摄像装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种适于抑制噪声的技术。摄像装置(100)具备将光转换成信号电荷的光电转换部(1)、蓄积信号电荷的FD部、栅极连接于FD部的第1晶体管(200)以及对第1晶体管(200)的输出进行放大并输出到FD部的栅极接地放大电路。栅极接地放大电路包括第2晶体管(300)，该第2晶体管(300)的源极和漏极中的一方连接于第1晶体管(200)的源极和漏极的一方，该第2晶体管(300)的源极和漏极中的另一方连接于FD部。

【技术实现步骤摘要】
摄像装置
本公开涉及摄像装置。
技术介绍
近年来，在摄像机、数码相机、监视相机、车载相机等各种领域中广泛使用摄像装置。作为摄像装置，可例示CCD(ChargeCoupledDevice：电荷耦合器件)型固体摄像元件、CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)型固体摄像元件等。在专利文献1、2、3以及4中记载了摄像装置的例子。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-129705号公报专利文献2：日本特开2008-28516号公报专利文献3：日本特开2014-78870号公报专利文献4：日本特开2001-177084号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本公开提供一种适于抑制噪声的技术。用于解决课题的手段本公开提供一种摄像装置，该摄像装置具备：光电转换部，其将光转换成信号电荷；电荷蓄积部，其蓄积所述信号电荷；第1晶体管，其在所述电荷蓄积部连接有栅极；以及栅极接地放大电路，其对所述第1晶体管的输出进行放大并输出到所述电荷蓄积部，所述栅极接地放大电路包括第2晶体管，所述第2晶体管的源极和漏极的一方连接于所述第1晶体管的源极和漏极的一方，源极和漏极中的另一方连接于所述电荷蓄积部。专利技术效果本公开提供一种适于抑制噪声的技术。附图说明图1是表示典型的摄像装置的像素电路的示意图。图2是表示典型的摄像装置的像素电路的动作的一例的时序图。图3是表示实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。图4是表示实施方式的摄像装置的像素的例示性的电路结构的示意图。图5A是表示光电转换部的结构例的示意图。图5B是表示光电转换部的结构例的示意图。图6是表示第1实施方式的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图7是表示变形例的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图8是表示变形例的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图9是表示变形例的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图10是表示第2实施方式的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图11是表示第3实施方式的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图12是表示第4实施方式的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图13是表示列放大部及输入切换电路的例示性的电路结构的示意图。图14是表示第5实施方式的读出电路的例示性的电路结构的示意图。图15是表示相机系统的例示性的电路结构的示意图。附图标记说明1光电转换部1A有机光电转换膜1B光电二极管1a、1b电极2放大部3反馈控制部5输出选择部6电流源部7信号读出线8列放大部20A、20C放大电路20B源极跟随器电路22、23切换电路30、39路径70信号反馈线81差动放大电路82源极跟随器电路83输入切换电路90切换电路100摄像装置110A像素120电源配线130蓄积控制线141垂直扫描电路142列信号处理电路143水平信号读出电路144电流源部170垂直信号线180水平共通信号线200放大晶体管220、221、222开关元件223、224、225电压源230、231开关元件232电压源233电流源300反馈晶体管310噪声保持电容元件320反馈电容元件330可变电压源340电流源晶体管350偏置晶体管360偏置电压源400复位晶体管500选择晶体管600、601电流源602电流源610、611开关元件811、812开关元件813、814电压源900、901、902开关元件903、904电压源905电流源1000摄像装置1001光学系统1002相机信号处理部1003系统控制器CON220、CON221、CON222、CON230、CON231、CON300、CON340、CON350、CON400、CON500、CON610、CON611、CON811、CON812、CON900、CON901、CON902信号线VA1、VA2、VA11、VA12、VVA21、VA22基准电位VB1、VB2、VB30、VB40、VB51控制电位VB3、VB4、VB5参照电位VB10、VB11、VB12控制电位Vp电压具体实施方式(成为本公开的基础的见解)近年来，作为摄像装置，有时使用CMOS型固体摄像元件。CMOS型固体摄像元件具有以下优点。第一，CMOS型固体摄像元件能够通过通用的CMOS工艺来制造。因此，在CMOS型固体摄像元件的制造中，能够利用现有的设备。从稳定供给的观点出发，能够利用现有的设备是有利的。第二，在CMOS型固体摄像元件中，能够使像素和周边电路在同一芯片内混合存在。因此，在CMOS型固体摄像元件中，能够高速地读出信号。这使得能够以高水平兼顾CMOS固体摄像元件的动作速度和分辨率。在CMOS型固体摄像元件中，有时使用CDS(CorrelatedDoubleSampling：相关双采样)技术。在专利文献1中记载了CDS技术的一例。以下，参照图1及图2对专利文献1的CDS技术进行说明。图1表示专利文献1的像素电路。该像素电路包括PD(Photodetector：光电探测器)部、TX晶体管、FD(FloatingDiffusion：浮置扩散)部、AMP晶体管、SEL晶体管以及RES晶体管。在专利文献1中，PD部是光电二极管。PD部检测光信号，生成与检测相应的信号电荷。TX晶体管将信号电荷从PD部传送到FD部。FD部暂时保持信号电荷。AMP晶体管对与信号电荷的量相应的FD部的信号电压进行放大。SEL晶体管输出放大后的信号电压。RES晶体管对FD部的信号电压进行复位。TX晶体管由控制信号φTX控制。SEL晶体管由控制信号φSEL控制。RES晶体管由控制信号φRST控制。图2是表示图1的像素电路的动作的时序图。在时刻t1，使φRST为低电平。由此，RES晶体管截止。接着，在时刻t2处，使φSEL为高电平。由此，SEL晶体管导通，输出复位电压。由于输出的复位电压包括kTC噪声，因此具有基于kTC噪声的时间上的波动。此外，kTC噪声也被称为复位噪声。接着，在时刻t3处，使φTX为高电平。由此，TX晶体管导通。由此，蓄积在PD部中的信号电荷被传送到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，其中，具备：/n光电转换部，其将光转换成信号电荷；/n电荷蓄积部，其蓄积所述信号电荷；/n第1晶体管，其栅极连接于所述电荷蓄积部；以及/n栅极接地放大电路，其对所述第1晶体管的输出进行放大并输出到所述电荷蓄积部，/n所述栅极接地放大电路包括第2晶体管，所述第2晶体管的源极和漏极中的一方连接于所述第1晶体管的源极和漏极中的一方，所述第2晶体管的源极和漏极中的另一方连接于所述电荷蓄积部。/n

