【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
本公开涉及但不限于显示
,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
近年来,硅基有机发光二极体(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)微型显示器作为近眼显示器常应用于虚拟现实(VirtualReality,VR)/增强现实(AugmentedReality,AR)领域。硅基半导体工艺成熟、集成度高,可以实现超高PPI显示。在使用中发现,硅基OLED微型显示器存在串色或串扰现象,影响了显示器的色域,降低了显示器的品质和色纯度。
技术实现思路
本公开实施例的目的是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决硅基OLED显示器串色或串扰的现象。为了解决上述技术问题,本公开实施例提供一种显示基板,包括:驱动背板;第一电极层,位于所述驱动背板的一侧,所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极;漏电截断层,位于所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧,所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间,所述漏电截断层的背离所述驱动背板一侧的表面具有截断槽和位于所述截断槽两侧的截断凸起;发光功能层,位于所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧;第二电极层,位于所述发光功能层背离所述驱动背板的一侧。在一些可能的实现方式中,所述第一电极包括平坦的中间部和围绕所述中间部的爬坡部,所述第二电极层包括多个与所述中间部对应设置的平缓部和位于相邻两个所述平缓部之间的连接部,在垂直 ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:/n驱动背板;/n第一电极层,位于所述驱动背板的一侧,所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极;/n漏电截断层,位于所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧,所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间,所述漏电截断层的背离所述驱动背板一侧的表面具有截断槽和位于所述截断槽两侧的截断凸起;/n发光功能层,位于所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧;/n第二电极层,位于所述发光功能层背离所述驱动背板的一侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
驱动背板;
第一电极层,位于所述驱动背板的一侧,所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极;
漏电截断层,位于所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧,所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间,所述漏电截断层的背离所述驱动背板一侧的表面具有截断槽和位于所述截断槽两侧的截断凸起;
发光功能层,位于所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧;
第二电极层,位于所述发光功能层背离所述驱动背板的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极包括平坦的中间部和围绕所述中间部的爬坡部,所述第二电极层包括多个与所述中间部对应设置的平缓部和位于相邻两个所述平缓部之间的连接部,在垂直于所述驱动背板的方向上,位于所述平缓部和所述中间部之间的发光功能层的厚度为d0,所述截断凸起与所述中间部之间的最小距离为d1,d1与d0的比值范围为0.3~0.8。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述驱动背板的方向上,所述截断槽与所述截断凸起之间的距离为d2,d2与d0的比值范围为0.1~0.4。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述漏电截断层具有朝向所述第一电极的截断侧面,所述漏电截断层自所述驱动背板朝向远离所述驱动背板的方向呈收缩状,所述截断侧面与所述漏电截断层朝向所述驱动背板一侧表面之间的角度为60°至90°;或者,
所述漏电截断层具有朝向所述第一电极的截断侧面,所述漏电截断层自所述驱动背板朝向远离所述驱动背板的方向呈扩大状,所述截断侧面与所述漏电截断层朝向所述驱动背板一侧表面之间的角度为90°至120°。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极包括平坦的中间部和围绕所述中间部的爬坡部,所述漏电截断层在所述驱动背板上的正投影位于相邻两个所述中间部在所述驱动背板上的正投影之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极包括平坦的中间部和围绕所述中间部的爬坡部,所述漏电截断层在所述驱动背板上的正投影至少与位于所述漏电截断层一侧的所述中间部在所述驱动背板上的正投影存在交叠区域。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,垂直于驱动背板的方向上,所述截断凸起与所述中间部之间的距离为d1,所述中间部的厚度为d3,d3与d1的比值为2至4。
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,在垂直于驱动背板的方向上,位于所述平缓部和所述中间部之间的发光功能层的厚度为d0,所述截断槽的深度为d2,d2与d0的比值为0.2至0.8。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述截断槽的深度大于或等于中间部的厚度。
10.根据权利要求1至6中任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述发光功能层包括由所述第一电极层朝向所述第二电极层依次叠层设置的第一发光单元层、电荷产生层和第二发光单元层,
所述第一发光...
【专利技术属性】
技术研发人员:王青,黄冠达,陈小川,董永发,袁雄,童慧,王宇,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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