一种晶片测试电路及应用制造技术

本发明专利技术提供了一种晶片测试电路及应用。其中，一种晶片测试电路，包括USB连接电路、主控芯片电路、闪存接口电路、供电及基准电路、电源管理电路以及电流检测与自恢复电路；本发明专利技术还提供了一种应用，包括上述的晶片测试电路，该晶片测试电路用于制作晶片测试卡。本发明专利技术能克服浪涌电流造成的测试异常及损坏，当连接短路的晶元后，保护电路会在1ms以内启动，当短路解除以后，会自动恢复输出。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片测试电路及应用
本专利技术涉及一种Flash晶元测试
，尤其是一种晶片测试电路及应用。
技术介绍
市场现有晶片测试卡：由探针,载板,排插三部份构成,主控板通过排插和探针与被测晶元连接.达到测试的目的，其缺陷包括：a)探针的针尖易被大电流烧毁，由于晶圆pad极小,要求针尖细而长.与晶元的解除面小，因此有大电流经过时。针尖容易被烧毁和产生氧化物，导致误测或寿命缩短，严重时导致损坏或测试不稳定。b)短路时电脑卡死，当晶圆短路或微短时，会导致电脑USB保护或电脑卡死。c)由于晶片测试卡与主控板分离(晶片测试卡面积大)，走线很长，信号衰减.导致测试不稳定。d)目前市场上也有主控板，在USB5V(正极)串入可恢复式保险(PTC)，当负载(被测晶片和主控芯片)出现大电流，电流经过可恢复式保险，保险加热自身至一定温度后，保险阻值增大，与负载串联分压，从而降低负载电压，达到降低负载电流的目的。缺陷1：响应速度慢（保险需加热自身，增大阻值）,此时电脑端已经检测到浪涌电流而保护USB输出，长时间的大电流会烧毁探针的针尖。缺陷2：过流保护时，保险电阻与负载(主控芯片)串联分压，此时的负载(主控芯片)电压是降低并不是切断，负载电压并且会根据负载的变化而变化，会使主控工作在不稳定的电压范围，导致与电脑的USB数据链接出现异常,电脑端提示“此USB设备异常”。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的是提供一种晶片测试电路及应用。本专利技术采用的技术方案是：一种晶片测试电路，包括USB连接电路、主控芯片电路、闪存接口电路、供电及基准电路、电源管理电路以及电流检测与自恢复电路；所述USB连接电路通过USB线用于将电脑与晶片测试产品相连；所述主控芯片电路与USB连接电路连接，用于对测试Flash晶元进行测试；所述闪存接口电路与主控芯片电路连接，包括用于焊接探针的焊盘、滤波电容单元、电阻取样单元以及比较电路，所述滤波电容单元用于滤除电源波动，得到稳定的电源，经电阻取样单元将Flash的电流转换为电压送至比较电路进行比较，所述供电及基准电路与USB连接电路、主控芯片电路以及电流检测与自恢复电路连接，用于对USB连接电路、主控芯片电路以及电流检测与自恢复电路供电，所述电流检测与自恢复电路与比较电路连接，所述电流检测与自恢复电路用于电路保护及电路恢复。进一步地，所述插接件JP2为焊盘，插接件JP2上设置的插接件引脚与设置在主控芯片电路中的主控芯片U1上设置的主控芯片引脚对应连接。进一步地，所述供电及基准电路包括第一供电控制单元、第二供电控制单元、第三供电控制单元以及第四供电控制单元，所述第一供电控制单元，用于电源开关控制，大电流保护控制；所述第二供电控制单元，将受第一供电控制单元控制的5V电压降至3.3V，对测试Flash晶元供电；所述第三供电控制单元，将受第一供电控制单元控制的5V电压降至1.8V，对测试Flash晶元供电；所述第四供电控制单元，将受第一供电控制单元控制的5V电压降至2.5V，对比较电路供电。进一步地，所述电源管理电路接入电源，并与供电及基准电路连接，其中，所述电源管理电路中设置有第一导通单元和第二导通单元，所述第一导通单元和第二导通单元用于选择对测试Flash晶元VCCQ电压,以适应不同的测试Flash晶元。进一步地，所述电源管理电路还设置有滤波单元，所述滤波单元用于滤除VCCQ电压的波动。进一步地，所述电流检测与自恢复电路包括比较器单元一、比较器单元二、过流保护单元、自锁电路单元以及自恢复电路单元，所述比较器单元一和比较器单元二与过流保护单元连接，过流保护单元与自锁电路单元以及自恢复电路连接。进一步地，所述比较器单元一由电阻R9、电阻R10以及电容C13构成第一分压电路，提供216mV参考电压；所述比较器单元二由电阻R13、电阻R15、电容C25构成第二分压电路，提供的416mV参考电压。进一步地，所述过流保护单元用于当电流采样信号sample的电压大于216mV，比较器单元一输出高电平，二极管D1导通，MOS管Q1导通，设置在第一供电控制单元内的USB限流芯片U2的EN引脚被拉低，USB限流芯片U2截止，5V电压无输出，起到保护的目的。进一步地，所述自锁电路用于当第一供电控制单元内的USB限流芯片U2无输出时，sample端电压为零，比较器单元一截止，由电容C20对电阻R12进行放电，在比较器单元二未输出高电平时，MOS管Q1可以持续导通；或当USB限流芯片U2无输出时，比较器单元二输出为高电平，二极管D2导通，MOS管Q1导通，USB限流芯片U2的EN脚被拉低，USB限流芯片U2截止，5V网络持续无输出，起到保护的目的；所述自恢复电路用于当USB限流芯片U2截止时，测试Flash晶元未被取下，VUSB端电压经过电阻R2与测试Flash晶元串联分压，5V网络此时的输出电压小于416mV，比较器单元二持续输出高电平，或当USB限流芯片U2截止时，测试Flash晶元被取下，此时5V网络失去了测试Flash晶元与电阻R2分压，使得5V网络的电压大于416mV，比较器单元二输出低电平，二极管D2截止，短暂延迟后MOS管Q1截止，USB限流芯片U2导通，5V电压输出正常。本专利技术还提供了一种应用，包括上述所述的晶片测试电路，该晶片测试电路用于制作晶片测试卡。本专利技术能克服浪涌电流造成的测试异常及损坏，当连接短路的晶元后，保护电路会在1ms以内启动，当短路解除以后，会自动恢复输出。并有如下优点：1.延长晶片测试卡的使用寿命(防止大电流烧毁探针)；2.增强测试稳定性(信号线更短，无需排插转接)；3.提高生产效率(可有效改善因短路造成的电脑卡死)。附图说明图1是本专利技术中USB连接电路的电路原理图；图2是本专利技术中主控芯片电路的电路原理图；图3是本专利技术中闪存接口电路的电路原理图；图4是本专利技术中供电及基准电路的电路原理图；图5是本专利技术中电源管理电路的电路原理图；图6是本专利技术中电流检测与自恢复电路的电路原理图。具体实施方式下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本专利技术，在此本专利技术的示意性实施例以及说明用来解释本专利技术，但并不作为对本专利技术的限定。参照图1，本专利技术公开了一种晶片测试电路，包括USB连接电路、主控芯片电路、闪存接口电路、供电及基准电路、电源管理电路以及电流检测与自恢复电路；所述USB连接电路通过USB线用于将电脑与晶片测试产品相连；所述主控芯片电路与USB连接电路连接，用于对测试Flash晶元进行测试；所述闪存接口电路与主控芯片电路连接，包括用于焊接探针的焊盘、滤波电容单元、电阻取样单元以及比较电路，所述滤波电容单元用于滤除电源波动，得到稳定的电源，经电阻取样单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片测试电路，其特征在于，包括/nUSB连接电路、主控芯片电路、闪存接口电路、供电及基准电路、电源管理电路以及电流检测与自恢复电路；/n所述USB连接电路通过USB线用于将电脑与晶片测试产品相连；/n所述主控芯片电路与USB连接电路连接，用于对测试Flash晶元进行测试；/n所述闪存接口电路与主控芯片电路连接，包括用于焊接探针的焊盘、滤波电容单元、电阻取样单元以及比较电路，/n所述滤波电容单元用于滤除电源波动，得到稳定的电源，经电阻取样单元将Flash的电流转换为电压送至比较电路进行比较，/n所述供电及基准电路与USB连接电路、主控芯片电路以及电流检测与自恢复电路连接，用于对USB连接电路、主控芯片电路以及电流检测与自恢复电路供电，/n所述电流检测与自恢复电路与比较电路连接，所述电流检测与自恢复电路用于电路保护及电路恢复。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片测试电路，其特征在于，包括
USB连接电路、主控芯片电路、闪存接口电路、供电及基准电路、电源管理电路以及电流检测与自恢复电路；
所述USB连接电路通过USB线用于将电脑与晶片测试产品相连；
所述主控芯片电路与USB连接电路连接，用于对测试Flash晶元进行测试；
所述闪存接口电路与主控芯片电路连接，包括用于焊接探针的焊盘、滤波电容单元、电阻取样单元以及比较电路，
所述滤波电容单元用于滤除电源波动，得到稳定的电源，经电阻取样单元将Flash的电流转换为电压送至比较电路进行比较，
所述供电及基准电路与USB连接电路、主控芯片电路以及电流检测与自恢复电路连接，用于对USB连接电路、主控芯片电路以及电流检测与自恢复电路供电，
所述电流检测与自恢复电路与比较电路连接，所述电流检测与自恢复电路用于电路保护及电路恢复。


