基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法技术

技术编号:25706064 阅读:28 留言:0更新日期:2020-09-23 02:53
本发明专利技术公开了一种基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法,主要解决现有微热板温度分布不均和功耗大的问题,其自下而上包括:硅衬底(1),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4);覆盖层(4)的上部中间设有测试电极(5)和加热电极(6),且测试电极(5)被加热电极(6)所包围,覆盖层(4)上部的四个对角位置设有极板(7),该硅衬底(1)通过腐蚀形成空气绝热槽(8),该上绝缘层(3)中间自上而下设有通孔阵列(10)和空气隔热层(9),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)通过腐蚀同时形成加热平台(11)和悬臂(12),本发明专利技术温度分布均匀、功耗低,可用于气体传感器的加热装置。

【技术实现步骤摘要】
基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法本专利技术属于微电子器件
,特别涉及MEMS微热板及其制作方法,可用于气体传感器中的加热装置。技术背景当前,微机电系统MEMS气体传感器以其高灵敏度、低功耗、小体积、易集成等众多优势,在人工智能、物联网、空气质量监测、化工生产和安全家居等领域发挥着极其重要的作用。MEMS气体传感器通常由MEMS微热板和气敏膜两部分组成,其中MEMS微热板发挥着至关重要的作用,它用于提供一个稳定且恒定的工作温度,以确保气敏膜可以准确地检测被测气体浓度变化,参见赵如如,MEMS集成甲醛传感器设计及性能检测研究,哈尔滨理工大学,2014。传统MEMS微热板结构,如图1所示,其中图1a为传统MEMS微热板的俯视图,图1b为传统MEMS微热板的AB剖面,图1c为传统MEMS微热板的CD剖面,图1d为传统MEMS微热板的EF剖面,图1e为传统MEMS微热板中加热电极的俯视图。该传统MEMS微热板自下而上包括:硅衬底、下绝缘层、加热电极、下电极板、上绝缘层、测试电极、上电极板和测试极板,该硅衬底通过腐蚀形成空气绝热槽,所述下电极板和上电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于空气隔热层的MEMS微热板,包括:硅衬底(1),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)、覆盖层(4)、测试电极(5)、加热电极(6)、极板(7)、空气绝热槽(8)、加热平台(11)和悬臂(12);硅衬底(1)、下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)自下而上分布,极板(7)位于覆盖层(4)上部的四个对角位置,加热平台(11)和悬臂(12)通过腐蚀下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)同时形成,空气绝热槽(8)通过腐蚀硅衬底(1)形成,其特征在于:/n上绝缘层(3)中间自上而下设有通孔阵列(10)和空气隔热层(9);该空气隔热层(9)为长方体空腔,其下界面与下绝缘层(2)的上界面重合,...

【技术特征摘要】
1.基于空气隔热层的MEMS微热板,包括:硅衬底(1),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)、覆盖层(4)、测试电极(5)、加热电极(6)、极板(7)、空气绝热槽(8)、加热平台(11)和悬臂(12);硅衬底(1)、下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)自下而上分布,极板(7)位于覆盖层(4)上部的四个对角位置,加热平台(11)和悬臂(12)通过腐蚀下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)同时形成,空气绝热槽(8)通过腐蚀硅衬底(1)形成,其特征在于:
上绝缘层(3)中间自上而下设有通孔阵列(10)和空气隔热层(9);该空气隔热层(9)为长方体空腔,其下界面与下绝缘层(2)的上界面重合,该长方体空腔在水平方向位于加热平台的区域内,其与加热平台边界的水平间距Q均相等,Q≥0μm;
加热电极(6)和测试电极(5)位于覆盖层(4)的上部中间同一层,且测试电极(5)被加热电极(6)所包围。


2.根据权利要求1所述的微热板,其特征在于,加热电极(6),其采用环绕形结构,以便于对测试电极(5)实施包围。


3.根据权利要求1所述的微热板,其特征在于,测试电极(5),其采用插指形结构,以提高测试的准确度。


4.根据权利要求1所述的微热板,其特征在于,硅衬底(1)选取p型(100)的硅片,其厚度h为200~500μm。


5.根据权利要求1所述的微热板,其特征在于,
下绝缘层(2)的厚度td为1~5μm;
上绝缘层(3)的厚度tu为1~2.5μm;
覆盖层(4)的厚度tc为2~4μm。
空气隔热层(9)的厚度ta为0.5~2.0μm,且ta<tu,其中tu为上绝缘层(3)的厚度。


6.根据权利要求1所述的微热板,其特征在于,空气绝热槽(8)的深度g为5~100μm,其上表面在水平方向大于加热平台(11)区域,且上表面各边在水平方向与加热平台(11)边界的距离B均相等,20μm≤B≤150μm。


7.根据权利要求1所述的微热板,其特征在于,通孔阵列(10)由p行、p列大小相同的正方形通孔组成,p≥2,各正方形通孔的边长U满足0μm<U<1μm,相邻两正方形通孔的间距j满足0μm<j<10μm,最外围正方形通孔的边界...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨翠毛维闵星艾治州史芝纲王晓飞
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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