增大荧光分子的圆偏振发光的结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及增大荧光分子的圆偏振发光的结构及其制备方法，主要涉及圆偏振发光增大领域。本申请实施例提供的增大荧光分子的圆偏振发光的结构包括：基底、金属层和荧光分子，由于该锥形孔洞的开口处产生环流，使得锥形孔洞产生的电场和磁场之间的夹角很小，进而使得该结构中会产生手性场，由于手性场强的位置会诱导出强的手性差异，较强的手性差异可以增强荧光分子的发光强度，并且将荧光分子设置在该金属层远离基底的一侧，该结构手性差异最大的地方为该锥形孔洞远离基底的一侧，进而较强的手性差异进一步增强该荧光分子发光强度，进一步的实现了增大荧光分子的圆偏振发光的效果，另外，本申请提供的结构结构简单，易于制备。

【技术实现步骤摘要】
增大荧光分子的圆偏振发光的结构及其制备方法
本专利技术涉及圆偏振发光增大领域，主要涉及一种增大荧光分子的圆偏振发光的结构及其制备方法
技术介绍
圆偏振发光是当材料被激发后，手性发光体系产生发射强度不同的左旋和右旋圆偏振光，而圆偏振光光谱则可以反应这一差异圆偏振发光光谱能够表征手性发光物质的手性构象和三维结构信息，为研究手性的产生、传递、放大等机制问题提供检测方法，因此具有CPL的光学器件在三维显示、自旋信息通讯、光数据存储、生物检测与探针等领域具有广泛的应用前景，近年来引起科研工作者越来越多的关注与研究兴趣现今通常的手性微纳结构增强圆偏振发光，但是这些手性结构通常比较复杂，制备难度大。非手性结构简单，但是对于圆偏振发光的增强很小，并且结构复杂，制备难度大，并且也大大降低了检测的灵敏度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种增大圆偏振发光的结构及其制备方法，以解决现有技术中手性结构通常比较复杂，制备难度大。非手性结构简单，但是对于圆偏振发光的增强很小，并且结构复杂，制备难度大，并且也大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增大荧光分子的圆偏振发光的结构，其特征在于，所述结构包括：基底、金属层和荧光分子；所述金属层设置在所述基底的一侧，所述荧光分子设置在所述金属层远离所述基底的一侧，且所述金属层上周期挖设多个锥形孔洞，所述锥形孔洞直径较大的一端远离所述基底设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种增大荧光分子的圆偏振发光的结构，其特征在于，所述结构包括：基底、金属层和荧光分子；所述金属层设置在所述基底的一侧，所述荧光分子设置在所述金属层远离所述基底的一侧，且所述金属层上周期挖设多个锥形孔洞，所述锥形孔洞直径较大的一端远离所述基底设置。


2.根据权利要求1所述的增大荧光分子的圆偏振发光的结构，其特征在于，所述锥形孔洞的形状为圆锥和棱锥中任意一种。


3.根据权利要求2所述的增大荧光分子的圆偏振发光的结构，其特征在于，所述结构还包括手性增大槽，所述手性增大槽设置在所述锥形孔洞的侧壁，且所述手性增大槽与所述锥形孔洞的轴心在垂直于所述基底的面上的投影相同。


4.根据权利要求3所述的增大荧光分子的圆偏振发光的结构，其特征在于，一个锥形孔洞中手性增大槽的数量至少为一个。


5.根据权利要求1所述的增大荧光分子的圆偏振发光的结构，其特征在于，所述金属层的材料为贵金属材料。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44