阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:25712998 阅读:42 留言:0更新日期:2020-09-23 02:58
本发明专利技术公开了一种阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,包括:衬底基板;阵列层,设置于衬底基板上,包括多个驱动晶体管;色阻层,位于阵列层远离衬底基板的一侧,包括多个色阻,色阻包括多个第一过孔,沿垂直于衬底基板的方向,第一过孔贯穿色阻并暴露驱动晶体管的第一极;色阻包括靠近阵列层的第一表面,第一过孔的内壁与第一表面的夹角为β;第一绝缘层,位于色阻层远离阵列层的表面,包括多个第二过孔,沿垂直于衬底基板的方向,第二过孔贯穿第一绝缘层,且第二过孔和第一过孔在衬底基板的正投影交叠且暴露至少部分第一极;第二过孔的内壁与第一表面的夹角为α,其中,β≤α。如此有利于改善第二过孔中导电材料爬坡容易发生断线的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
,更具体地,涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
从CRT(CathodeRayTube,阴极射线管)时代到液晶时代,再到现在到来的OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)时代,显示行业经历了几十年的发展变得日新月异。显示产业已经与我们的生活息息相关,从传统的手机、平板、电视和PC,再到现在的智能穿戴设备和VR等等都离不开显示技术。COA(ColorFilterOnArray,彩色滤光阵列基板)技术是一种将彩色滤光片直接做到阵列基板上的一种集成技术。传统的彩色滤光阵列基板中,将色阻集成到阵列基板中后,色阻通常设置在阵列层与平坦层之间,为实现阵列层与像素电极的电连接,通常需要在色阻和平坦层上进行打孔。色阻通常为负性光阻材料,由于负性光阻材料的Taper角(在色阻上打孔后孔壁与色阻底部之间的夹角,即坡度角)较大,导致孔内导电材料爬坡难度较大,容易出现断线的问题,大大降低了产品良率。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种阵列基板及显示装置,有利于改善现有技术中孔内导电材料爬坡难度较大,容易出现断线的问题,有利于提升产品生产良率。第一方面,本申请提供一种阵列基板,包括:衬底基板;阵列层,设置于所述衬底基板上,包括多个驱动晶体管;色阻层,位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧,包括多个色阻,所述色阻包括多个第一过孔,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一过孔贯穿所述色阻并暴露所述驱动晶体管的第一极;所述色阻包括靠近所述阵列层的第一表面,所述第一过孔的内壁与所述第一表面的夹角为β;第一绝缘层,位于所述色阻层远离所述阵列层的表面,包括多个第二过孔,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层,且所述第二过孔和所述第一过孔在所述衬底基板的正投影交叠且暴露至少部分所述第一极;所述第二过孔的内壁与所述第一表面的夹角为α,其中,β≤α。第二方面,本申请提供一种显示装置,包括本申请所提供的阵列基板。与现有技术相比,本专利技术提供的阵列基板及显示装置,至少实现了如下的有益效果:本专利技术所提供的阵列基板及显示装置中,用了COA技术,即将色阻层集成在了阵列基板上,色阻层位于阵列层和第一绝缘层之间,此处的第一绝缘层例如可以体现为平坦层,用于为后续膜层提供平坦化表面。本申请的色阻层上包括与色阻对应的多个第一过孔,第一过孔沿垂直于衬底基板的方向贯穿色阻并暴露驱动晶体管的第一极,第一过孔的坡度角(即第一过孔的内壁与第一表面的夹角)为β;第一绝缘层上包括多个第二过孔,第二过孔沿垂直于衬底基板的方向贯穿第一绝缘层并暴露驱动晶体管的第一极的至少部分,第二过孔的坡度角(即第二过孔的内壁与第一表面的夹角)为α,本申请将第二过孔的坡度角α设计为大于等于第一过孔的坡度角β,如此,在第一过孔和第二过孔对应的位置,第一绝缘层能够将第一过孔的内壁完全覆盖,导电材料将能够沿着第一绝缘层对应的第二过孔内壁爬坡,有利于改善现有技术中孔内导电材料爬坡难度较大,容易出现断线的问题,有利于提升产品生产良率。