一种Micro OLED显示器结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro OLED显示器结构及其制备方法，包括基板，在所述基板上设有显示区域，其特征在于：所述基板上设有第一层封装层，所述基板与所述第一层封装层之间外围周圈处设有亲水疏水结构。本发明专利技术Micro OLED显示器结构及其制备方法，结构简单，可靠性好，具有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种MicroOLED显示器结构及其制备方法
本专利技术属于显示器
，更具体地说，涉及一种MicroOLED显示器结构及其制备方法。
技术介绍
MicroOLED(OrganicLightEmittingDisplay)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，MicroOLED微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。在屏体的封装中，由于尺寸过小，无法对TFE结构进行图案化，普遍采用整面镀膜，再用干刻或者激光等方式对其进行图案化，这样会导致TFE断面暴露在环境中，环境中的水汽或氧气会从侧面侵蚀进入OLED器件，导致屏体失效，可靠性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，可靠性好的MicroOLED显示器结构及其制备方法。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：所提供的这种MicroOLED显示器结构，包括基板，在所述基板上设有显示区域，其特征在于：所述基板上设有第一层封装层，所述基板与所述第一层封装层之间外围周圈处设有亲水疏水结构。为使上述技术方案更加详尽和具体，本专利技术还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：所述亲水疏水结构包括啮合的亲水侧和疏水侧。所述亲水侧和疏水侧均包括向下凹陷形成的结构槽，在所述亲水侧和疏水侧的结构槽内分别涂覆有亲水材料和疏水材料。所述结构槽为三角形结构槽，所述亲水侧结构槽和所述疏水侧结构槽相对啮合布置。在所述第一层封装层上设有第二层封装层，所述第二层封装层边缘距所述第一层封装层边缘一定距离，在所述第二层封装层上设有第三层封装层。在所述第一层封装层与所述第三层封装层外围周圈处设有所述亲水疏水结构。在所述亲水疏水结构与所述显示区域之间的基板上设有堤坝结构和凹槽结构。所述堤坝结构为向上凸起的梯形结构，所述凹槽结构为向下凹陷的梯形槽。一种MicroOLED显示器结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1)在基板上制备CMOS电路；步骤2)在CMOS电路上制备OLED阳极结构；步骤3)在基板外围用光刻的方式制备一圈向下凹陷的亲水疏水结构；步骤4)将疏水材料与亲水材料分别制备到所述亲水疏水结构中；步骤5)制备OLED器件发光层；步骤6)制备第一层封装层；步骤7)制备第二层封装层；步骤8)重复步骤4)，将疏水亲水材料制备到第一层封装层上；步骤9)制备第三层封装层。在步骤2)之后，采用光刻工艺在基板上制备堤坝结构与凹槽结构。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术MicroOLED显示器结构及其制备方法，结构简单，可靠性好，具有较好的应用前景。附图说明下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：图1为本专利技术第一种实施例显示器结构示意图；图2为本专利技术第一种实施例显示器剖面结构示意图；图3为本专利技术第一种实施例显示器局部放大结构示意图；图4为本专利技术第二种实施例显示器结构示意图；图5为本专利技术第二种实施例显示器剖面结构示意图；图6为本专利技术亲水疏水结合处水滴的张力及运动方向原理示意图；图7为本专利技术亲水疏水结合处水滴的张力及运动方向原理示意图。图中标记为：1、显示区域，2、堤坝结构，3、凹槽结构，4、亲水疏水结构，41、亲水侧，42、疏水侧，5、第一层封装层，6、第二层封装层，7、第三层封装层，8、亲水疏水结构界面，9、基板。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。本专利技术这种MicroOLED显示器结构，如图1、2中所示，包括基板9，在基板9上设有显示区域1，基板9上设有第一层封装层5，基板9与第一层封装层5之间外围周圈处设有亲水疏水结构4，亲水疏水结构界面8。