化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法技术

本说明书提供了化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
本申请要求于2018年10月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0120977号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本说明书涉及化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物和用于制备图案的方法。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于例如在制造计算机芯片和集成电路时用于制造小电子组件的微电子器件过程。使用用于制造集成电路的基底材料例如基于硅的晶片的微电子器件过程通常如下。使用光致抗蚀剂组合物或光致抗蚀剂膜在基底上形成薄涂覆膜的光致抗蚀剂层，然后将所得物烘烤以使涂覆膜固定在基底上。将固定在基底上的涂覆膜以图像方式暴露于照射。用显影液处理经曝光的涂覆膜，通过溶解和除去光致抗蚀剂的曝光区域或未曝光区域，形成微电子器件。随着在性能、可靠性以及人力和物理基础设施方面其他图案化技术无法比拟的光刻技术的发展，半导体的高度集成已有所提升。特别地，由于使用较短的光源和匹配的光化学反应光致抗蚀剂，因此随着使用高灵敏度化学增幅型光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由以下化学式1表示的化合物：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181011 KR 10-2018-01209771.一种由以下化学式1表示的化合物：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
p为2至4的整数；
当p为2或更大时，括号中的取代基彼此相同或不同；
当p为2时，X为S；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的杂芳基；或者经取代或未经取代的烷基；
当p为3或4的整数时，X为经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的杂芳基；或者经取代或未经取代的烷基；
L1为直接键；经取代或未经取代的亚烷基；经取代或未经取代的亚芳基；或者经取代或未经取代的亚杂芳基；
Rb为经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基；
Q+为阳离子；
Y-为酸阴离子；以及
m和n为1至10的整数。


2.根据权利要求1所述的化合物，其中化学式1由以下化学式2至4中的任一者表示：
[化学式2]



[化学式3]



[化学式4]



在化学式2至4中，
L1、Rb、Y-、Q+、m、n和p具有与化学式1中相同的定义；
X1为S；或CR1R2；
X2为经取代或未经取代的烷基；或者经取代或未经取代的芳基；
X3为经取代或未经取代的烷基；以及
R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的硼基；经取代或未经取代的胺基；经取代或未经取代的芳基膦基；经取代或未经取代的氧化膦基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基，或者相邻基团彼此键合以形成经取代或未经取代的芳族烃环或者经取代或未经取代的脂族烃环。


3.根据权利要求2所述的化合物，其中化学式2的X1由S和以下化学式1-1至1-3中的任一者表示：
[化学式1-1]



[化学式1-2]



[化学式1-3]



在化学式1-1至1-3中，
*为与L1连接的位点；
R11至R22彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的硼基；经取代或未经取...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤旻，林敏映，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR