一种介质滤波器耦合转换结构及通信设备制造技术

本发明专利技术公开了一种介质滤波器耦合转换结构，包括陶瓷介质体，在所述陶瓷介质体上设有第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔，在所述陶瓷介质体、第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔的表面均通过金属化处理形成金属屏蔽层；所述第二谐振盲孔为台阶孔，且所述第二谐振盲孔的深度大于或等于耦合盲孔的深度；本发明专利技术还公开了一种通信设备。本发明专利技术中设置有台阶状的谐振孔，通过调节台阶孔的半径比，台阶的高度差能够调整高次模的谐振频率，从而增大对远端寄生的衰减，提高了全盲孔结构介质滤波器远端的带外抑制；加工工艺简单，实现方便，使用效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种介质滤波器耦合转换结构及通信设备
本专利技术涉及介质滤波器领域，特别涉及一种介质滤波器耦合转换结构及通信设备。
技术介绍
滤波器是微波通信系统中不可或缺的电子元件，其性能决定了通信系统的质量。随着5G通信技术的到来，5G基站天线端口数从传统8端口增加到64端口、128端口，大幅度提升了滤波器的需求量。因此，小体积、轻量化、高性能滤波器应运而生且势在必行。而介质滤波器综合了腔体滤波器和传统介质滤波器的优良性能，故成为5G通信设备中最佳选择。随着通信系统对带外抑制要求越来越高，为了实现滤波器阻带高抑制，介质滤波器通常需要加交叉耦合来引入传输零点，从而改善滤波器阻带抑制，但是现有介质滤波器一般采用全盲孔结构，其远端寄生较大，从而影响了远端的滤波效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供了一种较好抑制远端寄生，提高远端滤波效果的介质滤波器耦合转换结构及通信设备。本专利技术的技术方案如下：一种介质滤波器耦合转换结构，包括陶瓷介质体，在所述陶瓷介质体上设有第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔，在所述陶瓷介质体、第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔的表面均通过金属化处理形成金属屏蔽层；所述第一谐振盲孔和第二谐振盲孔均开设在陶瓷介质体的上表面，所述耦合盲孔设置在第一谐振盲孔和第二谐振盲孔之间，在所述第一谐振盲孔和第二谐振盲孔之间形成耦合窗口；所述第二谐振盲孔为台阶孔，且所述第二谐振盲孔的深度大于或等于耦合盲孔的深度。进一步的，所述第二谐振盲孔包括开设在陶瓷介质体的上表面的第二主谐振孔以及开设在第二主谐振孔底面中心处的第二副谐振孔，所述第二主谐振孔和第二副谐振孔均为圆柱形孔，且所述第二主谐振孔的直径大于第二副谐振孔的直径。进一步的，所述第一谐振盲孔为圆柱形孔，且所述第一谐振盲孔的深度小于耦合盲孔的深度，所述第二主谐振孔的深度小于第一谐振盲孔的深度。进一步的，所述第一谐振盲孔为台阶孔，且所述第一谐振盲孔的深度大于或等于耦合盲孔的深度；所述第一谐振盲孔包括开设在陶瓷介质体的上表面的第一主谐振孔以及开设在第一主谐振孔底面中心处的第一副谐振孔，所述第一主谐振孔和第一副谐振孔均为圆柱形孔，且所述第一主谐振孔的直径大于第一副谐振孔的直径。进一步的，所述耦合盲孔为圆形、矩形、腰形或椭圆形。进一步的，所述耦合盲孔开设在陶瓷介质体的上表面。进一步的，所述耦合盲孔开设在陶瓷介质体的下表面。一种通信设备，包括介质滤波器，所述介质滤波器采用上述任一项所述的一种介质滤波器耦合转换结构。有益效果：本专利技术中，设置有台阶状的谐振孔，通过调节台阶孔的半径比和台阶的高度差能够调整高次模的谐振频率，从而增大对远端寄生的衰减，提高了全盲孔结构介质滤波器远端的带外抑制；加工工艺简单，实现方便，使用效果好。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种介质滤波器耦合转换结构的俯视图；图2为图1的剖面示意图；图3为本专利技术实施例一与传统谐振盲孔耦合转换结构的衰减曲线对比示意图；图4为本专利技术实施例一的耦合随频率变化曲线图；图5为本专利技术实施例二提供的一种介质滤波器耦合转换结构的剖面示意图；图6为本专利技术实施例三提供的一种介质滤波器耦合转换结构的剖面示意图；图7为本专利技术实施例四提供的一种介质滤波器耦合转换结构的剖面示意图。图中：1.第一谐振盲孔，2.第二谐振盲孔，3.耦合盲孔，10.陶瓷介质体，11.第一主谐振孔，12.第一副谐振孔，21.第二主谐振孔，22.第二副谐振孔。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术实施例中的技术方案，并使本专利技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术实施例中技术方案作进一步详细的说明。在本专利技术的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。