背面研磨带制造技术

根据本发明专利技术的背面研磨带具有优异的耐水性，因此容易地保护图案，并且具有优异的各层之间的粘合性，因此在移除带的过程中各层不分离，使得其适用于背面研磨过程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面研磨带
相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0033909号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及背面研磨带，具体地，涉及在半导体的制备过程期间的背面研磨过程中附接在半导体晶片的表面上并且用于保护表面的粘合带。
技术介绍
近来，随着电子器件朝小型化、高功能性和大容量的趋势日益增加，对半导体封装的高密度和高集成度的需求迅速增加。反映这一点，半导体芯片的尺寸越来越大，同时，芯片的厚度变得更薄，电路的集成度增加。然而，半导体芯片本身的模量降低，从而引起制备过程或最终产品的可靠性方面的问题。根据这样的对大且薄的半导体的需求，基本上进行背面研磨过程，其中用由细金刚石颗粒组成的砂轮研磨晶片的背面以形成薄的芯片厚度，从而促进组装，但在背面研磨过程期间，经常产生晶片的损坏例如由大量硅粉和颗粒引起的污染以及裂纹产生。因此，用于保护半导体晶片的表面的背面研磨带的功能变得更重要。为了顺利地进行背面研磨过程，背面研磨带应有效地保护晶片的图案侧，在研磨过程完成之后，应容易地被移除而没有残留物，因此对背面研磨带的粘合力和其他特性的改善的各种研究正在进行中。同时，在背面研磨带由多层构成的情况下，在背面研磨带的移除期间各层可能分离，因此需要开发能够同时实现用于保护图案侧的特性的改善并且容易移除的技术。[现有技术文献][专利文献](专利文献0001)韩国专利特许公开第10-2007-0087104号r>
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供在半导体的制备过程期间的背面研磨过程中附接在晶片的表面上以保护表面的背面研磨带。技术方案根据本专利技术，提供了背面研磨带，其包括：硬涂层；包含聚氨酯系树脂的中间层；和粘合层，其中硬涂层和中间层的根据数学方程式1的极性能值之和为13达因/cm至17达因/cm，以及中间层根据数学方程式1的极性能值为3.5达因/cm或更小。背面研磨带是用于在背面研磨过程中保护晶片图案的表面的粘合带。在下文中，将详细地说明根据本专利技术的实施方案的背面研磨带。首先，本说明书中使用的技术术语仅用于提及具体实施方案，并且除非特别提及，否则不旨在限制本专利技术。除非明确地陈述或者从上下文中显而易见不旨在如此，否则单数表述包括其复数表述。如本文所用，术语“包含”、“包括”等旨在指定存在实践特征、数量、步骤、构成要素、或其组合，并且它们不旨在排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、构成要素、或其组合的可能性。此外，包括序数例如“第一”、“第二”等的术语用于将一个构成要素与其他构成要素区分开，并且本专利技术不限于此。例如，在本专利技术的权利的范围内，第一构成要素可以称为第二构成要素，类似地，第二构成要素可以称为第一构成要素。此外，在陈述任何构成要素形成“在基础的上部上(或下部上)”或者“在基础上(或基础下)”的情况下，这意指任何构成要素形成为与基础的上侧(或下侧)接触，或者可以在基础与形成在基础上(或基础下)的任何构造之间另外包括其他构成要素。如本文所用，(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯二者。图1示出了根据一个实施方案的背面研磨带10的截面结构。根据图1，背面研磨带10可以包括硬涂层100、包含聚氨酯系树脂的中间层200、和粘合层300。硬涂层100、包含聚氨酯系树脂的中间层200、和粘合层300可以顺序地堆叠，并且在硬涂层100、包含聚氨酯系树脂的中间层200、和粘合层300的任一侧上或者在两层之间，可以另外形成预定的功能层。此外，在背面研磨带10用于背面研磨过程的情况下，粘合层300可以附接成与晶片图案相邻。在本专利技术中，硬涂层100可以位于下侧上，并且中间层200和粘合层300可以堆叠在其上。根据本专利技术的一个实施方案的背面研磨带10可以用于在半导体的制备过程期间的背面研磨过程中保护晶片图案的表面。在背面研磨过程中使用的带可以由多层构成，但在这种情况下，在移除带的步骤中各层可能分离，因此需要各层之间的足够的粘合性。带可能吸收在背面研磨过程中使用的水或溶剂等，从而导致有缺陷的图案。然而，由于这样的粘合带的耐水性和粘合性为彼此折衷关系，因此难以同时确保特性。