电子器件制造技术

公开了一种电子器件，该电子器件具有用于供应栅极电压的栅电极、源极、漏极和沟道，该沟道被掺杂为在电压被施加至栅电极时使得电流能够从漏极流向源极。该电子器件还可以包括处于沟道和栅电极之间的栅极绝缘体。该栅极绝缘体可以包括具有第一厚度的第一栅极绝缘体区段和具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘体区段。栅极绝缘体区段由此通过使电流能够在比第一栅极绝缘体区段低的电压上流过第二栅极绝缘体区段而改善了安全操作区域。

【技术实现步骤摘要】
电子器件
本专利技术涉及电子
，更具体地，涉及一种电子器件。
技术介绍
在半导体器件的设计中，诸如晶体管，存在与增益和安全操作区域(SOA)性能相关的利益冲突。安全操作区域被定义为能够预期器件在无自我损坏的情况下操作的电压和电流条件。高增益意味着晶体管将有效率地操作，但具有高增益的晶体管通常可能意味着SOA的范围较小。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种电子器件，所述电子器件包括：第一栅电极，所述第一栅电极用于供应栅极电压；源极；漏极；沟道，所述沟道被掺杂为在向所述第一栅电极施加电压时，使得电流能够从所述漏极流向所述源极；以及第一栅极绝缘体，所述第一栅极绝缘体处于所述沟道和所述第一栅电极之间，所述第一栅极绝缘体包括：第一栅极绝缘体区段，所述第一栅极绝缘体区段具有第一厚度；和第二栅极绝缘体区段，所述第二栅极绝缘体区段具有不同于所述第一厚度的第二厚度。附图说明参考以下附图来描述实施方案。在所有幅附图中，使用相同的附图标记用于指代类似的特征和部件。附图中所示的特征未必是按比例示出的。实施方案的某本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括：/n第一栅电极，所述第一栅电极用于供应栅极电压；/n源极；/n漏极；/n沟道，所述沟道被掺杂为在向所述第一栅电极施加电压时，使得电流能够从所述漏极流向所述源极；和/n第一栅极绝缘体，所述第一栅极绝缘体处于所述沟道和所述第一栅电极之间，所述第一栅极绝缘体包括：/n第一栅极绝缘体区段，所述第一栅极绝缘体区段具有第一厚度；和/n第二栅极绝缘体区段，所述第二栅极绝缘体区段具有不同于所述第一厚度的第二厚度。/n

【技术特征摘要】
20190314 US 62/818,212;20190624 US 16/450,1491.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括：
第一栅电极，所述第一栅电极用于供应栅极电压；
源极；
漏极；
沟道，所述沟道被掺杂为在向所述第一栅电极施加电压时，使得电流能够从所述漏极流向所述源极；和
第一栅极绝缘体，所述第一栅极绝缘体处于所述沟道和所述第一栅电极之间，所述第一栅极绝缘体包括：
第一栅极绝缘体区段，所述第一栅极绝缘体区段具有第一厚度；和
第二栅极绝缘体区段，所述第二栅极绝缘体区段具有不同于所述第一厚度的第二厚度。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：
所述第一栅极绝缘体区段具有第一长度，
所述第二栅极绝缘体区段具有第二长度，并且
所述第一长度长于所述第二长度。


3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：
所述第一栅极绝缘体区段具有第一长度，
所述第二栅极绝缘体区段具有第二长度，并且
所述第一长度短于所述第二长度。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·帕德玛纳伯翰，P·文卡特拉曼，Z·豪森，唐纳德·扎里姆巴，戈登·M·格里芙尼亚，亚历山大·杨，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US