜美，冈部卫，荷田昌克，
申请(专利权)人：日本株式会社日立高新技术科学，
类型：发明
国别省市：日本;JP