当然,实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述,本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例,并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1所示为现有技术中在色阻层上形成过孔的一种结构示意图;图2所示为本申请实施例所提供的阵列基板的一种俯视图;图3所示为图2中阵列基板的一种AA’截面图;图4所示为图2中第一过孔和第二过孔位置的局部放大图;图5所示为第一过孔在第一端面的孔径与色阻的坡度角的对应关系图;图6为第一过孔在第一端面的不同孔径与色阻的坡度角对应的一种结构示意图;图7为第一过孔在第一端面的不同孔径与色阻的坡度角对应的另一种结构示意图;图8为第一过孔在第一端面的不同孔径与色阻的坡度角对应的另一种结构示意图;图9所示为阵列基板中色阻与第一绝缘层的一种结构示意图;图10所示为现有技术中色阻和第一绝缘层的一种相对位置关系图;图11所示为在第一过孔和第二过孔对应位置色阻和第一绝缘层的一种相对位置关系图;图12所示为在第一过孔和第二过孔对应位置色阻和第一绝缘层的另一种相对位置关系图;图13所示为图2中阵列基板的另一种AA’截面图;图14所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构图;图15所示为图14中显示装置的一种BB’截面图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。图1所示为现有技术中在色阻上形成过孔的一种结构示意图,当将色阻层集成在阵列基板上时,色阻通常设置于阵列层和像素电极之间,为实现像素电极与阵列层的电连接,通常需要在色阻40’上制作过孔41’。由于色阻通常采用负性光阻材料制作,在色阻40上形成过孔41’时,过孔41’对应的Taper(即坡度角)较大,形成如图1所示的结构。当在该过孔41’中制作导电材料以实现阵列层与像素电极层的电连接时,导电材料在图1所示形状的过孔中爬坡难度较大,极易出现断线的情况,严重影响产品的生产良率。有鉴于此,本专利技术提供了一种阵列基板及显示装置,有利于改善现有技术中孔内导电材料爬坡难度较大,容易出现断线的问题,有利于提升产品生产良率。以下将结合附图和具体实施例进行详细说明。图2所示为本申请实施例所提供的阵列基板的一种俯视图,图3所示为图2中阵列基板的一种AA’截面图,图4所示为图2中第一过孔和第二过孔位置的局部放大图,请参见图2至图4,本申请提供一种阵列基板100,包括:衬底基板10;阵列层20,设置于衬底基板10上,包括多个驱动晶体管21;色阻层30,位于阵列层20远离衬底基板10的一侧,包括多个色阻40,色阻40包括多个第一过孔41,沿垂直于衬底基板10的方向,第一过孔41贯穿色阻40并暴露驱动晶体管21的第一极;色阻40包括靠近阵列层20的第一表面43,第一过孔41的内壁与第一表面43的夹角为β;本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n衬底基板;/n阵列层,设置于所述衬底基板上,包括多个驱动晶体管;/n色阻层,位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧,包括多个色阻,所述色阻包括多个第一过孔,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一过孔贯穿所述色阻并暴露所述驱动晶体管的第一极;所述色阻包括靠近所述阵列层的第一表面,所述第一过孔的内壁与所述第一表面的夹角为β;/n第一绝缘层,位于所述色阻层远离所述阵列层的表面,包括多个第二过孔,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层,且所述第二过孔和所述第一过孔在所述衬底基板的正投影交叠且暴露至少部分所述第一极;所述第二过孔的内壁与所述第一表面的夹角为α,其中,β≤α。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
阵列层,设置于所述衬底基板上,包括多个驱动晶体管;
色阻层,位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧,包括多个色阻,所述色阻包括多个第一过孔,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一过孔贯穿所述色阻并暴露所述驱动晶体管的第一极;所述色阻包括靠近所述阵列层的第一表面,所述第一过孔的内壁与所述第一表面的夹角为β;
第一绝缘层,位于所述色阻层远离所述阵列层的表面,包括多个第二过孔,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层,且所述第二过孔和所述第一过孔在所述衬底基板的正投影交叠且暴露至少部分所述第一极;所述第二过孔的内壁与所述第一表面的夹角为α,其中,β≤α。


2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一过孔包括与所述阵列层相邻的第一端面和与所述第一绝缘层相邻的第二端面,所述第一过孔在所述第一端面的孔径为D1;所述第二过孔包括与所述阵列层相邻的第三端面和远离所述阵列层的第四端面,所述第二过孔在所述第三端面的孔径为D2,其中,D1>D2。


3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,30°≤α≤70°。


4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄庭曦刘晓莉邱英彰滕用进林丽敏
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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