一种EMC优化电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种EMC优化电路，该EMC优化电路包括驱动IC，驱动IC在给出驱动信号高电平，经过电阻R30限流后，二极管D2此时是正向导通满，在经过电阻R12驱动MOS晶体管Q1，使其开通。在当驱动IC给出低电平信号时，MOS晶体管Q1会截止，此时PNP型三极管Q3为低电平导通。将驱动电压通过电阻R12到地，直至放到0V，MOS晶体管停止工作，并不会通过二极管D2流向驱动IC，此时二极管D2方向截止。通过以上原理，本实用新型专利技术能够把PNP型三极管Q3、电阻R12、电阻R13放到接近MOS晶体管Q1的位置，以上工作的环路就会非常小，又起到很好的EMC控制作用。

【技术实现步骤摘要】
一种EMC优化电路
本技术涉及电路，具体的说是涉及一种EMC优化电路。
技术介绍
EMC，为电磁兼容性EMC，是指设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受电磁骚扰的能力。传感器电磁兼容性是指传感器在电磁环境中的适应性，保持其固有性能、完成规定功能的能力。它包含两个方面要求:一方面要求传感器在正常运行过程中对所在环境产生电磁干扰不能超过一定限值；另一方面要求传感器对所在环境中存在电磁干扰具有一定程度抗扰度。30W以上的MOS的驱动电路优化，主要解决回路大引起的EMC不良，外驱动MOS的方案，一般IC由于器件的放置都会与开关管MOS距离较远，主要有两个方面：1.MOS温度较高，不会把热量传递到IC上，IC在超过温度，可能会有工作不稳定的现象；2.MOS在开关电源的主路上，都是大电流工作区域，将低电压工作的IC放入其中，难度较大，也不利于产品的稳定工作。
技术实现思路
针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种EMC优化电路。该EMC优化电路能够解决上述问题，本技术的驱动IC在远离MOS的情况下，还能减少回路，控制EMC的发射或者接收。为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现：本技术的一种EMC优化电路，该EMC优化电路包括与电源连接的二级共模电感电路、与所述二级共模电感电路输出端连接的桥式二极管电路，所述二级共模电感电路设有第一共模电感电路和第二共模电感电路，其之间的电路节点上电连接有：电容CX1；串联的电阻R1和电阻R2；串联的电阻R3和电阻R4，所述电阻R1和电阻R2之间的电路节点、所述电阻R3和电阻R4的电路节点之间相连接且连接有一电阻R10；所述EMC优化电路还包括：一驱动IC，该驱动IC的GATE-6引脚端能够给出驱动信号高电平；顺次连接形成串联电路的电阻R30、二极管D2、电阻R12以及MOS晶体管Q1，其中，所述电阻R30接入所述GATE-6引脚端，电阻R30为限流电阻，其与所述二极管D2的正极端连接且其与所述二极管D2之间的电路节点上连接有电阻R13，所述电阻R12与所述MOS晶体管Q1的栅极连接；一PNP型三极管Q3，其基极连接所述电阻R13的另一端，其发射极连接至所述二极管D2和所述电阻R12之间的电路节点上，其集电极连接至所述MOS晶体管Q1的源极且其与所述MOS晶体管Q1的栅极之间连接有电阻R14。进一步的，所述驱动IC为一自适应多模式PWM控制器。进一步的，所述驱动IC的GDN-1引脚端接地并电连接有电容C6、三极管U2:B，所述电容C6、三极管U2:B形成并联电路且连接至所述驱动IC的FB-2引脚端；所述驱动IC的VDD-5引脚端与所述电阻R10之间分别连接有：电阻R11；由电容C7、有极性电容EC2组成的第一串联电路且该第一串联电路与所述电阻R11形成并联电路，其中，电容C7的一端连接所述驱动IC的VDD-5引脚端，所述有极性电容EC2的正极端连接所述电阻R10且其正极端还连接所述电阻R11；由电容C7、一第一电感线圈、二极管D5、电阻R18组成的第二串联电路，其中，所述的第一电感线圈、二极管D5、电阻R18组成的电路与所述有极性电容EC2形成并联电路，所述电容C7和所述第一电感线圈之间的电路节点上连接有电阻J1，所述电阻J1的另一端接入RTN1电路，所述电阻R18与所述二极管D5的负极端连接。进一步的，所述二极管D5的正极端和所述第一电感线圈之间的电路节点上连接有电阻R17，所述电阻R17的另一端连接所述驱动IC的RI-3引脚端。进一步的，所述驱动IC的SENSE-4引脚端分别电连接有电阻R15、电容C5，所述电阻R15的另一端和所述电容C5的另一端的电路之间分别连接有电阻RS1、电阻RS2、电阻RS3和电阻RS4；所述电阻R15，其背向所述驱动IC的连接端还连接至所述MOS晶体管Q1的源极以及一电容C4的一端，所述电容C4的另一端与所述MOS晶体管Q1的漏极连接且连接至第二电感线圈的一端，所述MOS晶体管Q1的漏极还连接至二极管D1的正极；所述电容C5，其背向所述驱动IC的连接端还连接一RTN1电路。进一步的，所述二极管D1的负极端分别连接有三个第一电阻，该三个第一电阻并联且其并联后与所述第二电感线圈的另一端之间连接有三个第二电阻和一个电容C12，该三个第二电阻和所述电容C12之间相互形成并联电路结构且其并联后连接至所述桥式二极管电路的正极端。进一步的，所述桥式二极管电路的正极和负极之间分别连接有电容C1和有极性电容EC1，其中，所述有极性电容EC1的正极端连接至所述桥式二极管电路的正极，其负极端连接所述RTN1电路。进一步的，所述RTN1电路的另一端连接有电容CY1，该电容CY1的另一端连接所述EMC优化电路的输出电路V+。相对于现有技术，本技术的有益效果是：本技术的驱动IC在远离MOS晶体管Q1的情况下，还能减少回路，控制EMC的发射或者接收。附图说明图1为本技术EMC优化电路与电源连接的二级共模电感电路图。图2为本技术桥式二极管电路图。图3为本技术EMC优化电路的具体优化电路结构图。图4为本技术EMC优化电路的输出电路图。图5为本技术的RTN1电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，本技术所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种EMC优化电路，该EMC优化电路包括与电源连接的二级共模电感电路、与所述二级共模电感电路输出端连接的桥式二极管电路，所述二级共模电感电路设有第一共模电感电路和第二共模电感电路，其之间的电路节点上电连接有：/n电容CX1；/n串联的电阻R1和电阻R2；/n串联的电阻R3和电阻R4，所述电阻R1和电阻R2之间的电路节点、所述电阻R3和电阻R4的电路节点之间相连接且连接有一电阻R10；/n其特征在于，所述EMC优化电路还包括：/n一驱动IC，该驱动IC的GATE-6引脚端能够给出驱动信号高电平；/n顺次连接形成串联电路的电阻R30、二极管D2、电阻R12以及MOS晶体管Q1，其中，所述电阻R30接入所述GATE-6引脚端，电阻R30为限流电阻，其与所述二极管D2的正极端连接且其与所述二极管D2之间的电路节点上连接有电阻R13，所述电阻R12与所述MOS晶体管Q1的栅极连接；/n一PNP型三极管Q3，其基极连接所述电阻R13的另一端，其发射极连接至所述二极管D2和所述电阻R12之间的电路节点上，其集电极连接至所述MOS晶体管Q1的源极且其与所述MOS晶体管Q1的栅极之间连接有电阻R14。/n...

