一种防反接电路制造技术

本发明专利技术公开了一种防反接电路，防反接电路连接至由第一引脚和第二引脚组成的对外接口J1，防反接电路包括NMOS管M1和PMOS管M5、第一二极管D4和第二二极管D5，其中：第一二极管D4的负极、第二二极管D5的正极、NMOS管M1的栅极、PMOS管M5的栅极均连接至对外接口J1的第一引脚；NMOS管M1的漏极、PMOS管M5的漏极均连接至对外接口J1的第二引脚；NMOS管M1的源极连接第一二极管D4的正极，PMOS管M5的源极连接第二二极管D5的负极；负载RL两端分别连接第一二极管D4的正极、第二二极管D5的负极。本发明专利技术的对外接口J1被正接还是反接，都能保证负载RL正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种防反接电路
本专利技术涉及保护电路领域，具体是一种防反接电路。
技术介绍
在没有防反接电路的设计中，如果用户接反电源正、负极，可能会发生意外事故或者烧坏电子产品。为了防止这些意外发生，提高产品的可靠性，我们可以设计一个防反接的电路。我们可以用二极管设计防反接，也可以用场效应管设计防反接电路。使用二极管设计防反接电路虽然简单、成本低，但会占用较多的压降。场效应管导通内阻很小，通常只有几个毫欧姆，压降非常小。CN205160498U提供一种防反接电路，其中：防反接电路连接至由第一引脚和第二引脚组成的对外接口；防反接电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一二极管和第二二极管；第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极和第一二极管的正极分别连接至对外接口的第一引脚；第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的漏极和第二二极管的正极分别连接至对外接口的第二引脚；第一二极管的负极和第二二极管的负极分别连接至负载的第一端；第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别连接至负载的第二端。该电路采用两个场效应管和两个二极管组合实现防反接，但是该电路的特定接线结构，会导致输入电压局限于5-30V，存在实际应用范围小的缺陷。
技术实现思路
本申请为解决
技术介绍
中存在的问题，提出了一种防反接电路。技术方案：一种防反接电路，防反接电路连接至由第一引脚和第二引脚组成的对外接口J1，防反接电路包括NMOS管M1和PMOS管M5、第一二极管D4和第二二极管D5，其中：-第一二极管D4的负极、第二二极管D5的正极、NMOS管M1的栅极、PMOS管M5的栅极均连接至对外接口J1的第一引脚；-NMOS管M1的漏极、PMOS管M5的漏极均连接至对外接口J1的第二引脚；-NMOS管M1的源极连接第一二极管D4的正极，PMOS管M5的源极连接第二二极管D5的负极；-负载RL两端分别连接第一二极管D4的正极、第二二极管D5的负极。优选的，防反接电路还包括第一限流电阻R4和第二限流电阻R5，所述PMOS管M5的栅极通过第一限流电阻R4连接至至对外接口J1的第一引脚；所述NMOS管M1的栅极通过第二限流电阻R5连接至至对外接口J1的第一引脚。更优的，防反接电路还包括第一稳压二极管D6和第二稳压二极管D7，第一稳压二极管D6接在PMOS管M5的栅极和源极之间；第二稳压二极管D7接在NMOS管M1的栅极和源极之间。本专利技术的有益效果当本专利技术的防反接电路应用在电子设备当中时，电子设备的负载可以通过防反接电路连接到对外接口J1，实现当该对外接口J1连接到外部接口时，无论该对外接口J1被正接还是反接，都能保证负载RL正常工作。本专利技术所采用的MOS管和二极管的接线结构，将输入电压范围扩大到MOS管的VDS值，使电路更符合实际环境中的应用。同时该电路还可以应用在单向整流电路中，解决二极管桥式整流电路损耗过大的问题，扩大的产品的应用范围。附图说明图1为本专利技术的实施例1的电路接线图。图2为本专利技术的实施例2的电路接线图。图3为本专利技术的实施例3的电路接线图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步说明，但本专利技术的保护范围不限于此：实施例1：结合图1，一种防反接电路，防反接电路连接至由第一引脚和第二引脚组成的对外接口J1，其特征在于防反接电路包括NMOS管M1和PMOS管M5、第一二极管D4和第二二极管D5，其中：-第一二极管D4的负极、第二二极管D5的正极、NMOS管M1的栅极、PMOS管M5的栅极均连接至对外接口J1的第一引脚；-NMOS管M1的漏极、PMOS管M5的漏极均连接至对外接口J1的第二引脚；-NMOS管M1的源极连接第一二极管D4的正极，PMOS管M5的源极连接第二二极管D5的负极；-负载RL两端分别连接第一二极管D4的正极、第二二极管D5的负极。工作原理：当J1引脚1加高电压、引脚2加低电压时，由于NMOS管M1和二极管的导通特性，则D4负极加高电压，D4截止；D5正极加高电压，D5导通；NMOS管M1的栅极加高电压，Vgs＞Vt、同时被钳位到15V，则M1导通，且此时NMOS管M1的漏极接的是低电压，因此电流从M1的源极流向漏极，可以等效于NMOS管M1本体寄生二极管导通，压降小；M5的栅极加高电压，Vgs＜Vt，则M5截止。因此电流从J1引脚1通过D5、负载RL的第一端、负载RL的第二端、M1回到J1引脚2，从而形成一个回路。当J1引脚2加高电压、引脚1加低电压时，由于PMOS管M5和二极管的导通特性，则D4负极加低电压，D4导通；D5正极加低电压，D5截止，PMOS管M5的栅极加低电压，Vgs＞Vt，则M5导通、同时被钳位到15V，且此时PMOS管M5的漏极接的是低电压，因此电流从M5的源极流向漏极，可以等效于PMOS管M5本体寄生二极管导通，压降小；M1的栅极加低电压，Vgs＜Vt，则M1截止。因此电流从J1引脚2通过M5、负载RL的第一端、负载RL的第二端、D4回到J1引脚1，从而形成一个回路。当本专利技术的防反接电路应用在电子设备当中时，可以保证不管对外接口J1是正接还是反接，都能保证负载RL正常工作，且有效地降低了电压通过的压降，减少损耗。实施例2：结合图2，本实施例与实施例1的区别在于，它还包括第一限流电阻R4和第二限流电阻R5，所述PMOS管M5的栅极通过第一限流电阻R4连接至至对外接口J1的第一引脚；所述NMOS管M1的栅极通过第二限流电阻R5连接至至对外接口J1的第一引脚。保护电阻可以用来调节MOS管的通断速度，当栅极保护电阻小，则MOS管的通断速度快，开关损耗小；反之当栅极保护电阻大，则MOS管的通断速度慢，开关损耗大。然而通断速度过快将使得MOS管的电压和电流变化率大大提供，从而产生较大的干扰，影响整个装置的工作，因此本专利技术中的保护电阻的阻值可以根据实际需要进行设置。此外，MOS管栅极和源极之间会产生一个寄生电容，在栅极电压驱动下会产生很强的振荡，保护电阻可以与串联在MOS管栅极和源极之间的寄生电容形成串联的防振荡电路，减少振荡。实施例3：结合图3，本实施例与实施例2的区别在于，它同时包括第一稳压二极管D6和第二稳压二极管D7，以及第一限流电阻R4和第二限流电阻R5；第一稳压二极管D6接在PMOS管M5的栅极和源极之间；第二稳压二极管D7接在NMOS管M1的栅极和源极之间。所述PMOS管M5的栅极通过第一限流电阻R4连接至至对外接口J1的第一引脚；所述NMOS管M1的栅极通过第二限流电阻R5连接至至对外接口J1的第一引脚。该方案兼具实施例1-2的所有优点。同时当输入电压高于MOS管栅极最高电压时，并接在栅极和源极的稳压二极管可以保护MOS栅极。以此扩大电路电压的输入范围，提升电路的适用性。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防反接电路，防反接电路连接至由第一引脚和第二引脚组成的对外接口J1，其特征在于防反接电路包括NMOS管M1和PMOS 管M5、第一二极管D4和第二二极管D5，其中：/n-第一二极管D4的负极、第二二极管D5的正极、NMOS管M1的栅极、PMOS 管M5的栅极均连接至对外接口J1的第一引脚；/n-NMOS管M1的漏极、PMOS 管M5的漏极均连接至对外接口J1的第二引脚；/n-NMOS管M1的源极连接第一二极管D4的正极，PMOS 管M5的源极连接第二二极管D5的负极；/n-负载RL两端分别连接第一二极管D4的正极、第二二极管D5的负极。/n

【技术特征摘要】
1.一种防反接电路，防反接电路连接至由第一引脚和第二引脚组成的对外接口J1，其特征在于防反接电路包括NMOS管M1和PMOS管M5、第一二极管D4和第二二极管D5，其中：
-第一二极管D4的负极、第二二极管D5的正极、NMOS管M1的栅极、PMOS管M5的栅极均连接至对外接口J1的第一引脚；
-NMOS管M1的漏极、PMOS管M5的漏极均连接至对外接口J1的第二引脚；
-NMOS管M1的源极连接第一二极管D4的正极，PMOS管M5的源极连接第二二极管D5的负极；
-负载RL两端分别连接第一二极管D4...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦洪胜，刘万国，张杭，
申请(专利权)人：南京影宸影视器材有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32