因此，本专利技术人通过从分别在硬涂层100和包含聚氨酯系树脂的中间层200处测量的接触角提取特定参数，同时实现了带的优异的耐水性和优异的各层之间的粘合性。根据本专利技术的背面研磨带10满足以下要求：硬涂层100和包含聚氨酯系树脂的中间层200的极性能值之和为13达因/cm至17达因/cm，包含聚氨酯系树脂的中间层200的极性能值为3.5达因/cm或更小，从而确保优异的耐水性和层间粘合性。因此，可以顺利地进行背面研磨过程，并且在过程完成之后可以容易地移除膜，从而提高半导体芯片的可靠性。在根据本专利技术的背面研磨带10中，如果硬涂层100和包含聚氨酯系树脂的中间层200的极性能值之和小于13达因/cm，则层间粘合性可能劣化，因此可能难以顺利地进行背面研磨过程，并且在背面研磨过程完成之后在移除膜的步骤中各层可能分离。此外，如果这两层的极性能值之和大于17达因/cm，则吸湿性可能增加而影响图案，并且由于膜厚度的变化，可能难以均匀地进行过程。在根据本专利技术的背面研磨带10中，如果包含聚氨酯系树脂的中间层200的极性能值大于3.5达因/cm，则耐水性可能显著劣化，从而在背面研磨过程中导致有缺陷的图案。此外，优选地，可以同时实现极性能值之和为13.3达因/cm至16达因/cm并且包含聚氨酯系树脂的中间层200的极性能值为3.0达因/cm或更小的要求，在这种情况下，可以使上述效果最大化。在本专利技术中，极性能是根据以下数学方程式1分别在硬涂层100和包含聚氨酯系树脂的中间层200的表面上测量的值。由于聚合物材料具有粘度和弹性，因此无法直接测量聚合物材料的表面能，因此通过接触角的测量来间接计算表面能。在本专利技术中，根据Wu调和法(Wu-Harmonicmethod)，使用两种测量溶液(水和二碘甲烷(CH2I2)溶液)测量在各测量对象侧上的接触角，引入Wu调和方程式中以计算表面能和分散度，由其推导出极性能。[数学方程式1]极性能(达因/cm)＝表面自由能(达因/cm)-分散度(达因/cm)在方程式中，表面自由能和分散度根据Wu调和法使用水和二碘甲烷(CH2I2)溶液来测量。在本专利技术中，Wu调和方程式是本领域中常用的方程式，将使用极性溶剂水和非极性溶剂二碘甲烷的接触角及其独特的表面张力引入Wu调和方程式中以分别设计两个方程式，由其算术平均值可以计算本专利技术的表面自由能值和分散度值。对于这样的根据Wu调和方程式的表面自由能和分散度的测量，可以应用参考文献1(S.Wu,CalculationofInterfacialTensionsinPolymerSystems.In:J.Polym.Sci.4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面研磨带，包括：硬涂层；包含聚氨酯系树脂的中间层；和粘合层，/n其中所述硬涂层和所述中间层的根据以下数学方程式1的极性能值之和为13达因/cm至17达因/cm，以及/n所述中间层的根据以下数学方程式1的极性能值为3.5达因/cm或更小：/n[数学方程式1]/n极性能(达因/cm)＝表面自由能(达因/cm)-分散度(达因/cm)/n其中，在方程式中，所述表面自由能和所述分散度根据Wu调和法使用水和二碘甲烷(CH

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 KR 10-2018-00339091.一种背面研磨带，包括：硬涂层；包含聚氨酯系树脂的中间层；和粘合层，
其中所述硬涂层和所述中间层的根据以下数学方程式1的极性能值之和为13达因/cm至17达因/cm，以及
所述中间层的根据以下数学方程式1的极性能值为3.5达因/cm或更小：
[数学方程式1]
极性能(达因/cm)＝表面自由能(达因/cm)-分散度(达因/cm)
其中，在方程式中，所述表面自由能和所述分散度根据Wu调和法使用水和二碘甲烷(CH2I2)溶液来测量。


2.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述硬涂层和所述包含聚氨酯系树脂的中间层的极性能值之和为13.3达因/cm至16达因/cm，以及所述包含聚氨酯系树脂的中间层的极性能值为3.0达因/cm或更小。


3.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述硬涂层的厚度为0.1μm至10μm。


4.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述包含聚氨酯系树脂的中间层的厚度为50...

【专利技术属性】
技术研发人员：金殷英，金色拉，李光珠，金相还，朴成灿，尹美善，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR