【技术实现步骤摘要】
低压差线性稳压器电路
本专利技术主要涉及集成电路领域，尤其涉及一种低压差线性稳压器电路。
技术介绍
电子设备工作过程中，通过交流市电经过整流或交流适配器后供电，或是由蓄电池组供电时，电源电压都将在较大范围内变化。例如单体锂电池充足电时的电压与放完电后的电压变化范围即较大。各种整流器的输出电压不仅受市电电压变化的影响，还受负载变化的影响。为了保证供电电压稳定不变，电子设备大多采用稳压器供电。为满足电子设备的工作要求，需要在电源的输入端加入线性稳压器电路，以保证电源电压恒定。目前常规功率管为NMOS的低压差线性稳压器电路(LowDropoutRegulator，LDO)电路，拓扑结构如图1所示。电路原理是其输出电压为电源电压在功率管MN1内阻和负载ROUT之间的分压。负载电流发生变化时，通过改变MN1自身的内阻，来稳定输出电压。电阻反馈网络来检测负载的变化来调整功率管MN1的内阻。设计LDO电路时最大的难点是稳定性设计。传统结构的一种补偿技术是通过增加静态功耗来减小运放的输出电阻，这样只保留输出级主极点，把其它的...
【技术保护点】
1.一种低压差线性稳压器电路，包括：/n第一功率晶体管，具有第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一漏极连接电压输入端，所述第一源极连接电压输出端；/n多级放大器，具有第一级放大器和第二级放大器，所述第二级放大器是所述第一级放大器的后级，所述第二级放大器的输出端与所述第一栅极连接；/n稳压补偿模块，包括第一补偿电容和第二补偿电容，所述第一补偿电容的第一端与所述第一级放大器的第一节点连接，所述第一补偿电容的第二端与所述第一栅极连接，所述第二补偿电容的第一端与所述第一级放大器的第一节点连接，所述第二补偿电容的第二端与所述第一源极连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压器电路，包括：
第一功率晶体管，具有第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一漏极连接电压输入端，所述第一源极连接电压输出端；
多级放大器，具有第一级放大器和第二级放大器，所述第二级放大器是所述第一级放大器的后级，所述第二级放大器的输出端与所述第一栅极连接；
稳压补偿模块，包括第一补偿电容和第二补偿电容，所述第一补偿电容的第一端与所述第一级放大器的第一节点连接，所述第一补偿电容的第二端与所述第一栅极连接，所述第二补偿电容的第一端与所述第一级放大器的第一节点连接，所述第二补偿电容的第二端与所述第一源极连接。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器电路，其特征在于，所述第一功率晶体管为NMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器电路，其特征在于，还包括电流源，所述第一级放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的漏极和所述第三晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极连接；所述第三晶体管的漏极和栅极连接，所述第三晶体管和第四晶体管的栅极相连，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接至所述电流源输出端，所述第一晶体管的栅极连接至参考电压，所述电流源输入端与所述电压输入端连接，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极接地；所述第一节点为第三晶体管与第四晶体管的共栅极。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器电路，其特征在于，所述第二级放大器包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；所述第五晶体管和第六晶体管的栅极连接，所述第五晶体...
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