电光有源器件制造技术

一种基于硅的电光有源器件及其生产方法，所述器件包括：绝缘体上硅(SOI)波导；所述SOI波导的腔体内的电光有源堆叠，其中所述电光有源堆叠通过晶种层与所述电光有源器件的绝缘层隔开；以及所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的通道；其中所述通道填充有填充材料，所述填充材料的折射率大于形成所述腔体的侧壁的材料的折射率，以在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间在所述通道中形成桥波导。

【技术实现步骤摘要】
电光有源器件
本专利技术涉及基于硅的电光有源器件，并且具体地涉及电光调制器。
技术介绍
如图1所示，常规的电光有源器件可包括硅衬底101，第一无源波导102a和第二无源波导102b在所述硅衬底101上形成。电光有源EPI堆叠103生长在无源波导之间的间隙中，并且可包括第一切面或弯曲区104a和第二切面或弯曲区104b。EPI堆叠的这些切面或弯曲区可在器件中产生明显的损耗。
技术实现思路
广泛地说，本专利技术提供一种电光有源器件及其生产方法，其中切面区被移除并且由填充材料取代。因此，在第一方面，本专利技术提供一种基于硅的电光有源器件，其包括：绝缘体上硅(SOI)波导；电光有源波导，所述电光有源波导包括所述SOI波导的腔体内的电光有源堆叠；以及所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的通道，其中所述通道填充有填充材料，所述填充材料的折射率大于形成所述腔体的侧壁的材料的折射率，从而在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间在所述通道中形成桥波导。在第二方面，提供一种生产基于硅的电光有源器件的方法，其具有以下步骤：提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅的电光有源器件，其特征在于，包括：/n绝缘体上硅SOI波导；/n电光有源波导，所述电光有源波导包括所述SOI波导的腔体内的电光有源堆叠，其中所述电光有源堆叠通过晶种层与所述电光有源器件的绝缘层隔开；以及/n所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的通道；/n其中所述通道填充有填充材料，所述填充材料的折射率大于形成所述腔体的侧壁的材料的折射率，从而在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间在所述通道中形成桥波导。/n

【技术特征摘要】
20190830 GB 1912499.9;20190530 US 16/4272471.一种基于硅的电光有源器件，其特征在于，包括：
绝缘体上硅SOI波导；
电光有源波导，所述电光有源波导包括所述SOI波导的腔体内的电光有源堆叠，其中所述电光有源堆叠通过晶种层与所述电光有源器件的绝缘层隔开；以及
所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的通道；
其中所述通道填充有填充材料，所述填充材料的折射率大于形成所述腔体的侧壁的材料的折射率，从而在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间在所述通道中形成桥波导。


2.如权利要求1所述的基于硅的电光有源器件，其包括氮化硅衬里，所述氮化硅衬里给所述腔体的所述侧壁加衬里，所述氮化硅衬里位于所述SOI波导与所述填充材料之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：余国民，张毅，A齐尔基，
申请(专利权)人：洛克利光子有限公司，
类型：新型
国别省市：英国;GB