一种钽酸锂薄膜波导声光调制器制造技术

本发明专利技术涉及声光调制器技术领域，尤其是一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，由压电材料、光波导和压电换能器构成，所述光波导为LT薄膜光波导，所述压电换能器为分离式叉指换能器，LT薄膜光波导设置在压电材料上，分离式叉指换能器设置在LT薄膜光波导上，本发明专利技术采用Y42‑LNOT作为初始材料，使用VPPE技术制备了高质量的LT薄膜光波导，并充分利用材料优良的声光特性进一步制作出了高Q值、高调制效率、低损耗的LT薄膜波导声光调制器。

【技术实现步骤摘要】
一种钽酸锂薄膜波导声光调制器
本专利技术涉及声光调制器
，具体领域为一种钽酸锂薄膜波导声光调制器。
技术介绍
声光调制器是一种控制激光束强度变化的声光器件，主要由声光介质和压电换能器构成。其基本原理是当驱动源(某种特定载波频率)驱动换能器时，换能器即产生同一频率的超声波并传入声光介质，使介质的折射率产生周期性的变化，光束通过介质时会发生相互作用而改变光的传播方向，即产生衍射。目前，科研人员已利用这种基本原理制作出了多种功能各异的声光器件，如声光调制器、声光偏转器、声光滤光器、声光调Q激光器等，被广泛应用于激光显示记录系统、光信号处理、激光谐振腔、光计算及军事上。然而，大量已报道的声光调制器仍普遍存在驱动功率(>2W)高，调制效率(约66％)低等问题。为解决上述问题，2019年，LuTongCai等人首次选用LNOI作为初始材料，使用电子束光刻和Ar等离子体刻蚀相结合的技术制作出了MZ型波导声光调制器，开创了使用LNOI制作波导声光调制器的先河。其结构主要包括压电材料(LNOI)、MZ型光波导和压电换能器三部分，利用压电换能器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：由压电材料、光波导和压电换能器构成，所述光波导为LT薄膜光波导，所述压电换能器为分离式叉指换能器，LT薄膜光波导设置在压电材料上，分离式叉指换能器设置在LT薄膜光波导上。/n

【技术特征摘要】
1.一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：由压电材料、光波导和压电换能器构成，所述光波导为LT薄膜光波导，所述压电换能器为分离式叉指换能器，LT薄膜光波导设置在压电材料上，分离式叉指换能器设置在LT薄膜光波导上。


2.根据权利要求1所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：所述压电材料其结构自下而上依次包括Si衬底、SiOn层和LT薄膜层。


3.根据权利要求2所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：所述的LT薄膜光波导设置在LT薄膜层中。


4.根据权利要求3所述的一种钽酸锂薄膜波导声光调制器，其特征在于：所述的LT薄膜光波导在压电材料上的制备过程为：
S1.镀膜，选择压电材料，用PECVD镀膜机在压电材料的LT薄膜层的表面镀一层100～150nm厚的SiO2膜；
S2.光刻，在LT薄膜层表面的SiO2膜上沉积一层负光胶，100～120℃下烘烤20～30分钟；在负光胶上放置一块光波导掩膜板，紫外光照射30～60秒；将样品在显影液中放置30～60秒进行显影,除去未被照射的负光胶，然后在去离子水中漂洗干净，100～120℃下烘烤8～12分钟；用SiO2腐蚀液去除未被光刻胶覆盖的SiO2膜，制作出间距为1～2μm的SiO2掩模；最后用除胶剂去除SiO2掩模上覆盖的光刻胶；
S3.VPPE处理，将光刻后的样品用丙酮或酒精清洗干净，在100～120℃下烘烤5～10分钟；在石英细颈瓶底部铺一层苯甲酸粉末3～8g，然后把样品放入细颈瓶中，瓶子中部的细...

【专利技术属性】
技术研发人员：温旭杰，王少葳，华平壤，宋伟，崔坤，卢明达，徐佳俊，王旭，
申请(专利权)人：中电科技德清华莹电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33