电路装置、振荡器、电子设备以及移动体制造方法及图纸

提供电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够实现可变电容电路的电压电容特性中的线性特性的改善，并且能够实现电路的小规模化。电路装置包含使振子进行振荡的振荡电路，振荡电路包含可变电容电路和基准电压供给电路，该可变电容电路具有由第1晶体管、第2晶体管构成的第1可变电容元件和第2可变电容元件。向第1晶体管的第1栅极供给第1基准电压，向第1晶体管的第1杂质区域供给电容控制电压，向第2晶体管的第2栅极供给第2基准电压，向第2晶体管的第2杂质区域供给电容控制电压，向第1晶体管和第2晶体管的第1公共杂质区域供给电容控制电压。

【技术实现步骤摘要】
电路装置、振荡器、电子设备以及移动体
本专利技术涉及电路装置、振荡器、电子设备以及移动体等。
技术介绍
在使石英振子等振子进行振荡的电路装置中，设置有用于调整振荡频率的可变电容电路。例如，在专利文献1中公开了设置有多个MOS型可变电容元件的振荡电路。在专利文献1的振荡电路中，实现了如下的可变电容电路：对阈值电压不同的多个MOS型可变电容元件的一个端子施加多个控制电压，对另一个端子施加基准电压，从而能够确保频率变化相对于控制电压变化的直线性。专利文献1：日本特开2015-104074号公报在这样的可变电容电路中，使用晶体管来实现可变电容元件，但当振荡电路的负载电容由于晶体管的寄生电容而变大时，存在频率可变灵敏度下降的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个方式涉及电路装置，该电路装置包含使振子进行振荡的振荡电路，所述振荡电路包含：可变电容电路，其具有由第1晶体管构成的第1可变电容元件和由第2晶体管构成的第2可变电容元件，对所述振荡电路的负载电容进行调整；以及基准电压供给电路，其向所述可变电容电路供给第1基准电压和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路装置，其特征在于，/n该电路装置包含使振子进行振荡的振荡电路，/n所述振荡电路包含：/n可变电容电路，其具有由第1晶体管构成的第1可变电容元件和由第2晶体管构成的第2可变电容元件，对所述振荡电路的负载电容进行调整；以及/n基准电压供给电路，其向所述可变电容电路供给第1基准电压和第2基准电压，/n向作为所述第1晶体管的栅极的第1栅极供给所述第1基准电压，向作为所述第1晶体管的一个杂质区域的第1杂质区域供给电容控制电压，/n向作为所述第2晶体管的栅极的第2栅极供给所述第2基准电压，向作为所述第2晶体管的一个杂质区域的第2杂质区域供给所述电容控制电压，/n向作为所述第1晶体管和所述第2晶...

【技术特征摘要】
20190320 JP 2019-0524371.一种电路装置，其特征在于，
该电路装置包含使振子进行振荡的振荡电路，
所述振荡电路包含：
可变电容电路，其具有由第1晶体管构成的第1可变电容元件和由第2晶体管构成的第2可变电容元件，对所述振荡电路的负载电容进行调整；以及
基准电压供给电路，其向所述可变电容电路供给第1基准电压和第2基准电压，
向作为所述第1晶体管的栅极的第1栅极供给所述第1基准电压，向作为所述第1晶体管的一个杂质区域的第1杂质区域供给电容控制电压，
向作为所述第2晶体管的栅极的第2栅极供给所述第2基准电压，向作为所述第2晶体管的一个杂质区域的第2杂质区域供给所述电容控制电压，
向作为所述第1晶体管和所述第2晶体管的另一个杂质区域的第1公共杂质区域供给所述电容控制电压。


2.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
在将从所述第1栅极朝向所述第2栅极的方向设为第1方向的情况下，所述第1杂质区域、所述第1栅极、所述公共杂质区域、所述第2栅极以及所述第2杂质区域按照所述第1杂质区域、所述第1栅极、所述公共杂质区域、所述第2栅极以及所述第2杂质区域的顺序沿着所述第1方向设置。


3.根据权利要求1或2所述的电路装置，其特征在于，
所述第1晶体管和所述第2晶体管是N型晶体管，
所述第1基准电压小于所述第2基准电压，所述第1可变电容元件的电容大于所述第2可变电容元件的电容。


4.根据权利要求1或2所述的电路装置，其特征在于，
所述第1晶体管和所述第2晶体管是P型晶体管，
所述第1基准电压小于所述第2基准电压，所述第1可变电容元件的电容小于所述第2可变电容元件的电容。


5.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
所述可变电容电路包含由第3晶体管构成的第3可变电容元件，
所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：板坂洋佑，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP