显示面板及显示面板的制备方法技术

本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板包括显示区和非显示区，在制备显示面板的电极层时，采用一道次半色调掩膜板工艺对各电极层进行处理，并且还对非显示区内的电极层热处理，使其晶粒化，从而增强并改善电极层与基板之间的粘接效果。本揭示实施例中的制备方法更加简单有效并且电极层与膜层之间的粘接效果更好。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示面板的制备方法
本揭示涉及面板显示
，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，各显示器件对显示面板的尺寸及性能提出了越来越高的要求。其中，有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，AMOLED)技术是面板行业的发展趋势，相比液晶显示器(Liquidcrystaldisplay，LCD)而言，OLED具有结构简化，色域更广，响应时间更快等优点。目前应用最广的是底发光型WOLED，在制备该底发光型器件时通常采用蒸镀的方法进行制备，但是该制备工艺对有机发光材料浪费极大，并且器件的开口率也较低，不利于高分辨率显示器件的应用。同时，对于现有工艺制备的顶发光型OLED器件而言，在制备过程中，往往采用的光罩次数多，并且工艺复杂。不利于显示面板综合性能的提高。综上所述，现有的显示面板以及显示面板的制备工艺技术中，存在着有机发光材料的浪费较严重，并且器件的开口率较低，同时，还存在着光刻次数多、制备工艺复杂等问题，不利于显示面板综合性能的提高。
技术实现思路
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有的显示面板中，有机发光材料的浪费较严重，并且器件的开口率较低，以及制备工艺复杂等问题。为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：S100：提供基板，在所述基板的显示区和非显示区上沉积钝化层并进行图案化处理；S101：在所示钝化层上制备平坦化层，并对所述钝化层和所述平坦化层图案化处理；S102：在所述平坦化层上制备复合阳极膜层并进行蚀刻工艺处理，其中，对所述非显示区对应的基板采用半色调掩膜板工艺进行处理；S103：对所述非显示区内的基板进行热处理，使所述非显示区对应的所述复合阳极膜层晶体化；S104：剥离所述非显示区域对应的所述复合阳极膜层多余的膜层，得到电极膜层；S105：制备像素定义层，并得到所述显示面板。根据本揭示一实施例，所述步骤S102中还包括：采用一步半色调掩膜板工艺同时对所述显示区和所述非显示区对应的基板进行光刻处理。根据本揭示一实施例，所述非显示区对应的掩膜板为半透过掩膜板。根据本揭示一实施例，所述步骤S103中，所述热处理工艺包括：在100℃～150℃下并在保护气体的保护作用下进行所述热处理。根据本揭示一实施例，制备所述复合阳极膜层时，所述复合阳极膜层包括依次设置的第一电极层、金属银以及第二电极层，且所述第一电极层设置在所述平坦化层上。根据本揭示一实施例，所述第一电极层通过过孔与所述显示面板内的薄膜晶体管和金属走线电连接。根据本揭示一实施例，所述步骤S100中，在制备所述钝化层时，所述钝化层远离所述基板一侧的膜层设置为SiNx膜层，所述SiNx膜层的厚度为5nm～500nm。根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上；平坦化层，所述平坦化层设置在所述显示区对应的所述钝化层上；以及像素定义层，所述像素定义层设置在所述显示区对应的所述平坦化层上；其中，所述显示面板还包括复合阳极膜层和第一电极层，所述复合阳极膜层设置在所述像素定义层对应的像素开口区域内，所述第一电极层设置在所述非显示区对应的钝化层上，且所述复合阳极膜层通过第一过孔与薄膜晶体管电连接，所述第一电极层通过第二过孔与所述衬底内的金属走线电连接。根据本揭示一实施例，所述复合阳极膜层包括氧化铟锡膜层、金属银层以及第二电极层，所述金属银层设置在所述氧化铟锡膜层上。根据本揭示一实施例，所述第一电极层包括晶粒化的氧化铟锡膜层。综上所述，本揭示实施例的有益效果为：本揭示实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板包括显示区和绑定区，在制备显示面板的电极层或氧化铟锡膜层时，采用一次半色调掩膜板工艺同时制备获得显示区和绑定区内对应的电极层，以简化显示面板的制备工艺。并且还对绑定区内的电极层热处理，使其晶粒化，并去除掉该电极层上的多余膜层。以进一步增强并改善电极层与基板之间的粘接效果。本揭示实施例中的制备方法更加简单有效并且，本实施例中提供的显示面板内的电极层与基板之间的粘接效果更好，显示面板的综合性能良好。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本揭示实施例提供的显示面板的结构示意图；图2为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；图3为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图；图3A～图3C为本揭示实施例提供的显示面板的制备方法对应的膜层结构示意图；图4A～图4D为本揭示实施例提供的复合阳极膜层制备工艺流程示意图；图5为本揭示实施例提供的第一电极层结晶示意图；图6为本揭示实施例提供的又一显示面板的膜层结构示意图。具体实施方式下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。显示面板已被广泛的应用于各种显示设备中，但是，在制备不同类型的显示面板时，尤其是在制备AMOLED面板，往往存在着材料的利用率不高，并且在制备过程中，需要较多道次的光罩处理，制备工艺较复杂，不利于显示面板综合性能的提高以及成本的降低。本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有技术中存在的问题，如图1所述，图1为本揭示实施例提供的显示面板的结构示意图。显示面板包括衬底10以及阵列基板11。阵列基板11设置在衬底10上，其中衬底10可包括玻璃基板或柔性基板，阵列基板11可为常用的薄膜晶体管阵列基板。以及显示区域12和非显示区域13。本揭示实施例中，非显示区域13围绕所述显示区12设置，同时，在非显示区域13内还包括绑定区14，在绑定区14还可设置多个连接端子，通过多个连接端子将部分器件及线路与阵列基板11相绑定。具体的，如图2所示，图2为本揭示实施例提供的显示面板的膜层结构示意图。显示面板包括显示区AA以及非显示区BB，显示区AA可与非显示区BB相邻，且非显示区BB靠近显示面板的边缘，本揭示实施例中，非显示区BB以显示面板边界处的绑定区为例进行说明。显示面板还包括衬底100、钝化层101以及绝缘层102，钝化层101设置在衬底100上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS100：提供基板，在所述基板的显示区和非显示区上沉积钝化层并进行图案化处理；/nS101：在所示钝化层上制备平坦化层，并对所述钝化层和所述平坦化层图案化处理；/nS102：在所述平坦化层上制备复合阳极膜层并进行蚀刻工艺处理，其中，对所述非显示区对应的基板采用半色调掩膜板工艺进行处理；/nS103：对所述非显示区内的基板进行热处理，使所述非显示区对应的所述复合阳极膜层晶体化；/nS104：剥离所述非显示区域对应的所述复合阳极膜层多余的膜层，得到电极膜层；/nS105：制备像素定义层，并得到所述显示面板。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100：提供基板，在所述基板的显示区和非显示区上沉积钝化层并进行图案化处理；
S101：在所示钝化层上制备平坦化层，并对所述钝化层和所述平坦化层图案化处理；
S102：在所述平坦化层上制备复合阳极膜层并进行蚀刻工艺处理，其中，对所述非显示区对应的基板采用半色调掩膜板工艺进行处理；
S103：对所述非显示区内的基板进行热处理，使所述非显示区对应的所述复合阳极膜层晶体化；
S104：剥离所述非显示区域对应的所述复合阳极膜层多余的膜层，得到电极膜层；
S105：制备像素定义层，并得到所述显示面板。


2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中还包括：采用一步半色调掩膜板工艺同时对所述显示区和所述非显示区对应的基板进行光刻处理。


3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述非显示区对应的掩膜板为半透过掩膜板。


4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S103中，所述热处理工艺包括：在100℃～150℃下并在保护气体的保护作用下进行所述热处理。


5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，制备所述复合阳极膜层时，所述复合阳极膜层包括依次设置的第一电极层、金属银以及第二电极层，且所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乐陶，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44