一种半导体含氟废水处理系统及工艺技术方案

本发明专利技术是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。本发明专利技术的优点：采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子的去除率可达90％以上，运行效果良好，相比石灰沉淀法，氯化钙易溶于水，产生的污泥量较少，且不存在石灰残渣的处置问题，运输、保管和存放都较方便。可满足半导体企业对厂区环境的高要求，更为清洁、有效。采用二级除氟工艺，可确保最终排放废水氟的浓度达到10mg/L以下。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体含氟废水处理系统及工艺
本专利技术涉及的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，属于水处理设备

技术介绍
随着半导体工艺技术的迅速发展和生产量的增加，半导体厂排出的含氟废水量急剧地增加。为了防止半导体含氟废水直接排放对环境生态的污染和破坏，必须设法降低废水中的含氟浓度。半导体含氟废水主要污染指标为pH、F和SS。现有技术的半导体含氟废水处理系统有的采用石灰沉淀法，其处理成本较低，但是处理效果较差，产生的污泥量较多，还涉及石灰残渣的处置问题，且无法满足半导体企业对厂区环境的高要求。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，通过设置酸碱调整、除氟、去除SS等流程，实现有效改善处理效果，满足半导体企业对厂区环境的高要求。本专利技术的技术解决方案：半导体含氟废水处理系统，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体含氟废水处理系统，其特征包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。/n

【技术特征摘要】
1.半导体含氟废水处理系统，其特征包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。


2.如权利要求1所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的一级反应池连接第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱，一级混凝池连接第二CaCl2加药箱，一级絮凝池连接第一PAM加药箱，二级反应池连接第二NaOH加药箱、第二H2SO4加药箱和第一PAC加药箱，二级絮凝池连接第二PAM加药箱。


3.如权利要求2所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。


4.如权利要求3所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的放流池设有在线氟离子检测仪。


5.如权利要求1-4任一项所述的半导体含氟废水处理系统的处理工艺，其特征是包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池；
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水...

【专利技术属性】
技术研发人员：安建国，张旭，孔金明，杜莹，
申请(专利权)人：江苏源邦环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32