一种基于MoO制造技术

本发明专利技术属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于MoO

【技术实现步骤摘要】
一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法
本专利技术属于发光二极管
，具体涉及一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管（Quantum-dotLight-emittingDiodes,QLED）由于其具有单色性好﹑色纯度高﹑色域宽﹑寿命长等优点得到快速发展，因此有望成为新一代主流显示和照明技术应用于智能终端﹑超高清显示和高端照明等领域。目前，QLED器件常见的器件结构为阳极/空穴注入层（HIL）/空穴传输层（HTL）/电子发光层（EML）/电子传输层（ETL）/阴极。聚（3,4-乙烯二氧噻吩）：聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）因其高透明度、良好的导电性和可溶液制备等优点，被广泛作为空穴注入层（HIL）应用于主流的QLED器件中。然而由于其自身的酸性和吸湿性会腐蚀ITO基底并加速随后沉积的薄膜退化，从而导致器件稳定性差，表现为器件寿命低。对于量子点发光二极管而言，评价量子点发光二极管器件性能重要指标是器件的EQE和寿命。2011年Qian团队制备具有高电子传输能力的ZnO，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MoO

【技术特征摘要】
1.一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）清洗并预处理ITO玻璃基底电极；
（2）在ITO玻璃基底电极上旋涂混合空穴注入层，所述混合空穴注入层的材料为MoOx或MoOx-PEDOT:PSS；
（3）在混合空穴注入层上旋涂空穴传输层；所述的空穴传输层材料为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或几种；
（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；
（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层ZnO；
（6）在电子传输层ZnO上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中MoOx层的旋涂方法为吸取80μL的MoOx前驱体溶液，旋涂40-45s，成膜后退火，冷却至室温后，再进行UV-O3处理5-10min；步骤（2）中PEDOT:PSS层的旋涂方法为吸取100μL的PEDOT:PSS在5000rpm/min条件下旋涂40-45s，成膜后在120-130℃条件下退火10-15min。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，MoOx前驱体溶液制备步骤为：将质量分数5-10%的钼酸铵水溶液在空气中加热至...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜祖亮，蒋晓红，王安珍，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南;41