防止LED管芯污染的方法技术

提供一种允许反射层邻接倚靠金属接触部的边缘同时防止LED管芯的金属接触部的污染的方法。该方法包括在沉积反射膜层之前用阻挡层封装电接触（即，金属接触部）过孔。阻挡层通过限定具有比金属接触部过孔更大大小的掩模图案来封装金属接触部，这防止了金属接触部被反射膜污染。这种封装减少了金属接触部的污染，并且还减少了LED管芯工作期间的电压降。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防止LED管芯污染的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年12月14日提交的美国非临时申请15/842,391和2018年1月31日提交的欧洲专利申请第18154461.0号的权益，它们的内容通过引用在此并入本文。
本专利技术大体上涉及发光二极管（LED），并且更具体地涉及最小化LED处理期间的污染。
技术介绍
包括变化的LED管芯架构的应用是已知的。在需要电接触的LED布置的区域中创建过孔。本领域普通技术人员理解，在沉积期间或在随后的处理步骤中，诸如银（Ag）和铝（Al）的可移动原子可以迁移或以其他方式重定位到过孔中。这在某些LED管芯中尤其成问题，因为已知Ag污染下面的外延。防止污染的典型方法是提供阻挡层（或如图1中示出的电介质层114），并在位于下面的阻挡材料中的过孔和位于Ag层中的过孔之间提供大的偏移。随后通过覆盖保护板材料（诸如镍（Ni）或钨（W））来密封Ag层，这导致Ag层的总表面积的减少，并减少了每个LED管芯上的反射面积。生产LED管芯通常涉及多轮掩模和光刻，这需要第二沉积层中的大的过孔大小，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成发光二极管（LED）管芯的方法，所述方法包括：/n（a）提供管芯，/n所述管芯最初包括衬底和外延基底层、包括在电接触的区中限定过孔的电介质层、以及在所述过孔内的金属接触部；/n（b）在远离所述基底层的整个表面上方沉积阻挡层；/n（c）在位于覆盖所述金属接触部的所述管芯的区中的所述阻挡层上沉积图案化的光阻层；/n（d）在远离所述基底层的整个表面上方沉积反射层；以及/n（e）剥离所述图案化的光阻层和所述反射层的覆盖部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180131 EP 18154461.0;20171214 US 15/8423911.一种形成发光二极管（LED）管芯的方法，所述方法包括：
（a）提供管芯，
所述管芯最初包括衬底和外延基底层、包括在电接触的区中限定过孔的电介质层、以及在所述过孔内的金属接触部；
（b）在远离所述基底层的整个表面上方沉积阻挡层；
（c）在位于覆盖所述金属接触部的所述管芯的区中的所述阻挡层上沉积图案化的光阻层；
（d）在远离所述基底层的整个表面上方沉积反射层；以及
（e）剥离所述图案化的光阻层和所述反射层的覆盖部分。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤（b）的所述阻挡层形成为图案化的阻挡层。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤（b）的所述阻挡层通过剥离图案化或湿法蚀刻形成。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属接触部由金铍（AuBe）化合物形成。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反射层的横向边缘直接邻接倚靠所述阻挡层的横向边缘。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反射层的顶部表面和所述阻挡层的顶部表面在邻近所述金属接触部的管芯的区中是共面的。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤（c）通过剥离图案化、湿法蚀刻或光刻来执行。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤（e）之后形成的所述LED管芯具有有着在46.0nm-50.0nm之间的表面粗糙度的上部表面形貌。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述LED管芯是磷化铝铟镓（AlInGaP）LED器件。


10.一种形成发光二极管（LED）管芯的方法，所述方法包括：
（a）提供管芯，
所述管芯最初包括衬底和外延基底层、包括在电接触的区中限定过孔的电介质层、以及在所述过孔内的金属接触部；
（b）在远离位于覆盖所述金属接触部的所述管芯的区中的所述基底层的表面上沉积图案化的光阻层；
（c）在远离所述基底层的整个表...

【专利技术属性】
技术研发人员：关裕秋，马黎，L·张，K·M·戴维斯，李柄萱，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US