α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。

【技术实现步骤摘要】
α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质
本专利技术涉及电子器件可靠性
，特别是涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质。
技术介绍
作为核反应原料的235U(铀)、238U以及它们的子体同位素如232Th(钍)是比较常见的放射性元素。由于地球上天然存在着大量的235U(0.72％)、238U(99.2％)和232Th(100％)，使得这些元素极易出现在半导体器件的各种材料中，如模塑料、焊球、填充料等。同时，半导体器件的焊点中总是存在着极微量的210Po(钋)。这些重放射性同位素通常会发生α衰变，持续不断地释放出能量大约为4MeV-9MeV的α粒子。当带有能量的α粒子入射至半导体器件的有源区时，沿其径迹将产生高密度的电子-空穴对，电子-空穴对在器件电场的作用下发生分离后被节点收集，在电路中产生一个干扰电流信号，进而引起半导体器件发生数据丢失、功能中断等恶劣影响。α粒子对电路系统的影响可能是致命的，比如α粒子在CPU指令缓存中引起软错误，导致CPU无法执行预期的功能。由于α粒子辐射存在于所有的半导体器件中，并且即本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，包括：/n根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，所述分析仿真模型包括放射源和半导体器件，所述放射源位于所述半导体器件上方；/n进行仿真试验，以使所述放射源发射α粒子，并记录到达所述半导体器件表面的有效α粒子数量；/n根据所述有效α粒子数量和所述放射源发射的α粒子数量获取有效因子；/n根据所述有效因子和所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量。/n

【技术特征摘要】
1.一种α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，包括：
根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，所述分析仿真模型包括放射源和半导体器件，所述放射源位于所述半导体器件上方；
进行仿真试验，以使所述放射源发射α粒子，并记录到达所述半导体器件表面的有效α粒子数量；
根据所述有效α粒子数量和所述放射源发射的α粒子数量获取有效因子；
根据所述有效因子和所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量。


2.根据权利要求1所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述仿真试验为蒙特卡洛仿真试验。


3.根据权利要求1所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述根据所述有效α粒子数量和所述放射源发射的α粒子数量获取有效因子，包括：
μ＝(Neff/A)/F
其中，μ为有效因子，Neff为所述有效α粒子数量，F为所述放射源发射的单位面积的α粒子数量，A为所述半导体器件表面的面积。


4.根据权利要求1所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，所述根据所述有效因子和所述放射源的α粒子发射率获取到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量，包括：
Feff＝F0×μ
其中，Feff为到达所述半导体器件表面的α粒子有效通量，μ为所述有效因子，F0为所述放射源的α粒子发射率。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的α粒子有效通量的分析方法，其特征在于，在进行仿真试验之前，还包括：
获取所述放射源辐照试验平台所处的试验环境；
如果所述试验环境为真空环境，则直接进行所述仿真试验；
如果所述试验环境为非真空环境，则先获取所述放射源发射的α粒子能谱，根据所述α粒子能谱对所述放射源的能量进行调整，再进行所述仿真试验。

【专利技术属性】
技术研发人员：张战刚，雷志锋，黄云，彭超，何玉娟，肖庆中，路国光，恩云飞，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44