实施例一如图1所示，本专利技术实施例一提供的一种介质滤波器耦合转换结构包括陶瓷介质体10，在所述陶瓷介质体10的上表面设有第一谐振盲孔1、第二谐振盲孔2和耦合盲孔3，在所述陶瓷介质体10、第一谐振盲孔1、第二谐振盲孔2和耦合盲孔3的表面均通过金属化处理形成金属屏蔽层。所述耦合盲孔3设置在第一谐振盲孔1和第二谐振盲孔2之间，在所述第一谐振盲孔1和第二谐振盲孔2之间形成耦合窗口；所述第一谐振盲孔1优选为圆柱形孔，且所述第一谐振盲孔1的深度小于耦合盲孔3的深度；所述第二谐振盲孔2为台阶孔，包括开设在陶瓷介质体10的上表面的第二主谐振孔21以及开设在第二主谐振孔21底面中心处的第二副谐振孔22，所述第二主谐振孔21的深度优选为小于第一谐振盲孔1的深度；所述第二主谐振孔21和第二副谐振孔22均优选为圆柱形孔，且所述第二主谐振孔21的直径大于第二副谐振孔22的直径。所述第二谐振盲孔2的深度(即第二主谐振孔21和第二副谐振孔22的深度之和)大于或等于耦合盲孔3的深度；所述耦合盲孔3为圆形、矩形、腰形或椭圆形，优选为圆形。本实施例能够通过调整耦合盲孔3的形状、孔径及深度，以及调整第一谐振盲孔1、第二主谐振孔21和第二副谐振孔22的孔径及深度，对谐振频率的大小进行调节。通过调节台阶孔的半径比，台阶的高度差还能够调整高次模的谐振频率，从而增大对远端寄生的衰减，提高全盲孔结构介质滤波器远端的带外抑制。如图3所示，为本实施例与现有技术的介质滤波器结构的衰减曲线对比图，本实施例将一个谐振盲孔更改为台阶孔后，高端阻带抑制更高。如图4所示，为本专利技术耦合转换结构耦合随频率变化曲线图。实施例二如图5所示，本专利技术实施例二提供的一种介质滤波器耦合转换结构与实施例一的区别在于：本实施例中，所述耦合盲孔3开设在陶瓷介质体10的下表面，其他结构与实施例一相同。本实施例的工作原理与实施例一相同，衰减曲线和耦合随频率变化曲线与实施例一相似。实施例三如图6所示，本专利技术实施例三提供的一种介质滤波器耦合转换结构与实施例一的区别在于：本实施例中，所述第一谐振盲孔1为台阶孔，包括开设在陶瓷介质体10的上表面的第一主谐振孔11以及开设在第一主谐振孔11底面中心处的第一副谐振孔12，所述第一主谐振孔11和第一副谐振孔12均为圆柱形孔，且所述第一主谐振孔11的直径大于第一副谐振孔12的直径；所述第一谐振盲孔1的深度(即第一主谐振孔11和第一副谐振孔12的深度之和)大于或等于耦合盲孔3的深度。本实施例的工作原理与实施例一相同，衰减曲线和耦合随频率变化曲线与实施例一相似。实施例四如图7所示，本专利技术实施例四提供的一种介质滤波器耦合转换结构与实施例三的区别在于：本实施例中，所述耦合盲孔3开设在陶瓷介质体10的下表面，其他结构与实施例三相同。本实施例的工作原理与实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质滤波器耦合转换结构，包括陶瓷介质体，其特征在于，在所述陶瓷介质体上设有第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔，在所述陶瓷介质体、第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔的表面均通过金属化处理形成金属屏蔽层；所述第一谐振盲孔和第二谐振盲孔均开设在陶瓷介质体的上表面，所述耦合盲孔设置在第一谐振盲孔和第二谐振盲孔之间，在所述第一谐振盲孔和第二谐振盲孔之间形成耦合窗口；所述第二谐振盲孔为台阶孔，且所述第二谐振盲孔的深度大于或等于耦合盲孔的深度。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质滤波器耦合转换结构，包括陶瓷介质体，其特征在于，在所述陶瓷介质体上设有第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔，在所述陶瓷介质体、第一谐振盲孔、第二谐振盲孔和耦合盲孔的表面均通过金属化处理形成金属屏蔽层；所述第一谐振盲孔和第二谐振盲孔均开设在陶瓷介质体的上表面，所述耦合盲孔设置在第一谐振盲孔和第二谐振盲孔之间，在所述第一谐振盲孔和第二谐振盲孔之间形成耦合窗口；所述第二谐振盲孔为台阶孔，且所述第二谐振盲孔的深度大于或等于耦合盲孔的深度。


2.根据权利要求1所述的一种介质滤波器耦合转换结构，其特征在于，所述第二谐振盲孔包括开设在陶瓷介质体的上表面的第二主谐振孔以及开设在第二主谐振孔底面中心处的第二副谐振孔，所述第二主谐振孔和第二副谐振孔均为圆柱形孔，且所述第二主谐振孔的直径大于第二副谐振孔的直径。


3.根据权利要求2所述的一种介质滤波器耦合转换结构，其特征在于，所述第一谐振盲孔为圆柱形孔，且所述第一谐振盲孔的深度小于耦合盲孔的深度，所述第二主谐振孔的深...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋廷利，彭胜春，靳文婷，罗文汀，解小东，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50