【技术特征摘要】
1.一种EMC优化电路，该EMC优化电路包括与电源连接的二级共模电感电路、与所述二级共模电感电路输出端连接的桥式二极管电路，所述二级共模电感电路设有第一共模电感电路和第二共模电感电路，其之间的电路节点上电连接有：
电容CX1；
串联的电阻R1和电阻R2；
串联的电阻R3和电阻R4，所述电阻R1和电阻R2之间的电路节点、所述电阻R3和电阻R4的电路节点之间相连接且连接有一电阻R10；
其特征在于，所述EMC优化电路还包括：
一驱动IC，该驱动IC的GATE-6引脚端能够给出驱动信号高电平；
顺次连接形成串联电路的电阻R30、二极管D2、电阻R12以及MOS晶体管Q1，其中，所述电阻R30接入所述GATE-6引脚端，电阻R30为限流电阻，其与所述二极管D2的正极端连接且其与所述二极管D2之间的电路节点上连接有电阻R13，所述电阻R12与所述MOS晶体管Q1的栅极连接；
一PNP型三极管Q3，其基极连接所述电阻R13的另一端，其发射极连接至所述二极管D2和所述电阻R12之间的电路节点上，其集电极连接至所述MOS晶体管Q1的源极且其与所述MOS晶体管Q1的栅极之间连接有电阻R14。


2.根据权利要求1所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述驱动IC为一自适应多模式PWM控制器。


3.根据权利要求1所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述驱动IC的GDN-1引脚端接地并电连接有电容C6、三极管U2:B，所述电容C6、三极管U2:B形成并联电路且连接至所述驱动IC的FB-2引脚端；
所述驱动IC的VDD-5引脚端与所述电阻R10之间分别连接有：
电阻R11；
由电容C7、有极性电容EC2组成的第一串联电路且该第一串联电路与所述电阻R11形成并联电路，其中，电容C7的一端连接所述驱动IC的VDD-5引脚端，所述有极性电容EC2的正极端连接所述电阻R10且其正极端还连接所述电阻R11；
由电容C7、一第一电感线圈、二极管D5、电阻R18组成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜戈阳，胥海东，
申请(专利权)人：深圳市创芯技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44