一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置制造方法及图纸

技术编号:25706043 阅读:47 留言:0更新日期:2020-09-23 02:53
本发明专利技术提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置,该装置包括线圈、灌封胶、磁屏蔽罩、翻转器骨架、出线盒、压线绝缘条。所述装置中的线圈选择阳极氧化处理后的扁形纯铝线,且在两个骨架的相对面处采用适应中子束流尺寸的绕制方式,提高了磁场均匀度及中子透过率。该装置可灵活地调节中子极化方向的翻转程度。装置能满足中子极化方向的翻转要求,有效地提高谱仪的探测精度及效率。本发明专利技术配合进动磁场生成装置,可用于表征高分子聚合物、流体、溶胶、合金、生物大分子等材料内部的如空洞、缺陷、磁结构等纳米至微米尺度的亚微观结构信息,对材料特性的基础研究等方面起到指导性作用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置
本专利技术涉及小角中子散射
,具体涉及一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置。
技术介绍
用于自旋回波小角中子散射谱仪的翻转中子极化方向的磁场生成装置配合进动磁场生成装置,可用于表征高分子聚合物、流体、溶胶、合金、生物大分子等材料内部的如空洞、缺陷、磁结构等纳米至微米尺度的亚微观结构信息,对材料特性的基础研究等方面起到指导性作用。自旋回波小角中子散射谱仪利用两组翻转中子极化方向的磁场生成装置,通过磁场的突变开启或终止中子的进动,并通过翻转中子极化方向,解析出样品的结构信息。而现有的翻转装置磁场均匀度较差,中子透过率较低,干扰磁场较大,不能满足中子极化方向的翻转要求,从而直接降低了谱仪的探测精度及效率。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置。本专利技术具体采用如下技术方案:一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置,其特征在于,所述装置包括线圈、灌封胶、磁屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置,其特征在于,所述装置包括线圈(1)、灌封胶(2)、磁屏蔽罩(3)、翻转器骨架(4)、出线盒(5)、压线绝缘条(6);其连接关系是:所述的灌封胶(2)紧密涂覆于线圈(1)的外周,所述的磁屏蔽罩(3)包覆于线圈(1)中段,所述的出线盒(5)固定在压线绝缘条(6)上,固定在翻转器骨架(4)上;其中,所述的翻转器骨架(4)包括中子入射向骨架(7)、中子出射向骨架(8)、定距板(9)、连接角件(10);所述的中子入射向骨架(7)具有V型开口,同时开口边缘处略高于骨架平面从而起到固定线圈的作用;所述的中子出射向骨架(8)和中子入射向骨架(7)结构...

【技术特征摘要】
1.一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置,其特征在于,所述装置包括线圈(1)、灌封胶(2)、磁屏蔽罩(3)、翻转器骨架(4)、出线盒(5)、压线绝缘条(6);其连接关系是:所述的灌封胶(2)紧密涂覆于线圈(1)的外周,所述的磁屏蔽罩(3)包覆于线圈(1)中段,所述的出线盒(5)固定在压线绝缘条(6)上,固定在翻转器骨架(4)上;其中,所述的翻转器骨架(4)包括中子入射向骨架(7)、中子出射向骨架(8)、定距板(9)、连接角件(10);所述的中子入射向骨架(7)具有V型开口,同时开口边缘处略高于骨架平面从而起到固定线圈的作用;所述的中子出射向骨架(8)和中子入射向骨架(7)结构相同,二者V型开口反向翻转90°放置,两个骨架相对面处留有稍大于中子束斑大小的通道,该通道用以中子束流通过;且所述的中子入射向骨架(7)和中子出射向骨架(8)通过位于翻转器骨架(4)中段的连接角件(10)固定连接;
所述的线圈(1)采用扁导线绕制,所述的线圈(1)紧贴于中子入射向骨架(7)和中子出射向骨架(8)沿V形开口方向绕制,为极化中子改变自旋方向提供过渡磁场,且在中子入射向骨架(7)和中子出射向骨架(8)的相对面处采用适应中子束流尺寸的绕制方式;所述的压线绝缘条(6)固定在中子入射向骨架(7)未绕制线圈(1)的一侧或中子出射向骨架(8)未绕制线圈(1)的一侧,远离中子束流中心。


2.如权利要求1所述的用于自旋回波小角中子散射谱仪的中子极化方向翻转装置,其特征在于,所述的定距板(9)一共四个,两个为一组,一组定距板(9)对称地固定于中子入射向骨架(7)并相对中子出射向骨架(8)一面的两侧、且垂直于中子入射向骨架(7)上线圈(1)的绕制方向放置,另一组定距板(9)对称地固定于中子出射向骨架(8)并相对中子入射向骨架(7)一面的两侧、且垂直于中子出射向骨架(8)上线圈(1)的绕制方向放置。


3.如权利要求书1所述的用于自旋回波小角中子...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴瞻宇屠小青孙光爱黄朝强王燕庞蓓蓓王宗悦王云潘建
申请(专利权)人:中国工程物理研究院核物理与化学研究所
类型:发明
国别省市:四川;51

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