一种可用于高压功率管的电流采样电路制造技术

本发明专利技术提供一种可用于高压功率管的电流采样电路，包括：第一电阻分压器，由电阻R1、R2组成；第二电阻分压器，由电阻R3、R4组成；镜像电路，由晶体管M5和M6组成；镜像电路还连接电阻R0；反馈回路，由第一反馈支路和第二反馈支路构成；第一反馈支路，由误差放大器A1和晶体管M1组成；第一反馈支路的一端连接第一电阻分压器，另一端连接晶体管M2，第三端连接镜像电路；第二反馈支路，由误差放大器A2和晶体管M3组成；第二反馈支路的一端连接第二电阻分压器，另一端连接晶体管M2，第三端连接晶体管M4；晶体管M4，一端与第二反馈支路连接，另一端连接镜像电路。实现在高压电路中正常工作，并且保证采样电流的精度。保证采样电流的精度。保证采样电流的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种可用于高压功率管的电流采样电路


[0001]本专利技术涉及电流采样电路领域，具体涉及一种可用于高压功率管的电流采样电路。

技术介绍

[0002]目前常规电流采样电路，拓扑结构如图1所示。其中M1是功率管，M2为采样管；M3和M4，M6和M7是两对电流镜。让采样管M2上的电流，和功率管M1成比例，得到的电流通过M7镜像到M8，再通过M9镜像到M10，最终得到采样电流，可以用于PMIC电路中的限流电路，以及各种保护电路等。
[0003]但这种结构在应用中有以下几点不足和困难：
[0004]如果电路应用到高压电路，如锂电池充电电路，最高尖峰电压可到26V，如图1中传统实现方式的电路中晶体管均需要用耐压26V以上的高压晶体管，由于高压晶体管(耐压26V)的面积远大于一般电压晶体管的面积(耐压5V)。因此传统结构电路会增加芯片面积，从而提高芯片的成本。
[0005]由于一般工艺下，高压晶体管的Vgs耐压只能到5V，如果输入电压超过5V，设计的晶体管会因为耐压问题烧坏，无法工作。因此传统实现方式的电流检测电路只适用于输入电压在5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可用于高压功率管的电流采样电路，其特征在于，包括：第一电阻分压器，由电阻R1、R2组成；第二电阻分压器，由电阻R3、R4组成；镜像电路，由晶体管M5和M6组成；镜像电路还连接电阻R0；反馈回路，由第一反馈支路和第二反馈支路构成；第一反馈支路，由误差放大器A1和晶体管M1组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：范莹莹，崔庆，
申请(专利权)人：瓴盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：