如图6、7所示，为亲水疏水结合处水滴张力及运动方向原理示意图，本专利技术通过在显示屏四周至少设置一圈亲水疏水结构，会排斥侵入屏体的水汽，提高产品可靠性。本专利技术中，如图3中所示，亲水疏水结构4包括啮合的亲水侧41和疏水侧42。亲水侧41和疏水侧42均包括向下凹陷形成的结构槽，在亲水侧41和疏水侧42的结构槽内分别涂覆有亲水材料和疏水材料。优选的，结构槽为三角形结构槽，亲水侧结构槽和疏水侧结构槽相对啮合布置。本专利技术这种MicroOLED显示器结构，在第一层封装层5上设有第二层封装层6，第二层封装层6边缘距第一层封装层5边缘一定距离，在第二层封装层6上设有第三层封装层7。在第一层封装层5与第三层封装层7外围周圈处设有亲水疏水结构4。本专利技术的第二种实施例，如图4、5中所示，在亲水疏水结构4与显示区域1之间的基板9上设有堤坝结构2和凹槽结构3。本专利技术中，优选的，堤坝结构2为向上凸起的梯形结构，凹槽结构3为向下凹陷的梯形槽。本专利技术的拓展方案是通过亲水疏水啮合结构与堤坝和凹槽结构的组合设计，提高TFE与底层基板的粘附力，阻断TFEcrack传播路劲，进一步提高产品可靠性。本专利技术一种MicroOLED显示器结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1)在基板9上制备CMOS电路；步骤2)在CMOS电路上制备OLED阳极结构；步骤3)在基板外围用光刻的方式制备一圈向下凹陷的亲水疏水结构；步骤4)将疏水材料与亲水材料分别制备到所述亲水疏水结构中；步骤5)制备OLED器件发光层；步骤6)制备第一层封装层；步骤7)制备第二层封装层；步骤8)重复步骤4)，将疏水亲水材料制备到第一层封装层上；步骤9)制备第三层封装层。本专利技术第二种实施例，在步骤2)之后，采用光刻工艺在基板9上制备堤坝结构2与凹槽结构3。具体的，本专利技术第一种实施例，MicroOLED显示器结构的制备方法，在硅基底上制备CMOS电路；在CMOS电路上制备OLED阳极结构；在每个显示器外围用光刻的方式制备一圈向下凹陷的亲水疏水结构，其中向下凹陷深度可选0.5～1um,优选地，为0.8un,凹陷形状优选为相对排布的锐角等腰三角形，顶角角度可选10～50°优选地未20°，三角形高也即亲水疏水结构4的宽度可选100～1500um,优选地为1200um，亲水疏水结构4的外边缘需与屏体外边重合；将疏水材料与亲水材料按照设计分别制备到疏水侧与亲水侧的三角形凹陷中，制备方法可选丝网印刷，喷墨打印，涂布等，优选地为喷墨打印，其中亲水材料可选甲基丙烯酸酯系列高分子材料和环氧乙烷系列高分子材料，其中疏水材料可选聚二甲基硅氧烷，有机硅树脂，聚丙烯腈等；制备OLED器件发光层；制备第一层封装层5，可采用PECVD方法，制备材料可选SION，厚度可选0.2-0.8um，优选地为0.5um；制备第二层封装层6，采用IJP方法，制备材料为高分子预聚体，厚度可选0.6-1.3um，优选地为1um；其中第二层封装层6大小需要小于第一层封装层，一般地第二层边界与第一层边界距离为600um；因PECVD制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro OLED显示器结构，包括基板，在所述基板上设有显示区域，其特征在于：所述基板上设有第一层封装层，所述基板与所述第一层封装层之间外围周圈处设有亲水疏水结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种MicroOLED显示器结构，包括基板，在所述基板上设有显示区域，其特征在于：所述基板上设有第一层封装层，所述基板与所述第一层封装层之间外围周圈处设有亲水疏水结构。


2.按照权利要求1所述的MicroOLED显示器结构，其特征在于：所述亲水疏水结构包括啮合的亲水侧和疏水侧。


3.按照权利要求2所述的MicroOLED显示器结构，其特征在于：所述亲水侧和疏水侧均包括向下凹陷形成的结构槽，在所述亲水侧和疏水侧的结构槽内分别涂覆有亲水材料和疏水材料。


4.按照权利要求3所述的MicroOLED显示器结构，其特征在于：所述结构槽为三角形结构槽，所述亲水侧结构槽和所述疏水侧结构槽相对啮合布置。


5.按照权利要求1至4任一项所述的MicroOLED显示器结构，其特征在于：在所述第一层封装层上设有第二层封装层，所述第二层封装层边缘距所述第一层封装层边缘一定距离，在所述第二层封装层上设有第三层封装层。


6.按照权利要求5所述的MicroOLED显示器结构，其特征在于：在所述第一层封...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雪原，祖伟，任清江，晋芳铭，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34