OLED显示面板及其制备方法技术

本申请提供一种OLED显示面板及其制备方法，OLED显示面板包括层叠设置的衬底、透明导电层、缓冲层、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和OLED器件层；透明导电层图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；金属氧化物半导体层图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及透明电容的第二极板；源漏极层图案化形成薄膜晶体管的源极和漏极，漏极与有源层的漏区连接，源极与有源层的源区和导电电极连接，OLED器件层的发光方向朝向衬底。本申请中导电电极和透明电容的第一极板均为透明导电层图案化形成，仅需一道工序，因此节省了一道光罩，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
技术介绍
现有的底发射结构的OLED显示面板中，通常会在衬底上设置金属电极来稳定薄膜晶体管的背沟道电势，同时，为实现高的解析度，还需要在衬底上制备一层氧化铟锡电极，该层与缓冲层上方膜层的金属氧化物电极共同形成透明电容，透明电容所在区域也可以作为发光区，以此来增大开口率。然而，此种结构金属电极和氧化铟锡电极需要两道工序完成，制程较多，造成成本的增加。因此，现有的底发射结构的OLED显示面板存在制作工序较多的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法，用以缓解现有的底发射结构的OLED显示面板中制作工序较多的技术问题。本申请提供一种OLED显示面板，包括：衬底；透明导电层，形成在所述衬底一侧，图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；缓冲层，形成在所述透明导电层远离所述衬底的一侧；金属氧化物半导体层，形成在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧，图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板；栅极绝缘层，形成在所述有源层远离所述缓冲层的一侧；栅极层，形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的栅极；层间绝缘层，形成在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧；源漏极层，形成在所述层间绝缘层远离所述栅极层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述漏极与所述有源层的漏区连接，所述源极与所述有源层的源区和所述导电电极连接；OLED器件层，形成在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧，所述OLED器件层的发光方向朝向所述衬底。在本申请的OLED显示面板中，所述透明导电层的材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种。在本申请的OLED显示面板中，所述金属氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物和铟镓锌钛氧化物中的至少一种。在本申请的OLED显示面板中，所述有源层在所述衬底的投影位于所述导电电极在所述衬底的投影范围内。在本申请的OLED显示面板中，所述OLED器件层包括像素定义层和像素电极层，所述像素定义层定义出多个发光区，所述像素电极层位于所述发光区内，且与所述薄膜晶体管的源极连接，所述透明电容的第一极板和第二极板均对应所述发光区设置。在本申请的OLED显示面板中，所述透明导电层的厚度为200至2000埃米。在本申请的OLED显示面板中，所述金属氧化物半导体层的厚度为100至1000埃米。本申请还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底一侧依次制备透明导电层和缓冲层，将所述透明导电层图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备金属氧化物半导体层，并图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板；在所述有源层远离所述缓冲层的一侧依次制备栅极绝缘层、栅极层和层间绝缘层，所述栅极层图案化形成所述薄膜晶体管的栅极；在所述层间绝缘层远离所述有源层的一侧制备源漏极层，所述源漏极层图案化形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述漏极与所述有源层的漏区连接，所述源极与所述有源层的源区和所述导电电极连接；在所述源漏极层上制备OLED器件层，所述OLED器件层的发光方向朝向所述衬底。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述衬底一侧依次制备透明导电层和缓冲层的步骤，包括：在所述衬底一侧制备透明导电层，所述透明导电层材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备金属氧化物半导体层的步骤，包括：在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物和铟镓锌钛氧化物中的至少一种。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备金属氧化物半导体层，并图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板的步骤，包括：将所述金属氧化物半导体层图案化形成薄膜晶体管的有源层，且所述有源层在所述衬底的投影位于所述导电电极在所述衬底的投影范围内。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述源漏极层上制备OLED器件层的步骤，包括：在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧制备像素定义层和像素电极层，所述像素定义层定义出多个发光区，所述像素电极层位于所述发光区内，且与所述薄膜晶体管的源极连接，所述透明电容的第一极板和第二极板均对应所述发光区设置。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述衬底一侧依次制备透明导电层和缓冲层的步骤，包括：在所述衬底一侧制备厚度为200至2000埃米的透明导电层。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备金属氧化物半导体层的步骤，包括：在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备厚度为100至1000埃米的金属氧化物半导体层。在本申请的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述源漏极层上制备OLED器件层的步骤之后，还包括：在所述OLED器件层远离所述驱动电路层的一侧制备封装层。有益效果：本申请提供一种OLED显示面板及其制备方法，OLED显示面板包括衬底、透明导电层、缓冲层、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和OLED器件层；透明导电层形成在所述衬底一侧，图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；缓冲层形成在所述透明导电层远离所述衬底的一侧；金属氧化物半导体层形成在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧，图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板；栅极绝缘层形成在所述金属氧化物半导体层远离所述缓冲层的一侧；栅极层形成在所述栅极绝缘层远离所述金属氧化物半导体层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的栅极；层间绝缘层形成在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧；源漏极层形成在所述层间绝缘层远离所述栅极层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述漏极与所述有源层的漏区连接，所述源极与所述有源层的源区和所述导电电极连接；所述OLED器件层形成在源漏极层远离层间绝缘层的一侧，所述OLED器件层的发光方向朝向所述衬底。本申请中导电电极和透明电容的第一极板均为透明导电层图案化形成，仅需一道工序，因此节省了一道光罩，降低了成本。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：/n衬底；/n透明导电层，形成在所述衬底一侧，图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；/n缓冲层，形成在所述透明导电层远离所述衬底的一侧；/n金属氧化物半导体层，形成在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧，图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板；/n栅极绝缘层，形成在所述有源层远离所述缓冲层的一侧；/n栅极层，形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的栅极；/n层间绝缘层，形成在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧；/n源漏极层，形成在所述层间绝缘层远离所述栅极层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述漏极与所述有源层的漏区连接，所述源极与所述有源层的源区和所述导电电极连接；/nOLED器件层，形成在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧，所述OLED器件层的发光方向朝向所述衬底。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
透明导电层，形成在所述衬底一侧，图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；
缓冲层，形成在所述透明导电层远离所述衬底的一侧；
金属氧化物半导体层，形成在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧，图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板；
栅极绝缘层，形成在所述有源层远离所述缓冲层的一侧；
栅极层，形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的栅极；
层间绝缘层，形成在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧；
源漏极层，形成在所述层间绝缘层远离所述栅极层的一侧，图案化形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述漏极与所述有源层的漏区连接，所述源极与所述有源层的源区和所述导电电极连接；
OLED器件层，形成在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧，所述OLED器件层的发光方向朝向所述衬底。


2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透明导电层的材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种。


3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物和铟镓锌钛氧化物中的至少一种。


4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有源层在所述衬底的投影位于所述导电电极在所述衬底的投影范围内。


5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED器件层包括像素定义层和像素电极，所述像素定义层定义出多个发光区，所述像素电极位于所述发光区内，且与所述薄膜晶体管的源极连接，所述透明电容的第一极板和第二极板均对应所述发光区设置。


6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透明导电层的厚度为200至2000埃米。


7.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的厚度为100至1000埃米。


8.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底一侧依次制备透明导电层和缓冲层，将所述透明导电层图案化形成导电电极、以及透明电容的第一极板；
在所述缓冲层远离所述透明导电层的一侧制备金属氧化物半导体层，并图案化形成薄膜晶体管的有源层、以及所述透明电容的第二极板；
在所述有源层远离所述缓冲层的一侧依次制备栅极绝缘层、栅极层和层间绝缘层，所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44