【技术实现步骤摘要】
原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法
本专利技术属于氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷
具体涉及一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法。
技术介绍
AlN材料热导率高、电绝缘性好、强度大、硬度高、耐腐蚀、耐磨损和热膨胀系数低的良好的性能，在半导体材料、微波电子衰减材料及耐火材料等领域得到广泛应用。SiC热膨胀系数小、硬度高、机械强度大、抗化学腐蚀、耐磨性优良和化学性能稳定，被广泛应用于高温陶瓷、航空航天等许多领域。氮化铝和碳化硅虽是性能优异的陶瓷材料，但其本身也存在一些固有的缺点和局限性，在一定程度上限制了它们的发展和应用。目前制备复合材料是提高材料性能的一种有效途径，而AlN和α-SiC在原子尺寸、分子量、晶体结构、密度以及高温性能上均具有相似性，所以能够在较大的化学组成区域形成固溶体，两者之间具有在非氧化物陶瓷中极为罕见的强共价键，进一步增加了二者复合的可能性，有望改善两者固有缺点，提高材料的性能。为了获得高性能的AlN/SiC固溶体复相陶瓷，国内外学者采用不同的技术路线和方法，如We...
【技术保护点】
1.一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的制备方法，其特征在于：/n步骤一、按照Al
【技术特征摘要】
1.一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的制备方法，其特征在于：
步骤一、按照Al4SiC4粉末∶粘结剂的质量比为100∶2～5，将所述Al4SiC4粉末和所述粘结剂混合，即得混合料；
所述Al4SiC4粉末的纯度≥98.0wt％，Al4SiC4粉末的粒度≤150μm；
步骤二、将所述混合料在5～50MP条件下预压成型，再于100～300MPa条件下等静压成型，然后置于恒温干燥箱中，在110℃条件下烘干1～5h，得到预制坯体；
步骤三、将所述预制坯体装入石墨坩埚内，然后将所述石墨坩埚置于热压炉内，在≤0.1mbar条件下以5～10℃/min的速率从室温加热至1100～1200℃，保温条件下充N2至2～10MPa，在保压条件下以1～5℃/...
【专利技术属性】
技术研发人员：余超，郑永翔，邓承继，丁军，祝洪喜，吴欣欣，
申请(专利权)人：武汉科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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