2.根据权利要求1所述的晶片测试电路，其特征在于，所述插接件JP2为焊盘，插接件JP2上设置的插接件引脚与设置在主控芯片电路中的主控芯片U1上设置的主控芯片引脚对应连接。


3.根据权利要求1所述的晶片测试电路，其特征在于，所述供电及基准电路包括第一供电控制单元、第二供电控制单元、第三供电控制单元以及第四供电控制单元，
所述第一供电控制单元，用于电源开关控制，大电流保护控制；
所述第二供电控制单元，将受第一供电控制单元控制的5V电压降至3.3V，对测试Flash晶元供电；
所述第三供电控制单元，将受第一供电控制单元控制的5V电压降至1.8V，对测试Flash晶元供电；
所述第四供电控制单元，将受第一供电控制单元控制的5V电压降至2.5V，对比较电路供电。


4.根据权利要求1所述的晶片测试电路，其特征在于，所述电源管理电路接入电源，并与供电及基准电路连接，其中，所述电源管理电路中设置有第一导通单元和第二导通单元，所述第一导通单元和第二导通单元用于选择对测试Flash晶元VCCQ电压,以适应不同的测试Flash晶元。


5.根据权利要求1或4所述的晶片测试电路，其特征在于，所述电源管理电路还设置有滤波单元，所述滤波单元用于滤除VC...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宗宝，张治强，
申请(专利权)人：广东长兴半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44