【技术特征摘要】
20190320 JP 2019-0538831.一种摄像装置，其中，具备：
光电转换部，其将光转换成信号电荷；
电荷蓄积部，其蓄积所述信号电荷；
第1晶体管，其栅极连接于所述电荷蓄积部；以及
栅极接地放大电路，其对所述第1晶体管的输出进行放大并输出到所述电荷蓄积部，
所述栅极接地放大电路包括第2晶体管，所述第2晶体管的源极和漏极中的一方连接于所述第1晶体管的源极和漏极中的一方，所述第2晶体管的源极和漏极中的另一方连接于所述电荷蓄积部。


2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，
所述栅极接地放大电路在第1期间内电压增益比1大。


3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，
所述栅极接地放大电路为，
在第1期间内，电压增益比1大，
在第2期间内，电压增益为0以上且1以下。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的摄像装置，其中，具备：
第1电压供给电路，其连接于所述第1晶体管的源极和漏极中的另一方，选择性地输出相互不同的至少两种电压；以及
第2电压供给电路，其连接于所述第2晶体管的栅极，选择性地输出相互不同的至少三种电压。


5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，
所述第2电压供给电路输出的所述至少三种电压包括使所述第2晶体管在饱和区域动作的电压。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中，
具备电流源部，所述电流源部包括第1电流源及第2电流源，使所述第1电流源及所述第2电流源中的任一方选择性地连接于所述第2晶体管的源极和漏极中的所述一方。


7.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中，
具备电流源部，所述电流源部不经由开关元件而连接于所述第1晶体管的源极和漏极中的所述一方与所述第2晶体管的源极和漏极中的所述一方之间的节点。


8.根据权利要求1至3中的任一项所述的摄像装置，其中，具备：
第1电流源，其构成为连接于所述第1晶体管的源极和漏极中的所述一方；以及
第2电流源，其构成为连接于所述第1晶体管的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部豊，西村佳寿子，村上雅史，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP