一种驱动高端PMOS管开关的推挽驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种驱动高端PMOS管开关的推挽驱动电路，该电路的Vgs驱动电压取决于Vbus和稳压二极管的电压差，即Vbus‑Vz1，因此，该电路适用工作于Vbus稳定的应用(+/‑5V)中，通过推挽实现低成本的高端P型MOS管高速驱动。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动高端PMOS管开关的推挽驱动电路
本技术涉及高速开关功率控制电路领域，特别涉及一种驱动高端PMOS管开关的推挽驱动电路。
技术介绍
MOS管主要有P通道的PMOS和N通道的NMOS。NMOS产品有更好耐压和导通电阻。PMOS虽然在相同价格下耐压和导通电阻不及NMOS，但是其导通特性非常适合作为电源高端的开关使用。现有技术中使用PMOS的高端开关电路只适合低速开关应用，但不适合应用在连续高速开关的应用。参考图1，当U1导通时，R1，R2和Z1的电路为PMOS控制极Cgs充电，Cgs为驱动输入电容，并控制PMOS的控制电压Vgs在安全范围。这里Vgs＝R1*Vbus/(R1+R2)。当U1关断时，Cgs电荷通过R1放电，放电时间常数为R1*Cgs。该电路的缺点是PMOS放电通过R1实现，高速放电需要较小的R1，因为Vgs＝R1*Vbus/(R1+R2)，维持Vgs不变，小的R1意味着较小的R2，在PMOS所有的开通时间里，R1和R2有着持续的电阻损耗,损耗为Vbus*Vbus/(R1+R2)，小的R1会造成大的功率损耗。Vbus为PMOS开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动高端PMOS管开关的推挽驱动电路，其特征在于，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与第一电阻连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第一MOS管的栅极通过第一电容与第一电阻连接，所述第二MOS管的栅极与第五电阻和第六电阻连接，所述第五电阻与PWM L连接，所述第六电阻接地；所述第一电阻与第一晶体三极管集电极连接，所述第一晶体三极管的基极通过第二电阻与PWM H连接，所述第一晶体三极管的发射极接地；还包括第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第二晶体三极管的基极与所述第一晶体三极管的集电极连接，且所述第三晶体三极管的基...

【技术特征摘要】
1.一种驱动高端PMOS管开关的推挽驱动电路，其特征在于，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与第一电阻连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第一MOS管的栅极通过第一电容与第一电阻连接，所述第二MOS管的栅极与第五电阻和第六电阻连接，所述第五电阻与PWML连接，所述第六电阻接地；所述第一电阻与第一晶体三极管集电极连接，所述第一晶体三极管的基极通过第二电阻与PWMH连接，所述第一晶体三极管的发射极接地；还包括第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第二晶体三极管的基极与所述第一晶体三极管的集电极连接，且所述第三晶体三极管的基极通过第七电阻与所述第二晶体三极管的基极连接，所述第三晶体三级管的发射极通过一稳压二极管与所述第二晶体三极管的发射极连接，所述第二晶体三极管的集电极与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏德功，
申请(专利权)人：耐比特电子技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44